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⑥半導体メモリ

⑥半導体メモリ
11問 • 2年前
  • 安井謙太郎
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    問題一覧

  • 1

    ①主記憶装置を複数の区画(バンク)に分け,連続するアドレスの内容を並列アクセスすることで,アクセスの高速化を図る方式です。

    メモリインタリーブ

  • 2

    ①キャッシュメモリと主記値の両方を書き込む方式。常にキャッシュメモリと記憶の内容が一致するため、一貫性が保たれる。主記記憶へのアクセスが頻繁に発生するため低速。 ②キャッシュメモリだけ書き込み、主記憶にはデータがキャッシュメモリから追い出されるときに書き込む方式。キャッシュメモリと主記憶の内容が一致しまいため,一貫性を保つための制御が複雑になる。主記憶へのアクセスが減るため高速

    ライトスルー方式, ライトバック方式

  • 3

    主記憶のアクセス時間とCPUの処理時間の差が大きい場合は、①、②と多レベルのキャッシュ構成にするとより効果が上がります。 CPUがアクセスする順番によって名称が付けられ、CPUは①,②,主記憶の順にアクセスします。L1キャッシュ,L2キャッシュとも呼ばれます。

    1次キャッシュ, 2次キャッシュ

  • 4

    アクセスするデータは,キャッシュメモリか主記憶のどちらかに存在します。①は、アクセスするデータがキャッシュメモリに存在する確率です。 なお、アクセスするデータが主記憶に存在する確率(キャッシュメモリに存在しない確率)を,②と呼ぶこともあります。 キャッシュメモリを使った実効アクセス時間=キャッシュメモリのアクセス時間×①+主記憶のアクセス時間×(1ー①)

    ヒット率, NTF

  • 5

    ①主記憶よりも高速で,CPUと主記憶の間に配置するメモリです。 高速なキャッシュメモリをこれらの間に配置して、主記慣から読み出したデータを①に保持し、CPUが後で同じデータを読み出すときは、高速な①から読み出すことで、②の短縮を図っています。

    キャッシュメモリ, 実効アクセス時間

  • 6

    ROMは本来,読出し専用のメモリですが、利用者が書き込める①も登場しています。 ②製造時に書き込まれた後は,利用者は書き込めない ③紫外線照射で全消去できる ④電圧をかけて部分消去できる。消去・書込みは1バイト単位で可能 ⑤電圧をかけて全消去・部分消去できる。書替えは、ブロック単位で消去後に書き込む

    PROM, マスクROM, UV-EPROM, EEPROM, フラッシュメモリ

  • 7

    二つの安定した状態をもち、1ビットの情報を記録する回路です。SRAMの記憶セルに用いられています。

    フリップフロップ回路

  • 8

    ①コンデンサに電荷を備えた状態か否かによって1ビットを表現しています。構造が簡単で高集積化に適しているため,SRAMに比べて大容量で安価です。ただし、コンデンサは放置しておくと自然放電してしまう特性があり、一定時間ごとに記憶内容を維持する②(再書込み)が必要になります。主記憶に用いられています。

    DRAM, リフレッシュ動作

  • 9

    ①本来は、読み出し専用のメモリです。最近は、利用者が書き込めるものも登場しています。電源を切っても記憶していた内容が消えない特性(②)があります。

    ROM, 不揮発性

  • 10

    ①読み書きできるメモリです。電源を切ると記憶していた内容が消えてしまう特性(②)があります。

    RAM, 揮発性

  • 11

    ①フリップフロップ回路で構成され高速ですが、構造が複雑で集積度を高めにくいため、DRAMに比べて小容量で高価です。電源が供給されている限り,記憶内容を保持し続けるため,②が不要になります。キャッシュメモリなどに用いられています。

    SRAM, リフレッシュ動作

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    問題一覧

  • 1

    ①主記憶装置を複数の区画(バンク)に分け,連続するアドレスの内容を並列アクセスすることで,アクセスの高速化を図る方式です。

    メモリインタリーブ

  • 2

    ①キャッシュメモリと主記値の両方を書き込む方式。常にキャッシュメモリと記憶の内容が一致するため、一貫性が保たれる。主記記憶へのアクセスが頻繁に発生するため低速。 ②キャッシュメモリだけ書き込み、主記憶にはデータがキャッシュメモリから追い出されるときに書き込む方式。キャッシュメモリと主記憶の内容が一致しまいため,一貫性を保つための制御が複雑になる。主記憶へのアクセスが減るため高速

    ライトスルー方式, ライトバック方式

  • 3

    主記憶のアクセス時間とCPUの処理時間の差が大きい場合は、①、②と多レベルのキャッシュ構成にするとより効果が上がります。 CPUがアクセスする順番によって名称が付けられ、CPUは①,②,主記憶の順にアクセスします。L1キャッシュ,L2キャッシュとも呼ばれます。

    1次キャッシュ, 2次キャッシュ

  • 4

    アクセスするデータは,キャッシュメモリか主記憶のどちらかに存在します。①は、アクセスするデータがキャッシュメモリに存在する確率です。 なお、アクセスするデータが主記憶に存在する確率(キャッシュメモリに存在しない確率)を,②と呼ぶこともあります。 キャッシュメモリを使った実効アクセス時間=キャッシュメモリのアクセス時間×①+主記憶のアクセス時間×(1ー①)

    ヒット率, NTF

  • 5

    ①主記憶よりも高速で,CPUと主記憶の間に配置するメモリです。 高速なキャッシュメモリをこれらの間に配置して、主記慣から読み出したデータを①に保持し、CPUが後で同じデータを読み出すときは、高速な①から読み出すことで、②の短縮を図っています。

    キャッシュメモリ, 実効アクセス時間

  • 6

    ROMは本来,読出し専用のメモリですが、利用者が書き込める①も登場しています。 ②製造時に書き込まれた後は,利用者は書き込めない ③紫外線照射で全消去できる ④電圧をかけて部分消去できる。消去・書込みは1バイト単位で可能 ⑤電圧をかけて全消去・部分消去できる。書替えは、ブロック単位で消去後に書き込む

    PROM, マスクROM, UV-EPROM, EEPROM, フラッシュメモリ

  • 7

    二つの安定した状態をもち、1ビットの情報を記録する回路です。SRAMの記憶セルに用いられています。

    フリップフロップ回路

  • 8

    ①コンデンサに電荷を備えた状態か否かによって1ビットを表現しています。構造が簡単で高集積化に適しているため,SRAMに比べて大容量で安価です。ただし、コンデンサは放置しておくと自然放電してしまう特性があり、一定時間ごとに記憶内容を維持する②(再書込み)が必要になります。主記憶に用いられています。

    DRAM, リフレッシュ動作

  • 9

    ①本来は、読み出し専用のメモリです。最近は、利用者が書き込めるものも登場しています。電源を切っても記憶していた内容が消えない特性(②)があります。

    ROM, 不揮発性

  • 10

    ①読み書きできるメモリです。電源を切ると記憶していた内容が消えてしまう特性(②)があります。

    RAM, 揮発性

  • 11

    ①フリップフロップ回路で構成され高速ですが、構造が複雑で集積度を高めにくいため、DRAMに比べて小容量で高価です。電源が供給されている限り,記憶内容を保持し続けるため,②が不要になります。キャッシュメモリなどに用いられています。

    SRAM, リフレッシュ動作