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問題一覧
1
(1) 半導体に電界を加えたとき、半導体中の正孔や自由電子が電界から力を受けて移動する現象 は、 (ア) といわれる。
③ ドリフト
2
(2) 図1に示すトランジスタ増幅回路において、この回路のトランジスタの各特性が図2及び図3で示すものであるとき、コレクタ-エミッタ間の電圧VCEは、 (イ) ボルトとなる。ただし、抵抗R1は100オーム、R2は2.4キロオーム、R3は3キロオームとする。(4点)
④ 8
3
(3) トランジスタ増幅回路で出力信号を取り出す場合には、バイアス回路への影響がないようにコンデンサを通して (ウ) のみを取り出す方法がある。
④ 交流分
4
(4) 電界効果トランジスタについて述べた次の二つの記述は、 (エ) 。 (4点) A 電界効果トランジスタは、電子又は正孔のどちらか一方をキャリアとしており、ユニポー ラトランジスタともいわれる。 B 電界効果トランジスタには、ドレイン-ソース間にチャネルといわれる電流の通路があり、 ゲートに加える電流によって出力電圧が制御される。
① Aのみ正しい
5
(5) トランジスタ回路を接地方式により分類したとき、入力インピーダンスが高く、出力インピーダンスが低いため、インピーダンス変換回路として用いられるものは、 (オ) 接地方式である。
② コレクタ
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