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第２問

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1

(１) サイリスタは、ｐ形とｎ形の半導体を交互に二つ重ねたｐｎｐｎの４層構造を基本とした半導体 (ア) 素子であり、シリコン制御整流素子ともいわれる。

⑤ スイッチング

2

(２) 図に示すトランジスタ回路において、ＶＣＣが１８ボルト、ＲＣが (イ) キロオームのとき、コレクタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥは、８ボルトである。ただし、直流電流増幅率ｈＦＥを１００、ベース電流ＩＢを２５マイクロアンペアとする。

① ４

3

(３) トランジスタ増幅回路で出力信号を取り出す場合には、バイアス回路への影響がないようにコンデンサを通して (ウ) のみを取り出す方法がある。

② 交流分

4

(４) 定電圧ダイオードは、逆方向に加えた電圧がある値を超えると、急激に電流が増加する(エ) 現象を生じ、広い電流範囲で電圧を一定に保つ特性を有する。

① 降伏

5

(５) トランジスタの静特性のうち、エミッタ接地方式においてベース電流ＩＢを一定に保ったときのコレクタ電流ＩＣとコレクタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥとの関係を示したものは、ＶＣＥ－ＩＣ特性又は (オ) 特性といわれる。

④ 出力

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(１) サイリスタは、ｐ形とｎ形の半導体を交互に二つ重ねたｐｎｐｎの４層構造を基本とした半導体 (ア) 素子であり、シリコン制御整流素子ともいわれる。

⑤ スイッチング

2

(２) 図に示すトランジスタ回路において、ＶＣＣが１８ボルト、ＲＣが (イ) キロオームのとき、コレクタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥは、８ボルトである。ただし、直流電流増幅率ｈＦＥを１００、ベース電流ＩＢを２５マイクロアンペアとする。

① ４

3

(３) トランジスタ増幅回路で出力信号を取り出す場合には、バイアス回路への影響がないようにコンデンサを通して (ウ) のみを取り出す方法がある。

② 交流分

4

(４) 定電圧ダイオードは、逆方向に加えた電圧がある値を超えると、急激に電流が増加する(エ) 現象を生じ、広い電流範囲で電圧を一定に保つ特性を有する。

① 降伏

5

(５) トランジスタの静特性のうち、エミッタ接地方式においてベース電流ＩＢを一定に保ったときのコレクタ電流ＩＣとコレクタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥとの関係を示したものは、ＶＣＥ－ＩＣ特性又は (オ) 特性といわれる。

④ 出力