総合種

54問 • 2年前

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問題一覧

中身がくり抜かれていない絶縁体に対し、正に帯電した導体を近づけたとき、絶縁体の表面において、この導体に近い側に負、遠い側に正の電荷が現れる現象は、（　　　）といわれる。

誘電分極

絶縁した（　　）に帯電体を近づけると、帯電体に近い表面に異種の電荷、遠い表面に同種の電荷が現れる現象を（　　　）という。

導体、静電誘導

帯電体Aの周囲を中空導体Bで覆い、Bを接地すると、Bの外部はAの電荷の影響を受けない。これは一般に（　　　）効果といわれる。

静電遮蔽

コイルを貫く磁束が変化したとき、電磁誘導によってコイルに生ずる（　　）は、これによって生ずる電流の作る磁場が、与えられた磁束の変化を妨げるような向きに発生する。これは（　　　）の法則といわれる。

起電力、レンツ

（　　　）に当てはまるものを上から順に答えよ

誘導起電力、電流変化率

コイルに発生する起電力の比例定数を（　　　　　　）という。

コイルの自己インダクタンス

自己インダクタンスがLヘンリーのコイルの誘導性リアクタンスをXLオームとすると、XLの大きさは、コイルに流れる（　　　　）に比例する。

交流電流の周波数

2本の導線を平行に置いたときに、電流の方向が同じ場合には、（　　　）が働き、電流の方向が異なる場合には（　　　）が働く。

吸引力、反発力

平行に置かれた2本の電線に、互いに（　　　　）に直流電流を流すと、電線間において相互に（　　）する電磁力が発生する。

反対方向、反発

回路にある周波数の交流電流が流れたときに、コイルの誘導性リアクタンスとコンデンサの容量性リアクタンスが打ち消し合ってインピーダンスのリアクタンス成分が0になる現象のことを（　　　）といい、このときの周波数を（　　　　）という。

共振、共振周波数

抵抗とコンデンサの直列回路において、抵抗の値を2倍にし、コンデンサの静電容量の値を（　　）倍にすると、回路の時定数は6倍になる。

原子は全体として電気的に中性を保っている。何らかの原因により電子の数が不足した場合、（　　　）を帯びたイオンとなり、電子の数が多くなった場合は（　　　）を帯びたイオンとなる。

正電荷、負電荷

原子核の周りを負の電気を帯びた電子が回っており、最も外側を回っている電子を（　　）と呼ぶ。　　

価電子

半導体の性質を持つシリコンやゲルマニウムの元素は、（　　）の状態で安定して共有結合を起こしている。

4価

半導体材料の構造には、原子が規則正しく配列している単結晶、原子の感覚や結合角度などが不規則である非晶質などがあり、非晶質は（　　　　）ともいわれる。

アモルファス

他の元素を含まない純粋な半導体を（　　　）という。

真性半導体

真性半導体に異なる元素を加えたものを（　　　　）という。

不純物半導体

（　　）が多数キャリアであるp形半導体と、（　　　）が多数キャリアであるn形半導体は、いずれも真性半導体に不純物を加えて作られる。

正孔、自由電子

半導体に不純物として（　　）、（　　）、（　　）などの（　　）の元素を加えると、価電子が余り、（　　　　）となる。このときに、半導体に電子を与える元素を（　　）と呼ぶ。

リン、アンチモン、ヒ素、5価、n型半導体、ドナー

n型半導体では、（　　　）を多数キャリア、（　　）を少数キャリアと呼ぶ。

自由電子、正孔

半導体に不純物として、（　　　　）などの（　　）の元素を加えると、（　　）ができ、（　　　　）となる。

インジウム、3価、正孔、p型半導体

n型半導体とp型半導体を合わせたものを　（　　）とよび、これを利用したものに、（　　　）がある。（　　）では、p型半導体とn型半導体との間に、自由電子も正孔もない（　　　）という領域ができる。

pn接合、ダイオード、pn接合、空乏層

自由電子または正孔に温度差があるとき、自由電子または正孔が濃度の高い方から低い方に移動する現象を（　　）と呼ぶ。

拡散

pn接合に外部から（　　）に電圧を印加すると、自由電子、正孔共に移動を始め、電流が流れる。

順方向

pn接合に外部から順方向電圧を加えると、空乏層が（　）なり、n型半導体の多数キャリアである（　　　）はp形半導体へ流れ込む。自由電子と正孔が流れる状態のことを（　　　）と呼ぶ。

