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シンチレータ/半導体検出器 36%
  • あかずの

  • 問題数 36 • 6/11/2023

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    問題一覧

  • 1

    穴埋めせよ。

    伝導, 励起子, 禁止, 価電子, 励起, 基底, 活性化中心

  • 2

    無機シンチの検出原理 1.()にエネルギーが付与される。 2.電子が()を経て()の()準位に移行する。 3.その電子が()準位に遷移する。 4.()が放出される。 ※純粋な結晶では、()の()が大きく、()が放出されないため、()を添加する。

    価電子帯の電子, 伝導帯, 活性化中心, 励起, 基底, 可視光, 禁止帯, エネルギーギャップ, 可視光, 不純物(活性化物質、アクチベータ)

  • 3

    NaI(Tl)について、密度(g/cm^3)、蛍光減衰時間(nsec)、最大波長(nm)、NaI(Tl)を100とした時の蛍光効率を答えよ。

    3.7, 230, 415, 100

  • 4

    CsI(Tl)について、密度(g/cm^3)、蛍光減衰時間(nsec)、最大波長(nm)、NaI(Tl)を100とした時の蛍光効率を答えよ。

    4.5, 1000, 530, 50

  • 5

    CsI(Na)密度(g/cm^3)、蛍光減衰時間(nsec)、最大波長(nm)、NaI(Tl)を100とした時の蛍光効率を答えよ。

    4.5, 640, 420, 80

  • 6

    LiI(Eu)密度(g/cm^3)、蛍光減衰時間(nsec)、最大波長(nm)、NaI(Tl)を100とした時の蛍光効率を答えよ。

    4, 1200, 440, 70

  • 7

    BGOの密度(g/cm^3)、蛍光減衰時間(nsec)、最大波長(nm)、NaI(Tl)を100とした時の蛍光効率を答えよ。

    7, 300, 530, 16

  • 8

    CdWO4の密度(g/cm^3)、蛍光減衰時間(nsec)、最大波長(nm)、NaI(Tl)を100とした時の蛍光効率を答えよ。

    8, 1100, 470, 20

  • 9

    ZnS(Ag)密度(g/cm^3)、蛍光減衰時間(nsec)、最大波長(nm)、NaI(Tl)を100とした時の蛍光効率を答えよ。

    4, 70, 450, 130

  • 10

    対応放射線種及び特徴を挙げよ。 NaI(Tl) CsI(Tl) CsI(Na) LiI(Eu) BGO CdWO4 ZnS(Ag)

    γ線、潮解性、高エネルギー分解能, α線、γ線, α線、γ線、吸湿性, γ線、中性子、潮解性, γ線、高検出効率、加工が容易, γ線, α線、中性子、微結晶粉末

  • 11

    有機シンチレータの3つの分類を挙げよ。

    結晶単体, 液体シンチレータ, プラスチックシンチレータ

  • 12

    液体シンチレータを構成するものを3つ挙げよ。

    第1溶質, 第2溶質, 溶媒

  • 13

    液体シンチレータの第1溶質として用いられるものを挙げよ。

    パラターフェニル, ジフェニルオキサゾール(PPO), butyl-PBD

  • 14

    液体シンチレータの第2溶質として用いられるものを挙げよ。

    ジメチルフェニルオキサゾリルベンゼン(DMPOPOP), フェニルオキサゾリルベンゼン(POPOP)

  • 15

    液体シンチレータの溶媒として用いられるものを挙げよ。

    トルエン, キシレン

  • 16

    液体シンチレータの第2溶質は()と呼ばれる。

    波長シフタ

  • 17

    プラスチックシンチレータは()を()等に溶かし込んだものである。

    溶質, ポリスチレン

  • 18

    アントラセンの密度(g/cm^3)、最大波長(nm)、蛍光減衰時間(nsec)、アントラセンを100としたときの蛍光効率を答えよ。

    1.25, 440, 30, 100

  • 19

    スチルベンの密度(g/cm^3)、最大波長(nm)、蛍光減衰時間(nsec)、アントラセンを100としたときの蛍光効率を答えよ。

    1.15, 410, 4.5, 60

  • 20

    対応放射線種及び特徴を挙げよ。 アントラセン スチルベン

    α線、β線、昇華性, α線、β線

  • 21

    有機シンチレータの光変換効率は無機シンチレータより()。

    低い

  • 22

    シンチレータの使用例 アナログ増感紙フィルタ系 レギュラーフィルム: オキソフィルム、FPD: 間接撮影用蛍光板 硫化物蛍光板: 希土類蛍光板: I.I 入力面: 出力面:

    CaWO4, Gd2O2S:Tb, (Zn、Cd)S:Ag, Gd2O2S:Tb, CsI(Na), (Zn、Cd)S:Ag

  • 23

    シンチレータの使用例 IP: FPD(間接):2つ CT:3つ ガンマカメラ: PETカメラ:4つ 熱中性子の検出:

    BaFX:Eu^2+ (X:Cl、Br、I), CsI(Tl)、Gd2O2S:Tb, CdWO4、Gd2O2S:Pr,Ce、(Y,Gd)2O3:Eu, NaI(Tl), BGO、LSO、GSO、NaI(Tl), LiI(Eu)

  • 24

    穴埋めせよ。

    価電子帯, 空乏層, 伝導帯

  • 25

    Siの密度(g/cm^3)、バンドギャップ(eV)、ε値(eV)、適応放射線種を答えよ。

    2.3, 1.1, 3.8, γ線、β線

  • 26

    Geの密度(g/cm^3)、バンドギャップ(eV)、ε値(eV)、適応放射線種、特徴を答えよ。

    5.3, 0.7, 3.0, γ線, 使用時に冷却

  • 27

    CdTeの密度(g/cm^3)、バンドギャップ(eV)、ε値(eV)、特徴を答えよ。

    6, 1.5, 4.4, 常温で使用可能

  • 28

    CdZnTeの密度(g/cm^3)、バンドギャップ(eV)、ε値(eV)、特徴を答えよ。

    6.0, 1.54, 1.53, 常温で使用可能

  • 29

    表面障壁型半導体検出器は()ため、()の検出に優れる。

    入射表面が非常に薄い, α線

  • 30

    Ge(Li)は()で()のため、()検出に適する。

    高密度, 高原子番号, 光子

  • 31

    Si(Li)は()で()のため、()や()の検出に適する。

    低密度, 低原子番号, 低エネルギー光子, β線

  • 32

    リチウムドリフト型半導体検出器は基本的に()だが、Si(Li)は()が可能とも言われる。

    常時冷却が必要, 室温保存

  • 33

    半導体検出器の特性 ・エネルギー分解能はシンチレータの()倍程良い。 ・時間分解能は気体検出器の()倍程度。

    数十, 1000

  • 34

    半導体検出器の欠点を挙げよ。

    放射線損傷による性能劣化がある, 寿命が短い, 雑音が大きい, 大型の検出機ができない

  • 35

    高純度Ge半導体 ()計測専用 ()保管可能

    γ線, 室温

  • 36

    pn接合型半導体は()とよく似た性質を持つ。

    表面障壁型半導体

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