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第２問

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問題一覧

1

(１) 半導体の結晶内において共有結合をしている電子は、 (ア) といわれるエネルギー帯にある。

④ 価電子帯

2

(２) 図に示すトランジスタ回路において、ＶＢを (イ) ボルト、ベース－エミッタ間の電圧降下を０.３ボルトとするとき、コレクタ電流Ｉｃを５ミリアンペア流すためには、ベース抵抗ＲＢは、５０キロオームにする必要がある。ただし、直流電流増幅率ｈＦＥは５０とする。

③ ５.３

3

(３) アバランシェフォトダイオードは、 (ウ) による電流増幅作用を利用した受光素子であり、光検出器などに用いられる。

⑤ 電子なだれ増倍現象

4

(４) ＵＳＢメモリ、ＳＤカードなどに用いられる (エ) は、電気的にデータの消去と書き込みを繰り返すことができる不揮発性の半導体メモリである。

⑤ フラッシュメモリ

5

(５) エミッタ接地増幅回路において、エミッタ電流が２ミリアンペア、コレクタ電流が１.９５ミリアンペアであるとき、直流電流増幅率ｈＦＥは、 (オ) となる。

④ ３９

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問題一覧

1

(１) 半導体の結晶内において共有結合をしている電子は、 (ア) といわれるエネルギー帯にある。

④ 価電子帯

2

(２) 図に示すトランジスタ回路において、ＶＢを (イ) ボルト、ベース－エミッタ間の電圧降下を０.３ボルトとするとき、コレクタ電流Ｉｃを５ミリアンペア流すためには、ベース抵抗ＲＢは、５０キロオームにする必要がある。ただし、直流電流増幅率ｈＦＥは５０とする。

③ ５.３

3

(３) アバランシェフォトダイオードは、 (ウ) による電流増幅作用を利用した受光素子であり、光検出器などに用いられる。

⑤ 電子なだれ増倍現象

4

(４) ＵＳＢメモリ、ＳＤカードなどに用いられる (エ) は、電気的にデータの消去と書き込みを繰り返すことができる不揮発性の半導体メモリである。

⑤ フラッシュメモリ

5

(５) エミッタ接地増幅回路において、エミッタ電流が２ミリアンペア、コレクタ電流が１.９５ミリアンペアであるとき、直流電流増幅率ｈＦＥは、 (オ) となる。

④ ３９