電子回路期末

41問 • 2年前

おもち

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問題一覧

逆方向に繰り返し加えることのできる電圧の最大値(Vrm)

せん頭逆電圧

逆方向に連続的に加えることのできる電圧の最大値(Vr)

逆電圧

順方向に流すことの出来る過渡的な電流の最大値(IFSM)

サージ電流

抵抗負荷の半波整流回路で流せる電流の最大値(I0)

平均整流電流

単結晶半導体(ペレット)に金属針を押し付けた構造をもつダイオード

点接触ダイオード

可変容量ダイオードの別名

バラクタダイオード

定電圧ダイオードの別名

ツェナーダイオード

定電圧ダイオードで逆電流Vrを大きくしていくと、ある電圧で急激に電流が流れ始める。この電圧を降伏電圧、または○○という。

ツェナー電圧

p形 i n形何ダイオード

pinダイオード

順方向に電流を流すと、結合面付近の自由電子と正孔が再結晶して消滅する。そのとき光が発生し、その光の強さは電流の大きさに比例する。ダイオードとは

発光ダイオード

RGBが発光できるダイオード

フルカラー発光ダイオード

p形活性層 n形何ダイオード

レーザダイオード

光を電気信号に変える素子。何ダイオード

フォトダイオード

フォトダイオードが作る起電力のこと

光起電力

トランジスタの3つの端子(頭文字英語)

C, B, E

トランジスタの3つの端子(カタカナ) (スペース)

コレクタ, エミッタ, ベース

小さな信号を電子回路に通して大きな信号として取り出すこと

増幅

hfeとは

直流電流増幅率

hfeの単位

なし

オン、オフの状態を作る作用

スイッチング作用

FETの3つの端子(頭文字英語)

D, G, S

FETの3つの端子(カタカナ)

ソース, ドレーン, ゲート

ベース電流によってコレクタ電流を制御する

電流制御形

ゲート電圧によってドレーン電流を制御する

電圧制御形

FETを大別すると○○形FETと○○形FETの2種類に分けれる。

接合, MOS

MOS FETは○○形と○○形に分けれる。

エンハンスメント, デプレション

電流の通り道 2つ

pチャネル, nチャネル

MOSのMとは(カナカナ)

メタル

MOSのOとは(カナカナ)

オキシド

MOSのSとは(カナカナ)

セミコンダクタ

接合形FETで空乏層がチャネルを完全に塞ぎ、電流が流れなくなった電圧を○○(vp)という。

ピンチオフ電圧

Vgs-Idの特性。逆方向電圧のVgsが大きくなるとIdは減少するこの特性の傾きとは

相互コンダクタンス

上昇出来ずに一定値で留まる領域

飽和領域

MOS FETでIdが流れ始める電圧とは

しきい値電圧

p形 n形 p形 n形何

サイリスタ

サイリスタでa,k間に電流が流れること

ターンオン

サイリスタでVakが0になった時

ターンオフ

受光センサとして使われることが多いトランジスタ

フォトトランジスタ

自動点滅器などに利用する

光導電セル

磁気や電流の検出に利用する

ホール素子

温度計などに利用する

サーミスタ

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RGBが発光できるダイオード

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光起電力

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C, B, E

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小さな信号を電子回路に通して大きな信号として取り出すこと

増幅

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直流電流増幅率

hfeの単位

なし

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スイッチング作用

FETの3つの端子(頭文字英語)

D, G, S

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ソース, ドレーン, ゲート

ベース電流によってコレクタ電流を制御する

電流制御形

ゲート電圧によってドレーン電流を制御する

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FETを大別すると○○形FETと○○形FETの2種類に分けれる。

接合, MOS

MOS FETは○○形と○○形に分けれる。

エンハンスメント, デプレション

電流の通り道 2つ

pチャネル, nチャネル

MOSのMとは(カナカナ)

メタル

MOSのOとは(カナカナ)

オキシド

MOSのSとは(カナカナ)

セミコンダクタ

接合形FETで空乏層がチャネルを完全に塞ぎ、電流が流れなくなった電圧を○○(vp)という。

ピンチオフ電圧

Vgs-Idの特性。逆方向電圧のVgsが大きくなるとIdは減少するこの特性の傾きとは

相互コンダクタンス

上昇出来ずに一定値で留まる領域

飽和領域

MOS FETでIdが流れ始める電圧とは

しきい値電圧

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サイリスタ

サイリスタでa,k間に電流が流れること

ターンオン

サイリスタでVakが0になった時

ターンオフ

受光センサとして使われることが多いトランジスタ

フォトトランジスタ

自動点滅器などに利用する

光導電セル

磁気や電流の検出に利用する

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サーミスタ

電子回路 期末

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