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第２問

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1

(１) 半導体の結晶内において共有結合をしている電子は、 (ア) といわれるエネルギー帯にある。

① 価電子帯

2

(２) 図１に示すトランジスタ増幅回路においてベース－エミッタ間に正弦波の入力信号電圧ＶＩを加えたとき、コレクタ電流ＩＣが図２に示すように変化した。ＩＣとコレクタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥとの関係が図３に示すように表されるとき、ＶＩの振幅を５０ミリボルトとすれば、電圧増幅度は、 (イ) である

③ ４０

3

(３) ダイオードの特徴について述べた次の二つの記述は、 (ウ) 。 (４点) Ａツェナーダイオードは、逆方向に加えた電圧がある値を超えると急激に電流が増加し、広い電流範囲で電圧を一定に保つ特性を有する。Ｂ可変容量ダイオードは、コンデンサの働きを持つ半導体素子であり、ｐｎ接合ダイオードに加える逆バイアス電圧を制御することにより、静電容量を変えることができる。

③ ＡもＢも正しい

4

(４) 接合型電界効果トランジスタは、半導体内部の多数キャリアの流れを、 (エ) 電極に加える電圧により制御する半導体素子である。

④ ゲート

5

(５) トランジスタの静特性のうち、エミッタ接地方式においてコレクタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥを一定に保ったときのベース電流ＩＢとコレクタ電流ＩＣとの関係を示したものは、 (オ)特性といわれる。

② 電流伝達

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(１) 半導体の結晶内において共有結合をしている電子は、 (ア) といわれるエネルギー帯にある。

① 価電子帯

2

(２) 図１に示すトランジスタ増幅回路においてベース－エミッタ間に正弦波の入力信号電圧ＶＩを加えたとき、コレクタ電流ＩＣが図２に示すように変化した。ＩＣとコレクタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥとの関係が図３に示すように表されるとき、ＶＩの振幅を５０ミリボルトとすれば、電圧増幅度は、 (イ) である

③ ４０

3

(３) ダイオードの特徴について述べた次の二つの記述は、 (ウ) 。 (４点) Ａツェナーダイオードは、逆方向に加えた電圧がある値を超えると急激に電流が増加し、広い電流範囲で電圧を一定に保つ特性を有する。Ｂ可変容量ダイオードは、コンデンサの働きを持つ半導体素子であり、ｐｎ接合ダイオードに加える逆バイアス電圧を制御することにより、静電容量を変えることができる。

③ ＡもＢも正しい

4

(４) 接合型電界効果トランジスタは、半導体内部の多数キャリアの流れを、 (エ) 電極に加える電圧により制御する半導体素子である。

④ ゲート

5

(５) トランジスタの静特性のうち、エミッタ接地方式においてコレクタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥを一定に保ったときのベース電流ＩＢとコレクタ電流ＩＣとの関係を示したものは、 (オ)特性といわれる。

② 電流伝達