中身がくり抜かれていない絶縁体に対し、正に帯電した導体を近づけたとき、絶縁体の表面において、この導体に近い側に負、遠い側に正の電荷が現れる現象は、（　　　）といわれる。

絶縁した（　　）に帯電体を近づけると、帯電体に近い表面に異種の電荷、遠い表面に同種の電荷が現れる現象を（　　　）という。

帯電体Aの周囲を中空導体Bで覆い、Bを接地すると、Bの外部はAの電荷の影響を受けない。これは一般に（　　　）効果といわれる。

コイルを貫く磁束が変化したとき、電磁誘導によってコイルに生ずる（　　）は、これによって生ずる電流の作る磁場が、与えられた磁束の変化を妨げるような向きに発生する。これは（　　　）の法則といわれる。

（　　　）に当てはまるものを上から順に答えよ

コイルに発生する起電力の比例定数を （　　　　　　）という。

自己インダクタンスがLヘンリーのコイルの誘導性リアクタンスをXLオームとすると、XLの大きさは、コイルに流れる （　　　　）に比例する。

2本の導線を平行に置いたときに、電流の方向が同じ場合には、（　　　）が働き、電流の方向が異なる場合には（　　　）が働く。

平行に置かれた2本の電線に、互いに （　　　　）に直流電流を流すと、電線間において相互に（　　）する電磁力が発生する。

回路にある周波数の交流電流が流れたときに、コイルの誘導性リアクタンスとコンデンサの容量性リアクタンスが打ち消し合ってインピーダンスのリアクタンス成分が0になる現象のことを（　　　）といい、このときの周波数を（　　　　）という。

抵抗とコンデンサの直列回路において、抵抗の値を2倍にし、コンデンサの静電容量の値を（　　）倍にすると、回路の時定数は6倍になる。

原子は全体として電気的に中性を保っている。何らかの原因により電子の数が不足した場合、（　　　）を帯びたイオンとなり、電子の数が多くなった場合は（　　　）を帯びたイオンとなる。

原子核の周りを負の電気を帯びた電子が回っており、最も外側を回っている電子を （　　）と呼ぶ。　　

半導体の性質を持つシリコンやゲルマニウムの元素は、（　　）の状態で安定して共有結合を起こしている。

半導体材料の構造には、原子が規則正しく配列している単結晶、原子の感覚や結合角度などが不規則である非晶質などがあり、非晶質は（　　　　）ともいわれる。

他の元素を含まない純粋な半導体を（　　　）という。

真性半導体に異なる元素を加えたものを （　　　　）という。

（　　）が多数キャリアであるp形半導体と、（　　　）が多数キャリアであるn形半導体は、いずれも真性半導体に不純物を加えて作られる。

半導体に不純物として（　　）、（　　） 、（　　）などの（　　）の元素を加えると、価電子が余り、（　　　　）となる。 このときに、半導体に電子を与える元素を （　　）と呼ぶ。

n型半導体では、（　　　）を多数キャリア、（　　）を少数キャリアと呼ぶ。

半導体に不純物として、（　　　　）などの（　　）の元素を加えると、（　　）ができ、（　　　　）となる。

n型半導体とp型半導体を合わせたものを　 （　　）とよび、これを利用したものに、（　　　）がある。（　　）では、p型半導体とn型半導体との間に、自由電子も正孔もない（　　　）という領域ができる。

自由電子または正孔に温度差があるとき、自由電子または正孔が濃度の高い方から低い方に移動する現象を（　　）と呼ぶ。

pn接合に外部から（　　）に電圧を印加すると、自由電子、正孔共に移動を始め、電流が流れる。

pn接合に外部から順方向電圧を加えると、空乏層が（　）なり、n型半導体の多数キャリアである（　　　）はp形半導体へ流れ込む。自由電子と正孔が流れる状態のことを（　　　）と呼ぶ。

