暗記メーカー

ログイン

第２問

伊藤光香

問題数 5 • 1/14/2024

記憶度

完璧

0問

覚えた

3問

うろ覚え

0問

苦手

0問

未解答

0問

アカウント登録して、解答結果を保存しよう

問題一覧

(１) ４価のシリコン(Ｓｉ)の真性半導体に、 (ア) 価のインジウム(Ｉｎ)などの元素を微量に加えることにより、生成される正孔が電気伝導の主たる担い手となる不純物半導体はｐ形半導体といわれる。

② ３

(２) 図に示すトランジスタ回路において、ＶＣＣが１８ボルト、ＲＣが４キロオームのとき、コレクタとエミッタ間の電圧ＶＣＥは、 (イ) ボルトである。ただし、直流電流増幅率ｈＦＥを１００、ベース電流ＩＢを２５マイクロアンペアとする。

④ ８

(３) 半導体受光素子について述べた次の二つの記述は、 (ウ) 。 (４点) Ａアバランシェフォトダイオードは、電子なだれ増倍現象による電流増幅作用を利用した受光素子であり、光検出器などに用いられる。ＢＰＩＮフォトダイオードは、３層構造の受光素子であり、電流増幅作用は持たないが、アバランシェフォトダイオードと比較して低い動作電圧で利用できる。

③ ＡもＢも正しい

(４) トランジスタによる増幅回路を構成する場合のバイアス回路は、トランジスタの (エ) の設定を行うために必要な直流電流を供給するために用いられる。

④ 動作点

(５) トランジスタの静特性のうち、エミッタ接地方式においてコレクタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥを一定に保ったときのベース電流ＩＢとコレクタ電流ＩＣとの関係を示したものは、 (オ)特性といわれる。

① 電流伝達