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第２問

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  • 1

    (１) ４価のシリコン(Ｓｉ)の真性半導体に、 (ア) 価のインジウム(Ｉｎ)などの元素を微量 に加えることにより、生成される正孔が電気伝導の主たる担い手となる不純物半導体はｐ形半 導体といわれる。

    ② ３

  • 2

    (２) 図に示すトランジスタ回路において、ＶＣＣが１８ボルト、ＲＣが４キロオームのとき、コレクタとエミッタ間の電圧ＶＣＥは、 (イ) ボルトである。ただし、直流電流増幅率ｈＦＥを１００、ベース電流ＩＢを２５マイクロアンペアとする。

    ④ ８

  • 3

    (３) 半導体受光素子について述べた次の二つの記述は、 (ウ) 。 (４点) Ａ アバランシェフォトダイオードは、電子なだれ増倍現象による電流増幅作用を利用した受 光素子であり、光検出器などに用いられる。 Ｂ ＰＩＮフォトダイオードは、３層構造の受光素子であり、電流増幅作用は持たないが、ア バランシェフォトダイオードと比較して低い動作電圧で利用できる。

    ③ ＡもＢも正しい

  • 4

    (４) トランジスタによる増幅回路を構成する場合のバイアス回路は、トランジスタの (エ) の設定を行うために必要な直流電流を供給するために用いられる。

    ④ 動作点

  • 5

    (５) トランジスタの静特性のうち、エミッタ接地方式においてコレクタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥを一定に保ったときのベース電流ＩＢとコレクタ電流ＩＣとの関係を示したものは、 (オ)特性といわれる。

    ① 電流伝達

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  • 1

    (１) ４価のシリコン(Ｓｉ)の真性半導体に、 (ア) 価のインジウム(Ｉｎ)などの元素を微量 に加えることにより、生成される正孔が電気伝導の主たる担い手となる不純物半導体はｐ形半 導体といわれる。

    ② ３

  • 2

    (２) 図に示すトランジスタ回路において、ＶＣＣが１８ボルト、ＲＣが４キロオームのとき、コレクタとエミッタ間の電圧ＶＣＥは、 (イ) ボルトである。ただし、直流電流増幅率ｈＦＥを１００、ベース電流ＩＢを２５マイクロアンペアとする。

    ④ ８

  • 3

    (３) 半導体受光素子について述べた次の二つの記述は、 (ウ) 。 (４点) Ａ アバランシェフォトダイオードは、電子なだれ増倍現象による電流増幅作用を利用した受 光素子であり、光検出器などに用いられる。 Ｂ ＰＩＮフォトダイオードは、３層構造の受光素子であり、電流増幅作用は持たないが、ア バランシェフォトダイオードと比較して低い動作電圧で利用できる。

    ③ ＡもＢも正しい

  • 4

    (４) トランジスタによる増幅回路を構成する場合のバイアス回路は、トランジスタの (エ) の設定を行うために必要な直流電流を供給するために用いられる。

    ④ 動作点

  • 5

    (５) トランジスタの静特性のうち、エミッタ接地方式においてコレクタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥを一定に保ったときのベース電流ＩＢとコレクタ電流ＩＣとの関係を示したものは、 (オ)特性といわれる。

    ① 電流伝達