第3章まとめ

31問 • 2年前

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問題一覧

(１)は、物質の状態から見ると固体に分類される。電気をよく通す(２)と電気を通さない(３)との中間にある物質である。

半導体, 良導体, 絶縁体

真空管、継電器やトランジスタなど入力信号として小さな電力、電圧または電流を入れて、大きな出力信号として電力、電圧または電流の変化を得られる素子

能動素子

自由電子や正孔─ホールのこと

キャリア

シリコンのような純粋な結晶構造を持った半導体のこと。真性半導体にもキャリアは存在するが、非常に数が少ないのでほとんど絶縁体に近い。

真性半導体

ある特定の物質をシリコン原子にごく少量添加して用いられた、特異な性質を呈する半導体

不純物半導体

電子過剰のキャリアとなって生じたものを(１)といい、結晶を(１)にする不純物をドナーという。リン、ヒ素、アンチモンなどの5価を持った原子からなる。

n型半導体

正孔が電気伝導を担うキャリアとなっているものを(１)という。結晶を(１)にする不純物をアクセプタとよぶ。インジウム、ホウ素、アルミニウムなどの3価のが電子を持った原子からなる物質を用いる。

p型半導体

結晶内の電子がとるエネルギー準位の構造。複数の原子の影響を受けることで、電子はある幅をもった連続的なエネルギー分布をもち、バンド構造を形成すること

エネルギー帯

絶縁体や半導体において、価電子によって満たされたエネルギーバンドのことである。

価電子帯

結晶のバンド構造の中で、電子が存在できない領域

禁制帯

ダイオード p型半導体とn型半導体を接合して(１)を変化させて、p、nの両端に電圧をかけ(２)方向電流の時には電流が流れ、(３)方向電流の時にはほとんど電流を流れなくしたもの。

空乏層, 順, 逆

ダイオード (１)、(２)として用いられる。定電圧ダイオード、トンネルダイオード、フォトダイオード、発光ダイオード、可変容量ダイオードなどがある。

整流器, 被波器

p型半導体とn型半導体を、npnまたはpnpになるように接合したもの

バイポーラトランジスタ

npnトランジスタの3つの端子

ベース, コレクタ, エミッタ

IE＝IB+IC IC＝hFE×IB このhは、(１)と呼ばれ、バイポーラトランジスタの基本性能の指標の一つとなっている。

電流増幅率

ベース接地電流増幅率 α＝(１)

ΔIC/ΔIE

エミッタ接地電流増幅率 β＝(１) β＝(２)

ΔIC/ΔIB, α/(1-α)

トランジスタの特徴 ①(１)で作動する　(２)Vくらい

低電圧, 数〜数十

トランジスタの特徴 ②電子運搬式、消費電力が(１)

少ない

トランジスタの特徴 ③寿命が(１)

長い

トランジスタの特徴 ④小型・軽量で機械的にも(１)

丈夫

トランジスタの特徴 ⑤npn,pnpを組み合わせて(１)的設計が可能

合理

トランジスタの特徴 ⑥電流制御形で増幅度は三極真空管と同じく(１)程度

100倍

トランジスタの特徴 ⑦入力抵抗が(１)、(２)程度なので入力に電力を(３)。真空管、FETなど

低く, 数kΩ, 要する

トランジスタの特徴 ⑧周囲(１)の影響を受けやすい

湿度

電界効果形トランジスタ略称は(１)。構造上、J-(１)という(２)形と、(３)形に大分できる。

FET, 接合, MOS

バイポーラトランジスタとFETとの違いは、信号入力部の入力抵抗が非常に(１)、接合形、MOS型合わせて(２)程度であると言う点。

高く, 10^8〜10^12Ω

DS間の電流の通路

チャネル

J-FET nチャネルにバイアスをかけた時の正極側

ドレイン

J-FET nチャネルにバイアスをかけた時の負極側

ソース

J-FET 信号入力部

ゲート

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その他の検査

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表面筋電図検査

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聴覚

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聴覚　写真

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腫瘍マーカー　抗体

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テスト

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臓器

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組織

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国試

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脳

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骨

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細胞

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神経

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感覚

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筋電図検査

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(１)は、物質の状態から見ると固体に分類される。電気をよく通す(２)と電気を通さない(３)との中間にある物質である。

半導体, 良導体, 絶縁体

能動素子

自由電子や正孔─ホールのこと

キャリア

シリコンのような純粋な結晶構造を持った半導体のこと。真性半導体にもキャリアは存在するが、非常に数が少ないのでほとんど絶縁体に近い。

真性半導体

ある特定の物質をシリコン原子にごく少量添加して用いられた、特異な性質を呈する半導体

不純物半導体

n型半導体

p型半導体

エネルギー帯

絶縁体や半導体において、価電子によって満たされたエネルギーバンドのことである。

価電子帯

結晶のバンド構造の中で、電子が存在できない領域

禁制帯

空乏層, 順, 逆

整流器, 被波器

p型半導体とn型半導体を、npnまたはpnpになるように接合したもの

バイポーラトランジスタ

npnトランジスタの3つの端子

ベース, コレクタ, エミッタ

IE＝IB+IC IC＝hFE×IB このhは、(１)と呼ばれ、バイポーラトランジスタの基本性能の指標の一つとなっている。

電流増幅率

ベース接地電流増幅率 α＝(１)

ΔIC/ΔIE

エミッタ接地電流増幅率 β＝(１) β＝(２)

ΔIC/ΔIB, α/(1-α)

トランジスタの特徴 ①(１)で作動する　(２)Vくらい

低電圧, 数〜数十

トランジスタの特徴 ②電子運搬式、消費電力が(１)

少ない

トランジスタの特徴 ③寿命が(１)

長い

トランジスタの特徴 ④小型・軽量で機械的にも(１)

丈夫

トランジスタの特徴 ⑤npn,pnpを組み合わせて(１)的設計が可能

合理

トランジスタの特徴 ⑥電流制御形で増幅度は三極真空管と同じく(１)程度

100倍

トランジスタの特徴 ⑦入力抵抗が(１)、(２)程度なので入力に電力を(３)。真空管、FETなど

低く, 数kΩ, 要する

トランジスタの特徴 ⑧周囲(１)の影響を受けやすい

湿度

電界効果形トランジスタ略称は(１)。構造上、J-(１)という(２)形と、(３)形に大分できる。

FET, 接合, MOS

バイポーラトランジスタとFETとの違いは、信号入力部の入力抵抗が非常に(１)、接合形、MOS型合わせて(２)程度であると言う点。

高く, 10^8〜10^12Ω

DS間の電流の通路

チャネル

J-FET nチャネルにバイアスをかけた時の正極側

ドレイン

J-FET nチャネルにバイアスをかけた時の負極側

ソース

J-FET 信号入力部

ゲート