問題一覧
1
La corriente del colector en un transistor NPN está controlada por:
La tensión directa del diodo base emisor y la corriente de base
2
La corriente inversa de colector - base o corriente de fugas en un transistor PNP es debido al:
Movimiento de portadores minoritarios en cada zona.
3
Los transistores pueden ser PNP y NPN
Los portadores mayoritarios se mueven siempre dentro del transistor del emisor al colector
4
Un transistor es un componente que está formado por:
Emisor, base y colector
5
Si conectamos la punta de pruebas positiva de un óhmetro en la base de un transistor y la negativa en cualquiera de los otros dos terminales, si la medida obtenida es muy baja, nos indica que:
El transistor es de tipo NPN
6
Se miden tensiones sobre un transistor NPN funcionando en un circuito determinado y resultan los siguientes valores: VCE ≤ 0, 2 V; VBE = 0.7 V; IC ≤ IE. Se puede afirmar que:
El transistor está en zona de saturación.
7
¿Qué es el ancho de banda de un amplificador?
Es la respuesta en frecuencia
8
La corriente inversa o corriente de fugas en un transistor PNP es debido al movimiento de:
Los electrones del colector
9
Si colocamos la punta positiva de un óhmetro en el emisor de un transistor NPN y la negativa en el colector, y la medida es de 100 Ω el transistor estará:
En corto
10
Las corrientes de un transistor en emisor común están dadas por la fórmula:
IE = IC + IB.
11
¿Cuál es la relación entre los parámetros α y β?
A
12
Un transistor está en estado de corte sí:
IB = 0.
13
Los transistores pueden ser NPN y PNP
La unión base emisor se polariza directamente y la unión base colector se polariza en sentido inverso.
14
Para reconocer un transistor PNP
La flecha del emisor indica hacia la base
15
Si medimos la resistencia con un polímetro entre el colector y el emisor de un transistor, nos medirá:
Conectando el polímetro entre el colector y el emisor con cualquier polaridad nos dará siempre alta resistencia
16
Las características constructivas, de la base, para que el efecto transistor sea óptimo son las siguientes:
Delgada por construcción y dopado para el mínimo número de portadores mayoritarios y minoritarios.
17
Si conectamos la punta de pruebas positiva de un óhmetro en la base de un transistor y la negativa en el colector y la medida obtenida es muy alta, nos indica que:
Para conocer el estado del transistor debemos saber si es PNP o NPN
18
Las características constructivas, del emisor, para que el efecto transistor sea óptimo son las siguientes:
Estrecho por construcción y dopado para el máximo número de portadores mayoritarios.
19
Un transistor NPN estará en la zona de saturación sí:
ECE = 0.2 V y VBE = 0.7 V
20
Los terminales de un transistor son:
Emisor, base y colector
21
Existen dos tipos de transistores bipolares o de unión:
PNP y NPN