絶対零度ではキャリアは存在しない

pn接合が生成されると電位障壁が形成される

真性半導体に微量のヒ素を混入するとn型半導体となる。

n型半導体のFerumi〈フェルミ〉準位は禁制帯中の伝導帯に近い位置となる。

温度が上昇すると半導体の抵抗値は低くなる

n型半導体の多数キャリアは電子である。

真性半導体には電子と正孔が同数存在する

純度の高い材料は微量の不純物によって導電率が変化する

半導体は光照射によって抵抗率が悪くなる。

半導体への微量不純物の添加量が増えると抵抗率が低くなる

室温中のドナー原子は正イオンになる。

真性半導体のフェルミ準位は禁制帯の中央に位置する。

フェルミ準位が禁制帯の上方に位置するほど電子は多い。

pn接合の熱平衡状態では各領域のフェルミ準位は一致する。

pn接合の逆方向バイアスでは少数キャリアが接合面を通過する

琥珀は絶縁体(不導体)である

銀は鉄よりも抵抗率が小さい。

金属導体の電気抵抗は断面積に反比例する

半導体は温度上昇によって抵抗値が低下する

単体の金属導体は温度上昇によって抵抗値が高くなる

p型半導体の多数キャリアは正孔である。

n型半導体の不純物はドナーである。

SiにAsを加えた半導体はn型半導体である

pn接合の空乏層には自由なキャリアが存在しない

半導体の抵抗率（比抵抗）の大きさは10⁻⁴ Ωmから10⁶ Ωm程度である

磁界によってホール効果が現れる

pn接合ダイオードは交流を直流に変換するのに用いられる

pn接合ダイオードは整流作用によって一方向に電流が流れる

ツェナーダイオードは逆方向で電圧が一定になることを利用する

逆方向バイアスではp型にマイナスの、n型にプラスの電圧を加える。

降伏現象にはトンネル効果による（ 1 ）降伏と電子なだれによる（ 2 ）降伏が

半導体は温度が上昇すると導電率が大きくなる

n型半導体の不純物はアクセプタである。

pn接合の空乏層には自由電子が存在しない。

半導体の抵抗率の大きさは10⁻⁴ Ωmから10⁶ Ωm程度である(国家試験)

ツェナーダイオードは（ ）回路に用いられる。

可変容量ダイオード（バリキャップダイオード）は空乏層が（ ）と同様の役割を果たし、逆電圧によりその容量が変化することを利用している

n型半導体の多数キャリアは正孔である

半導体はホール効果を示す

最も外側の価電子の存在する準位は充満帯である。

IGBTはバイポーラトランジスタと比較してスイッチング速度が遅い。

トランジスタのベース接地電流増幅率は1より大きい

p型半導体の多数キャリアは電子である。

ペルチェ効果とは熱起電力が発生する現象である

ショットキー障壁とは金属と半導体の接合による整流作用である。

アクセプタの正孔とドナーの電子が持つエネルギー準位を不純物準位という。

IGBTはMOSFETとバイポーラトランジスタを組み合わせた構造である

IGBTはMOSFETと比較してオン抵抗が小さい

FETは電子、正孔の2つのキャリアで動作する。

MOSFETにはエンハンスメント型とデプレッション型がある

室温中のドナー原子は負イオンになる。

真性半導体のフェルミ準位は（ ）に位置する。

フェルミ準位が禁制帯の下方に位置するほど電子は多い。

pn接合の熱平衡状態では各領域のフェルミ準位は一致する。

pn接合の逆方向バイアスでは多数キャリアが接合面を通過する

半導体は光照射によって抵抗率が高くなる

p型半導体のフェルミ準位は禁制帯中の伝導帯に近い位置となる。

変圧器の損失で正しいのはどれか。2つ選べ。

変圧器の説明で誤っているのはどれか。

ヒステリシス曲線のBrは（ ）である

永久磁石にはHcの（ ）材料が適している

Brが（ ）ほど強い永久磁石である

電磁石の鉄心にはHcの（ ）材料が適している

発生する熱エネルギーはループ面積に（ ）する

電磁石の鉄心にはループ面積の（ ）材料が適している

変圧器の電圧と負荷電流が一定のとき、周波数を高くすると銅損は変化しないが鉄損は（ ）する。

変圧器の銅損は負荷率の（ ）に比例する

変圧器の鉄損と銅損が等しいとき効率は（ ）となる。

変圧器の無負荷損は（ ）を開放したときの消費電力である

変圧器の渦電流損は、周波数が一定のとき（ 1 ）の（ 2 ）に比例する。

変圧器のヒステリシス損は、電圧が一定のとき周波数に（ ）する

半導体ダイオードで正しいのはどれか

pn接合ダイオードで正しいのはどれか。2つ選べ。

半導体について正しいのはどれか。

銀は鉄よりも抵抗率が大きい。

導体で正しいのはどれか

エサキダイオードは（ ）効果を利用したダイオードである

n型半導体に加える不純物として正しいのはどれか。

n型半導体に用いられる不純物で誤っているのはどれか2つ選べ

p型半導体のアクセプタ原子として誤っているのはどれか。

JFET（接合型電界効果トランジスタ）はデプレッション型のみである

MOSFETは（ ）によって破壊されやすい

MOSFETは静電誘導を利用しているため、JFETに比べて入力インピーダンスは（ ）い

バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタに関する記述として誤っているのはどれか

電界効果トランジスタに関する記述として誤っているのはどれか。

変圧器のヒステリシス損は、（ 1 ）一定のとき（ 2 ）ほど小さくなる

半導体の抵抗率は（ 1 ）〜（ 2 ）である(電子工学の授業で習った値)

電流の方向とその大きさを制御するために用いられる、電流を少し流す物質をなんというか。

半導体中の電子の流れは、（ 1 ）を変化させるか半導体に（ 2 ）を入れることにより制御できる。（番号順に答えよ）

導体は温度が高くなると抵抗率は（ ）する

半導体や絶縁体は温度が高くなると抵抗率は（ ）する

真性半導体ではフェルミ準位は禁制帯の（ ）に位置する。

n型半導体では、不純物の添加により（ 1 ）が多めに存在するため、フェルミ準位が禁制帯の中央から（ 2 ）よりにシフトする。

p型半導体では、不純物の添加により（ 1 ）が多めに存在するため、フェルミ準位が禁制帯の中央から（ 2 ）よりにシフトする。

1つの半導体結晶の中でp型とn型の性質を持つ2つの領域が、その境を接している状態をなんというか。

順方向バイアス時のpn接合では、p型に（ 1 ）、n型に（ 2 ）を接続する。

逆方向バイアス時のpn接合では、p型に（ 1 ）、n型に（ 2 ）を接続する

逆方向バイアス時のpn接合では、接合面にキャリアが存在しない領域である（ ）ができる

逆方向バイアス時のpn接合において、逆方向電圧を大きくしていくとある電圧で急に逆方向電流が増大する現象をなんというか