問題一覧
1
穴埋めせよ。
伝導, 励起子, 禁止, 価電子, 励起, 基底, 活性化中心
2
無機シンチの検出原理 1.（）にエネルギーが付与される。 2.電子が（）を経て（）の（）準位に移行する。 3.その電子が（）準位に遷移する。 4.（）が放出される。 ※純粋な結晶では、（）の（）が大きく、（）が放出されないため、（）を添加する。
価電子帯の電子, 伝導帯, 活性化中心, 励起, 基底, 可視光, 禁止帯, エネルギーギャップ, 可視光, 不純物（活性化物質、アクチベータ）
3
NaI（Tl）について、密度（g/cm^3）、蛍光減衰時間（nsec）、最大波長（nm）、NaI（Tl）を100とした時の蛍光効率を答えよ。
3.7, 230, 415, 100
4
CsI（Tl）について、密度（g/cm^3）、蛍光減衰時間（nsec）、最大波長（nm）、NaI（Tl）を100とした時の蛍光効率を答えよ。
4.5, 1000, 530, 50
5
CsI（Na）密度（g/cm^3）、蛍光減衰時間（nsec）、最大波長（nm）、NaI（Tl）を100とした時の蛍光効率を答えよ。
4.5, 640, 420, 80
6
LiI（Eu）密度（g/cm^3）、蛍光減衰時間（nsec）、最大波長（nm）、NaI（Tl）を100とした時の蛍光効率を答えよ。
4, 1200, 440, 70
7
BGOの密度（g/cm^3）、蛍光減衰時間（nsec）、最大波長（nm）、NaI（Tl）を100とした時の蛍光効率を答えよ。
7, 300, 530, 16
8
CdWO4の密度（g/cm^3）、蛍光減衰時間（nsec）、最大波長（nm）、NaI（Tl）を100とした時の蛍光効率を答えよ。
8, 1100, 470, 20
9
ZnS（Ag）密度（g/cm^3）、蛍光減衰時間（nsec）、最大波長（nm）、NaI（Tl）を100とした時の蛍光効率を答えよ。
4, 70, 450, 130
10
対応放射線種及び特徴を挙げよ。 NaI（Tl） CsI（Tl） CsI（Na） LiI（Eu） BGO CdWO4 ZnS（Ag）
γ線、潮解性、高エネルギー分解能, α線、γ線, α線、γ線、吸湿性, γ線、中性子、潮解性, γ線、高検出効率、加工が容易, γ線, α線、中性子、微結晶粉末
11
有機シンチレータの3つの分類を挙げよ。
結晶単体, 液体シンチレータ, プラスチックシンチレータ
12
液体シンチレータを構成するものを3つ挙げよ。
第1溶質, 第2溶質, 溶媒
13
液体シンチレータの第1溶質として用いられるものを挙げよ。
パラターフェニル, ジフェニルオキサゾール（PPO）, butyl-PBD
14
液体シンチレータの第2溶質として用いられるものを挙げよ。
ジメチルフェニルオキサゾリルベンゼン（DMPOPOP）, フェニルオキサゾリルベンゼン（POPOP）
15
液体シンチレータの溶媒として用いられるものを挙げよ。
トルエン, キシレン
16
液体シンチレータの第2溶質は（）と呼ばれる。
波長シフタ
17
プラスチックシンチレータは（）を（）等に溶かし込んだものである。
溶質, ポリスチレン
18
アントラセンの密度（g/cm^3）、最大波長（nm）、蛍光減衰時間（nsec）、アントラセンを100としたときの蛍光効率を答えよ。
1.25, 440, 30, 100
19
スチルベンの密度（g/cm^3）、最大波長（nm）、蛍光減衰時間（nsec）、アントラセンを100としたときの蛍光効率を答えよ。
1.15, 410, 4.5, 60
20
対応放射線種及び特徴を挙げよ。 アントラセン スチルベン
α線、β線、昇華性, α線、β線
21
有機シンチレータの光変換効率は無機シンチレータより（）。
低い
22
シンチレータの使用例 アナログ増感紙フィルタ系 レギュラーフィルム: オキソフィルム、FPD: 間接撮影用蛍光板 硫化物蛍光板: 希土類蛍光板: I.I 入力面: 出力面:
CaWO4, Gd2O2S:Tb, （Zn、Cd）S:Ag, Gd2O2S:Tb, CsI（Na）, （Zn、Cd）S:Ag
23
シンチレータの使用例 IP: FPD（間接）:2つ CT:3つ ガンマカメラ: PETカメラ:4つ 熱中性子の検出:
BaFX:Eu^2+ （X:Cl、Br、I）, CsI（Tl）、Gd2O2S:Tb, CdWO4、Gd2O2S:Pr,Ce、（Y,Gd）2O3:Eu, NaI（Tl）, BGO、LSO、GSO、NaI（Tl）, LiI（Eu）
24
穴埋めせよ。
価電子帯, 空乏層, 伝導帯
25
Siの密度（g/cm^3）、バンドギャップ（eV）、ε値（eV）、適応放射線種を答えよ。
2.3, 1.1, 3.8, γ線、β線
26
Geの密度（g/cm^3）、バンドギャップ（eV）、ε値（eV）、適応放射線種、特徴を答えよ。
5.3, 0.7, 3.0, γ線, 使用時に冷却
27
CdTeの密度（g/cm^3）、バンドギャップ（eV）、ε値（eV）、特徴を答えよ。
6, 1.5, 4.4, 常温で使用可能
28
CdZnTeの密度（g/cm^3）、バンドギャップ（eV）、ε値（eV）、特徴を答えよ。
6.0, 1.54, 1.53, 常温で使用可能
29
表面障壁型半導体検出器は（）ため、（）の検出に優れる。
入射表面が非常に薄い, α線
30
Ge（Li）は（）で（）のため、（）検出に適する。
高密度, 高原子番号, 光子
31
Si（Li）は（）で（）のため、（）や（）の検出に適する。
低密度, 低原子番号, 低エネルギー光子, β線
32
リチウムドリフト型半導体検出器は基本的に（）だが、Si（Li）は（）が可能とも言われる。
常時冷却が必要, 室温保存
33
半導体検出器の特性 ・エネルギー分解能はシンチレータの（）倍程良い。 ・時間分解能は気体検出器の（）倍程度。
数十, 1000
34
半導体検出器の欠点を挙げよ。
放射線損傷による性能劣化がある, 寿命が短い, 雑音が大きい, 大型の検出機ができない
35
高純度Ge半導体 （）計測専用 （）保管可能
γ線, 室温
36
pn接合型半導体は（）とよく似た性質を持つ。
表面障壁型半導体