伊藤光香

問題数 5 • 1/20/2024

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問題一覧

(１) 半導体中の自由電子又は正孔に濃度差があるとき、自由電子又は正孔が濃度の高い方から低い方に移動する現象は、 (ア) といわれる。

③ 拡散

(２) 図１に示すトランジスタ増幅回路において、この回路のトランジスタの各特性が図２及び図３で示すものであるとき、コレクタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥは、 (イ) ボルトとなる。ただし、抵抗Ｒ１は１００オーム、Ｒ２は２.４キロオーム、Ｒ３は４キロオームとする。

② ４

(３) ＤＲＡＭはコンデンサに電荷を蓄えておくことにより情報を保持しているが、この電荷は時間とともに減少するためそのまま放置しておくと情報が失われる。このため (ウ) といわれる再書き込みが行われる。

④ リフレッシュ

(４) トランジスタによる増幅回路を構成する場合のバイアス回路は、トランジスタの (エ)の設定を行うために必要な直流電流を供給するために用いられる。

③ 動作点

(５) ベース接地トランジスタ回路の電流増幅率が０.９７で、エミッタ電流が３ミリアンペアのとき、ベース電流は、 (オ) ミリアンペアとなる。

① ０.０９