狭く、自由電子、ドリフト

pn接合部に外部から逆方向電圧を加えると、p型領域の多数キャリアである（　　）は、電源の（　　）極に引かれ空乏層が（　　）。

正孔、負、広がる

サイリスタはp形とn型の半導体を交互に２つ重ねたpnpnの4層構造を基本とした半導体（　　　　）素子であり、シリコン制御整流素子ともいわれる。

スイッチング

LEDは（　）を（　）に変換する機能を持ち、pn接合に（　　）電圧を加えると光を放出する半導体素子である。

電気、光、順方向

フォトダイオードは（　）を（　）に変換する機能を持ち、（　　）電圧を加えたpn接合部に光を当てると光の強さに応じた電流を生ずる半導体素子である。

光、電気、逆方向

アバランシェフォトダイオードは、フォトダイオードの一種で、（　　　　　）による電流増幅作用を利用した受光素子である。（　　　）などに用いられる。

電子なだれ増倍現象、光検出器

PINフォトダイオードは、フォトダイオードの一種で3層構造の受光素子である。（　　　　）は持たず、アバランシェフォトダイオードと比較して（　　　）で動作する。

電流増幅作用、低い電圧

定電圧ダイオードは、（　　　）に加えた電圧が一定値を超えると、急激に電流が増加する（　　　）を生じ、広い電流範囲で電圧を一定に保つ特性を有する。

逆方向、降状現象

pn接合ダイオードに（　　　）電圧を加え、これを徐々に高くしていくと、ある値を超えたところで急激に大きな電流が流れる（　　　）現象を生じる。

逆方向、降状

可変容量ダイオードに（　　　）電圧を加えると、pn接合面付近の空乏層の厚みが変化することにより（　　　）が変化する。

逆方向、静電容量

バリスタは、（　　　　）特性が非直線的な変化を示す半導体素子であり、過電圧の抑制、衝撃性雑音の吸収などに用いられる。

電圧一電流

トンネルダイオードに（　　　）電流を流すと、トンネル効果により、ある電圧領域では電圧をかけるほど流れる電流量が少なくなるという（　　　）が現れる。

順方向、負性抵抗

ダイオードを用いた波形整形回路において、入力信号波形から、上の基準電圧以上と下の基準電圧以下を切り取り、中央部（上下の基準電圧の間に入る部分）の信号波形だけを取り出す回路は、（　　　）といわれる。

スライサ

トランジスタ増幅回路を接地方式により分類したとき、出力インピーダンスが最も大きく、入力インピーダンスが最も小さいものは（　　　）接地の増幅回路である。

ベース

トランジスタ回路は、接地方式の違いにより特性が異なっており、コレクタ接地方式は、入力インピーダンスが高く、出力インピーダンスが低いため、（　　　　）回路として用いられる。

インピーダンス変換

トランジスタによる増幅回路を構成する場合のバイアス回路は、トランジスタの（　　　）の設定を行うために必要な直流電流を供給するために用いられる。

動作点

トランジスタの電気的特性を表したものをトランジスタの（　　　　）という。主としてエミッタ接地方式のものが用いられる。

静特性

エミッタ接地方式において、ベース電流Ibを一定に保ったときのコレクタ電流Icと（　　　　　）との関係を示したものである。

コレクタ-エミッタ間の電圧Vce

エミッタ接地方式において、コレクタ-エミッタ間の電圧Vceを一定に保ったときのベース電流Ibと（　　　）との関係を示したものである。

コレクタ電流Ic

トランジスタの静特性の１つである電流伝達特性は、エミッタ接地方式において、コレクタ-エミッタ間の電圧Vceを一定に保ったときのベース電流Ibと（　　　　　）との関係を示したものである。

