シンチレータ/半導体検出器　36%

36問 • 2年前

問題一覧

穴埋めせよ。

伝導, 励起子, 禁止, 価電子, 励起, 基底, 活性化中心

無機シンチの検出原理 1.（）にエネルギーが付与される。 2.電子が（）を経て（）の（）準位に移行する。 3.その電子が（）準位に遷移する。 4.（）が放出される。 ※純粋な結晶では、（）の（）が大きく、（）が放出されないため、（）を添加する。

価電子帯の電子, 伝導帯, 活性化中心, 励起, 基底, 可視光, 禁止帯, エネルギーギャップ, 可視光, 不純物（活性化物質、アクチベータ）

NaI（Tl）について、密度（g/cm^3）、蛍光減衰時間（nsec）、最大波長（nm）、NaI（Tl）を100とした時の蛍光効率を答えよ。

3.7, 230, 415, 100

CsI（Tl）について、密度（g/cm^3）、蛍光減衰時間（nsec）、最大波長（nm）、NaI（Tl）を100とした時の蛍光効率を答えよ。

4.5, 1000, 530, 50

CsI（Na）密度（g/cm^3）、蛍光減衰時間（nsec）、最大波長（nm）、NaI（Tl）を100とした時の蛍光効率を答えよ。

4.5, 640, 420, 80

LiI（Eu）密度（g/cm^3）、蛍光減衰時間（nsec）、最大波長（nm）、NaI（Tl）を100とした時の蛍光効率を答えよ。

4, 1200, 440, 70

BGOの密度（g/cm^3）、蛍光減衰時間（nsec）、最大波長（nm）、NaI（Tl）を100とした時の蛍光効率を答えよ。

7, 300, 530, 16

CdWO4の密度（g/cm^3）、蛍光減衰時間（nsec）、最大波長（nm）、NaI（Tl）を100とした時の蛍光効率を答えよ。

8, 1100, 470, 20

ZnS（Ag）密度（g/cm^3）、蛍光減衰時間（nsec）、最大波長（nm）、NaI（Tl）を100とした時の蛍光効率を答えよ。

4, 70, 450, 130

対応放射線種及び特徴を挙げよ。 NaI（Tl） CsI（Tl） CsI（Na） LiI（Eu） BGO CdWO4 ZnS（Ag）

γ線、潮解性、高エネルギー分解能, α線、γ線, α線、γ線、吸湿性, γ線、中性子、潮解性, γ線、高検出効率、加工が容易, γ線, α線、中性子、微結晶粉末

有機シンチレータの3つの分類を挙げよ。

結晶単体, 液体シンチレータ, プラスチックシンチレータ

液体シンチレータを構成するものを3つ挙げよ。

第1溶質, 第2溶質, 溶媒

液体シンチレータの第1溶質として用いられるものを挙げよ。

パラターフェニル, ジフェニルオキサゾール（PPO）, butyl-PBD

液体シンチレータの第2溶質として用いられるものを挙げよ。

ジメチルフェニルオキサゾリルベンゼン（DMPOPOP）, フェニルオキサゾリルベンゼン（POPOP）

液体シンチレータの溶媒として用いられるものを挙げよ。

トルエン, キシレン

液体シンチレータの第2溶質は（）と呼ばれる。

波長シフタ

プラスチックシンチレータは（）を（）等に溶かし込んだものである。

溶質, ポリスチレン

アントラセンの密度（g/cm^3）、最大波長（nm）、蛍光減衰時間（nsec）、アントラセンを100としたときの蛍光効率を答えよ。

1.25, 440, 30, 100

スチルベンの密度（g/cm^3）、最大波長（nm）、蛍光減衰時間（nsec）、アントラセンを100としたときの蛍光効率を答えよ。

1.15, 410, 4.5, 60

対応放射線種及び特徴を挙げよ。アントラセンスチルベン

α線、β線、昇華性, α線、β線

有機シンチレータの光変換効率は無機シンチレータより（）。

低い

シンチレータの使用例アナログ増感紙フィルタ系レギュラーフィルム: オキソフィルム、FPD: 間接撮影用蛍光板硫化物蛍光板: 希土類蛍光板: I.I 入力面: 出力面:

CaWO4, Gd2O2S:Tb, （Zn、Cd）S:Ag, Gd2O2S:Tb, CsI（Na）, （Zn、Cd）S:Ag

シンチレータの使用例 IP: FPD（間接）:2つ CT:3つガンマカメラ: PETカメラ:4つ熱中性子の検出:

BaFX:Eu^2+ （X:Cl、Br、I）, CsI（Tl）、Gd2O2S:Tb, CdWO4、Gd2O2S:Pr,Ce、（Y,Gd）2O3:Eu, NaI（Tl）, BGO、LSO、GSO、NaI（Tl）, LiI（Eu）

穴埋めせよ。

価電子帯, 空乏層, 伝導帯

Siの密度（g/cm^3）、バンドギャップ（eV）、ε値（eV）、適応放射線種を答えよ。

2.3, 1.1, 3.8, γ線、β線

Geの密度（g/cm^3）、バンドギャップ（eV）、ε値（eV）、適応放射線種、特徴を答えよ。

5.3, 0.7, 3.0, γ線, 使用時に冷却

CdTeの密度（g/cm^3）、バンドギャップ（eV）、ε値（eV）、特徴を答えよ。

6, 1.5, 4.4, 常温で使用可能

CdZnTeの密度（g/cm^3）、バンドギャップ（eV）、ε値（eV）、特徴を答えよ。

6.0, 1.54, 1.53, 常温で使用可能

表面障壁型半導体検出器は（）ため、（）の検出に優れる。

入射表面が非常に薄い, α線

Ge（Li）は（）で（）のため、（）検出に適する。

高密度, 高原子番号, 光子

Si（Li）は（）で（）のため、（）や（）の検出に適する。

低密度, 低原子番号, 低エネルギー光子, β線

リチウムドリフト型半導体検出器は基本的に（）だが、Si（Li）は（）が可能とも言われる。

常時冷却が必要, 室温保存

半導体検出器の特性・エネルギー分解能はシンチレータの（）倍程良い。・時間分解能は気体検出器の（）倍程度。

数十, 1000

半導体検出器の欠点を挙げよ。

放射線損傷による性能劣化がある, 寿命が短い, 雑音が大きい, 大型の検出機ができない

高純度Ge半導体（）計測専用（）保管可能

γ線, 室温

pn接合型半導体は（）とよく似た性質を持つ。

表面障壁型半導体

ICRP勧告

あかずの · 21問 · 2年前

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