電気通信技術の基礎_問２

23問 • 2年前

伊藤光香

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純粋な半導体の結晶内に不純物原子が加わると、 (ア) 結合を行う結晶中の電子に過不足が生ずることによりキャリアが発生し、導電性が高まる。

図に示すトランジスタスイッチング回路において、ＩＢを十分大きくすると、トランジスタの動作は (イ) 領域に入り、出力電圧ＶＯは、ほぼゼロとなる。このようなトランジスタの状態は、スイッチがオンの状態と対応させることができる。

飽和

可変容量ダイオードは、コンデンサの働きを持つ半導体素子であり、ｐｎ接合ダイオードに加える (ウ) 電圧の大きさを変化させることにより、静電容量が変化することを利用している。

逆方向

トランジスタ回路において、一般に、負荷抵抗に生じた出力をコンデンサを介して次段へ伝えることにより増幅度を上げていく回路は、 (エ) 増幅回路といわれる。

ＣＲ結合

電源を切っても記憶されている情報が残る不揮発性メモリのうち、データの書き込みをユーザ側で行えるメモリは、一般に、 (オ) といわれる。

ＰＲＯＭ

電子デバイスに使われている半導体には、ｐ形とｎ形がある。ｐ形半導体で、通電時に電荷を運ぶ主なものは (ア) である。

正孔

ツェナーダイオードは、逆方向電圧がある値を超えると逆方向電流が急激に増大する降伏現象を利用した素子であり、 (イ) ダイオードともいわれる。

定電圧

図に示すトランジスタ増幅回路において、正弦波の入力信号電圧ＶＩに対する出力電圧ＶＣＥは、この回路の動作点を中心に変化し、コレクタ電流ＩＣが (ウ) のとき、ＶＣＥは最小となる。

最大

半導体メモリは揮発性メモリと不揮発性メモリに大別され、揮発性メモリの一つに (エ) がある。

ＤＲＡＭ

ベース接地のトランジスタ回路において、コレクタ－ベース間の電圧ＶＣＢを一定にして、エミッタ電流を２ミリアンペア変化させたところ、コレクタ電流が１.９６ミリアンペア変化した。このトランジスタ回路の電流増幅率は (オ) である。

０.９８

自由電子と正孔は、半導体中で電荷を運ぶ役目をすることから、 (ア) といわれる。

キャリア

フォトダイオードは、ｐｎ接合ダイオードに光を照射すると光の強さに応じた電流が流れる現象である (イ) 効果を利用して、光信号を電気信号に変換する機能を持つ半導体素子である。

光電

トランジスタ回路の三つの接地方式のうち、入出力電流がほぼ等しくなるものは、 (ウ)接地方式である。

ベース

半導体メモリのうち、記録されている情報を書き換えることができず、読み出しのみが可能なメモリは、 (エ) である。

ＲＯＭ

トランジスタ回路において、ベース電流が (オ) マイクロアンペア、コレクタ電流が２.４９ミリアンペアのとき、エミッタ電流は２.５５ミリアンペアである。

６０

ｎ形半導体において、 (ア) を生成するために加えられた５価の不純物はドナーといわれる。

自由電子

電話機の衝撃性雑音の吸収回路などに用いられる (エ) は、加えられた電圧がある値を超えると、その抵抗値が急激に低下して電流が増大する非直線性を持つ素子である。

バリスタ

トランジスタ回路において、ベース電流が３０マイクロアンペア、エミッタ電流が２.６２ミリアンペアのとき、コレクタ電流は (オ) ミリアンペアである。

２.５９

ｐ形半導体のキャリアについて述べた次の記述のうち、正しいものは、 (ア) である。

正孔の数は自由電子の数より多い。

ｐｎ接合ダイオードに光を照射すると光の強さに応じた電流が流れる現象である光電効果を利用して、光信号を電気信号に変換する機能を持つ半導体素子は、一般に、 (イ) といわれる。

フォトダイオード

図に示すトランジスタ回路の接地方式は、 (ウ) 接地である。

コレクタ

半導体メモリのうち、記憶内容の保持のために繰り返し再書き込みを行う必要のあるメモリは、 (エ) である。

ＤＲＡＭ

トランジスタ回路において、ベース電流が５０マイクロアンペア、コレクタ電流が２.７６ミリアンペアのとき、エミッタ電流は (オ) ミリアンペアである。

２.８１

R1_空調部門Ⅰ

R1_空調部門Ⅰ

R1_空調部門Ⅱ

R1_空調部門Ⅱ

R1_空調部門Ⅲ

R1_空調部門Ⅲ

R1_衛生部門Ⅰ

R1_衛生部門Ⅰ

R1_衛生部門Ⅱ

R1_衛生部門Ⅱ

R1_衛生部門Ⅲ

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R2_空調部門Ⅰ

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R3_空調部門Ⅰ

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R3_空調部門Ⅱ

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R3_空調部門Ⅲ

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R4_空調部門Ⅰ

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R4_空調部門Ⅱ

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R4_空調部門Ⅲ

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R4_衛生部門Ⅰ

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R4_衛生部門Ⅱ

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R4_衛生部門Ⅱ

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飽和

逆方向

ＣＲ結合

電源を切っても記憶されている情報が残る不揮発性メモリのうち、データの書き込みをユーザ側で行えるメモリは、一般に、 (オ) といわれる。

ＰＲＯＭ

電子デバイスに使われている半導体には、ｐ形とｎ形がある。ｐ形半導体で、通電時に電荷を運ぶ主なものは (ア) である。

正孔

定電圧

最大

半導体メモリは揮発性メモリと不揮発性メモリに大別され、揮発性メモリの一つに (エ) がある。

ＤＲＡＭ

０.９８

自由電子と正孔は、半導体中で電荷を運ぶ役目をすることから、 (ア) といわれる。

キャリア

光電

トランジスタ回路の三つの接地方式のうち、入出力電流がほぼ等しくなるものは、 (ウ)接地方式である。

ベース

半導体メモリのうち、記録されている情報を書き換えることができず、読み出しのみが可能なメモリは、 (エ) である。

ＲＯＭ

６０

ｎ形半導体において、 (ア) を生成するために加えられた５価の不純物はドナーといわれる。

自由電子

バリスタ

２.５９

ｐ形半導体のキャリアについて述べた次の記述のうち、正しいものは、 (ア) である。

正孔の数は自由電子の数より多い。

フォトダイオード

図に示すトランジスタ回路の接地方式は、 (ウ) 接地である。

コレクタ

半導体メモリのうち、記憶内容の保持のために繰り返し再書き込みを行う必要のあるメモリは、 (エ) である。

ＤＲＡＭ

２.８１