コレクタ電流Ic

トランジスタ回路にコンデンサを挿入し、（　　　　）をカットする方法があり、カップリング回路と呼ばれる。（直流から発生するノイズなどの影響を排除することができる。）

直流成分

トランジスタ増幅回路において出力信号を取り出す場合、（　　　）を通して直流成分をカットし、交流分のみ取り出す方法がある。

コンデンサ

トランジスタ増幅回路で出力信号を取り出す場合には、バイアス回路への影響がないようにコンデンサを通して（　　）のみを取り出す方法がある。

交流分

トランジスタには、バイポーラトランジスタの他にFET（電界効果トランジスタ）がある。FETはゲート（G）端子、ドレイン（D）端子、ソース（S）端子を持ち、スイッチング素子として用いられる。ゲート端子に加える電圧（ゲート電圧）でドレイン-ソース間の電流を制御することから、（　　　　　）といわれる。

電圧制御素子

FETには接合型とMOS型の2種類がある。 MOS型はさらに、デプレション型とエンハンスメント型に分かれる。デプレション型は、ゲートに電圧を加えなくても電流が流れる。エンハンスメント型は、ゲートに一定以上の電圧を加えたときに電流が流れる。 MOSは、（　　　）：Metal、（　　）：Oxide film、（　　　）：Semiconductorの3層から成る。

金属、酸化膜、半導体

接合型電界効果トランジスタは、（　　　）に加える電圧を変化させることにより空乏層の厚さを変化させ、ドレイン-ソース間を流れる電流を制御する半導体素子である。

ゲート分極

MOS型電界効果トランジスタは、ドレイン-ソース間を流れる電流を（　　　）の変化により制御できるので（　　　　）といわれる。

ゲート電圧、電圧制御素子

MOS型電界効果トランジスタは、（　　）、（　　　）および（　　）の3層からなり、（　　　）に加える電圧を変化させることにより反転層を変化させ、（　　　　）間を流れる電流を制御する半導体素子である。

金属、酸化膜、半導体、ゲート分極、ドレイン-ソース

MOS型電界効果トランジスタには、ゲート電圧を加えなくてもチャネルが形成される（　　　）型と、ゲート電圧を加えなければチャネルが形成されない（　　　　）型がある。

デプレション、エンハンスメント

記憶素子を構成する基本単位であるメモリセルが、MOSトランジスタ1個とコンデンサ1個から構成され、コンデンサに電荷があるときは1、電荷がないときは0として記憶される半導体メモリは、（　　　　）といわれる。