pn接合部に外部から逆方向電圧を加えると、p型領域の多数キャリアである（　　）は、電源の（　　）極に引かれ空乏層が（　　）。

サイリスタはp形とn型の半導体を交互に２つ重ねたpnpnの4層構造を基本とした半導体（　　　　）素子であり、シリコン制御整流素子ともいわれる。

LEDは（　）を（　）に変換する機能を持ち、pn接合に（　　）電圧を加えると光を放出する半導体素子である。

フォトダイオードは（　）を（　）に変換する機能を持ち、（　　）電圧を加えたpn接合部に光を当てると光の強さに応じた電流を生ずる半導体素子である。

アバランシェフォトダイオードは、フォトダイオードの一種で、（　　　　　）による電流増幅作用を利用した受光素子である。（　　　）などに用いられる。

PINフォトダイオードは、フォトダイオードの一種で3層構造の受光素子である。 （　　　　）は持たず、アバランシェフォトダイオードと比較して（　　　）で動作する。

定電圧ダイオードは、（　　　）に加えた電圧が一定値を超えると、急激に電流が増加する（　　　）を生じ、広い電流範囲で電圧を一定に保つ特性を有する。

pn接合ダイオードに（　　　）電圧を加え、これを徐々に高くしていくと、ある値を超えたところで急激に大きな電流が流れる（　　　）現象を生じる。

可変容量ダイオードに（　　　）電圧を加えると、pn接合面付近の空乏層の厚みが変化することにより（　　　）が変化する。

バリスタは、（　　　　）特性が非直線的な変化を示す半導体素子であり、過電圧の抑制、衝撃性雑音の吸収などに用いられる。

トンネルダイオードに（　　　）電流を流すと、トンネル効果により、ある電圧領域では電圧をかけるほど流れる電流量が少なくなるという（　　　）が現れる。

ダイオードを用いた波形整形回路において、入力信号波形から、上の基準電圧以上と下の基準電圧以下を切り取り、中央部（上下の基準電圧の間に入る部分）の信号波形だけを取り出す回路は、（　　　）といわれる。

トランジスタ増幅回路を接地方式により分類したとき、出力インピーダンスが最も大きく、入力インピーダンスが最も小さいものは（　　　）接地の増幅回路である。

トランジスタ回路は、接地方式の違いにより特性が異なっており、コレクタ接地方式は、入力インピーダンスが高く、出力インピーダンスが低いため、（　　　　）回路として用いられる。

トランジスタによる増幅回路を構成する場合のバイアス回路は、トランジスタの （　　　）の設定を行うために必要な直流電流を供給するために用いられる。

トランジスタの電気的特性を表したものをトランジスタの（　　　　）という。主としてエミッタ接地方式のものが用いられる。

エミッタ接地方式において、ベース電流Ibを一定に保ったときのコレクタ電流Icと （　　　　　）との関係を示したものである。

エミッタ接地方式において、コレクタ-エミッタ間の電圧Vceを一定に保ったときのベース電流Ibと（　　　）との関係を示したものである。

トランジスタの静特性の１つである電流伝達特性は、エミッタ接地方式において、コレクタ-エミッタ間の電圧Vceを一定に保ったときのベース電流Ibと（　　　　　）との関係を示したものである。

トランジスタ回路にコンデンサを挿入し、（　　　　）をカットする方法があり、カップリング回路と呼ばれる。（直流から発生するノイズなどの影響を排除することができる。）

トランジスタ増幅回路において出力信号を取り出す場合、（　　　）を通して直流成分をカットし、交流分のみ取り出す方法がある。

トランジスタ増幅回路で出力信号を取り出す場合には、バイアス回路への影響がないようにコンデンサを通して（　　）のみを取り出す方法がある。

トランジスタには、バイポーラトランジスタの他にFET（電界効果トランジスタ）がある。FETはゲート（G）端子、ドレイン（D）端子、ソース（S）端子を持ち、スイッチング素子として用いられる。ゲート端子に加える電圧（ゲート電圧）でドレイン-ソース間の電流を制御することから、 （　　　　　）といわれる。

FETには接合型とMOS型の2種類がある。 MOS型はさらに、デプレション型とエンハンスメント型に分かれる。 デプレション型は、ゲートに電圧を加えなくても電流が流れる。 エンハンスメント型は、ゲートに一定以上の電圧を加えたときに電流が流れる。 MOSは、（　　　）：Metal、（　　）：Oxide film、（　　　）：Semiconductorの3層から成る。

接合型電界効果トランジスタは、（　　　）に加える電圧を変化させることにより空乏層の厚さを変化させ、ドレイン-ソース間を流れる電流を制御する半導体素子である。

MOS型電界効果トランジスタは、ドレイン-ソース間を流れる電流を（　　　）の変化により制御できるので（　　　　）といわれる。

MOS型電界効果トランジスタは、（　　）、（　　　）および（　　）の3層からなり、（　　　）に加える電圧を変化させることにより反転層を変化させ、 （　　　　）間を流れる電流を制御する半導体素子である。

MOS型電界効果トランジスタには、ゲート電圧を加えなくてもチャネルが形成される（　　　）型と、ゲート電圧を加えなければチャネルが形成されない（　　　　）型がある。