DRAM

総合種　基礎編　第3章

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総合種　法規編　第10章

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民法

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憲法　理解

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憲法　理解2

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憲法　理解　国民主権

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憲法　理解　人権総論　人権の分類と制度的保障

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行政法の基本構造

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行政法　行政規則

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行政法　行政行為

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不動産登記法

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測量士補

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測量士補2

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測量士補3

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測量士補3-2

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水準測量

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写真測量及びレーザー測量

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問題一覧

誘電分極

絶縁した（　　）に帯電体を近づけると、帯電体に近い表面に異種の電荷、遠い表面に同種の電荷が現れる現象を（　　　）という。

導体、静電誘導

帯電体Aの周囲を中空導体Bで覆い、Bを接地すると、Bの外部はAの電荷の影響を受けない。これは一般に（　　　）効果といわれる。

静電遮蔽

起電力、レンツ

（　　　）に当てはまるものを上から順に答えよ

誘導起電力、電流変化率

コイルに発生する起電力の比例定数を（　　　　　　）という。

コイルの自己インダクタンス

自己インダクタンスがLヘンリーのコイルの誘導性リアクタンスをXLオームとすると、XLの大きさは、コイルに流れる（　　　　）に比例する。

交流電流の周波数

2本の導線を平行に置いたときに、電流の方向が同じ場合には、（　　　）が働き、電流の方向が異なる場合には（　　　）が働く。

吸引力、反発力

平行に置かれた2本の電線に、互いに（　　　　）に直流電流を流すと、電線間において相互に（　　）する電磁力が発生する。

反対方向、反発

共振、共振周波数

抵抗とコンデンサの直列回路において、抵抗の値を2倍にし、コンデンサの静電容量の値を（　　）倍にすると、回路の時定数は6倍になる。

正電荷、負電荷

原子核の周りを負の電気を帯びた電子が回っており、最も外側を回っている電子を（　　）と呼ぶ。　　

価電子

半導体の性質を持つシリコンやゲルマニウムの元素は、（　　）の状態で安定して共有結合を起こしている。

4価

アモルファス

他の元素を含まない純粋な半導体を（　　　）という。

真性半導体

真性半導体に異なる元素を加えたものを（　　　　）という。

不純物半導体

（　　）が多数キャリアであるp形半導体と、（　　　）が多数キャリアであるn形半導体は、いずれも真性半導体に不純物を加えて作られる。

正孔、自由電子

リン、アンチモン、ヒ素、5価、n型半導体、ドナー

n型半導体では、（　　　）を多数キャリア、（　　）を少数キャリアと呼ぶ。

自由電子、正孔

半導体に不純物として、（　　　　）などの（　　）の元素を加えると、（　　）ができ、（　　　　）となる。

インジウム、3価、正孔、p型半導体

pn接合、ダイオード、pn接合、空乏層

自由電子または正孔に温度差があるとき、自由電子または正孔が濃度の高い方から低い方に移動する現象を（　　）と呼ぶ。

拡散

pn接合に外部から（　　）に電圧を印加すると、自由電子、正孔共に移動を始め、電流が流れる。

順方向

狭く、自由電子、ドリフト

pn接合部に外部から逆方向電圧を加えると、p型領域の多数キャリアである（　　）は、電源の（　　）極に引かれ空乏層が（　　）。

正孔、負、広がる

サイリスタはp形とn型の半導体を交互に２つ重ねたpnpnの4層構造を基本とした半導体（　　　　）素子であり、シリコン制御整流素子ともいわれる。

スイッチング

LEDは（　）を（　）に変換する機能を持ち、pn接合に（　　）電圧を加えると光を放出する半導体素子である。

電気、光、順方向

光、電気、逆方向

電子なだれ増倍現象、光検出器

電流増幅作用、低い電圧

逆方向、降状現象

逆方向、降状

可変容量ダイオードに（　　　）電圧を加えると、pn接合面付近の空乏層の厚みが変化することにより（　　　）が変化する。

逆方向、静電容量

バリスタは、（　　　　）特性が非直線的な変化を示す半導体素子であり、過電圧の抑制、衝撃性雑音の吸収などに用いられる。

電圧一電流

順方向、負性抵抗

スライサ

ベース

インピーダンス変換

動作点

トランジスタの電気的特性を表したものをトランジスタの（　　　　）という。主としてエミッタ接地方式のものが用いられる。

静特性

エミッタ接地方式において、ベース電流Ibを一定に保ったときのコレクタ電流Icと（　　　　　）との関係を示したものである。

コレクタ-エミッタ間の電圧Vce

エミッタ接地方式において、コレクタ-エミッタ間の電圧Vceを一定に保ったときのベース電流Ibと（　　　）との関係を示したものである。

コレクタ電流Ic

直流成分

トランジスタ増幅回路において出力信号を取り出す場合、（　　　）を通して直流成分をカットし、交流分のみ取り出す方法がある。

コンデンサ

交流分

電圧制御素子

金属、酸化膜、半導体

ゲート分極

MOS型電界効果トランジスタは、ドレイン-ソース間を流れる電流を（　　　）の変化により制御できるので（　　　　）といわれる。

ゲート電圧、電圧制御素子

金属、酸化膜、半導体、ゲート分極、ドレイン-ソース

デプレション、エンハンスメント

DRAM