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ELECTRONICA 105 A 125

ELECTRONICA 105 A 125
21問 • 2年前
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    問題一覧

  • 1

    Existen dos tipos de transistores bipolares o de unión:

    PNP y NPN

  • 2

    La corriente del colector en un transistor NPN está controlada por:

    La tensión directa del diodo base emisor y la corriente de base

  • 3

    La corriente inversa de colector - base o corriente de fugas en un transistor PNP es debido al:

    Movimiento de portadores minoritarios en cada zona.

  • 4

    La corriente inversa o corriente de fugas en un transistor PNP es debido al movimiento de:

    Los electrones del colector

  • 5

    Las características constructivas, de la base, para que el efecto transistor sea óptimo son las siguientes:

    Delgada por construcción y dopado para el mínimo número de portadores mayoritarios y minoritarios.

  • 6

    Las características constructivas, del emisor, para que el efecto transistor sea óptimo son las siguientes:

    Estrecho por construcción y dopado para el máximo número de portadores mayoritarios.

  • 7

    Las corrientes de un transistor en emisor común están dadas por la fórmula:

    IE = IC + IB.

  • 8

    Los terminales de un transistor son:

    Emisor, base y colector

  • 9

    Los transistores pueden ser NPN y PNP

    La unión base emisor se polariza directamente y la unión base colector se polariza en sentido inverso.

  • 10

    Los transistores pueden ser PNP y NPN

    Los portadores mayoritarios se mueven siempre dentro del transistor del emisor al colector

  • 11

    Para reconocer un transistor PNP

    La flecha del emisor indica hacia la base

  • 12

    Se miden tensiones sobre un transistor NPN funcionando en un circuito determinado y resultan los siguientes valores: VCE ≤ 0, 2 V; VBE = 0.7 V; IC ≤ IE. Se puede afirmar que:

    El transistor está en zona de saturación.

  • 13

    Si colocamos la punta positiva de un óhmetro en el emisor de un transistor NPN y la negativa en el colector, y la medida es de 100 Ω el transistor estará:

    En corto

  • 14

    Si conectamos la punta de pruebas positiva de un óhmetro en la base de un transistor y la negativa en el colector y la medida obtenida es muy alta, nos indica que:

    Para conocer el estado del transistor debemos saber si es PNP o NPN

  • 15

    Si conectamos la punta de pruebas positiva de un óhmetro en la base de un transistor y la negativa en cualquiera de los otros dos terminales, si la medida obtenida es muy baja, nos indica que:

    El transistor es de tipo NPN

  • 16

    Si medimos la resistencia con un polímetro entre el colector y el emisor de un transistor, nos medirá:

    Conectando el polímetro entre el colector y el emisor con cualquier polaridad nos dará siempre alta resistencia

  • 17

    Un transistor es un componente que está formado por:

    Emisor, base y colector

  • 18

    Un transistor está en estado de corte sí:

    IB = 0.

  • 19

    Un transistor NPN estará en la zona de saturación sí:

    ECE = 0.2 V y VBE = 0.7 V

  • 20

    ¿Cuál es la relación entre los parámetros α y β?

    A

  • 21

    ¿Qué es el ancho de banda de un amplificador?

    Es la respuesta en frecuencia

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    PNP y NPN

  • 2

    La corriente del colector en un transistor NPN está controlada por:

    La tensión directa del diodo base emisor y la corriente de base

  • 3

    La corriente inversa de colector - base o corriente de fugas en un transistor PNP es debido al:

    Movimiento de portadores minoritarios en cada zona.

  • 4

    La corriente inversa o corriente de fugas en un transistor PNP es debido al movimiento de:

    Los electrones del colector

  • 5

    Las características constructivas, de la base, para que el efecto transistor sea óptimo son las siguientes:

    Delgada por construcción y dopado para el mínimo número de portadores mayoritarios y minoritarios.

  • 6

    Las características constructivas, del emisor, para que el efecto transistor sea óptimo son las siguientes:

    Estrecho por construcción y dopado para el máximo número de portadores mayoritarios.

  • 7

    Las corrientes de un transistor en emisor común están dadas por la fórmula:

    IE = IC + IB.

  • 8

    Los terminales de un transistor son:

    Emisor, base y colector

  • 9

    Los transistores pueden ser NPN y PNP

    La unión base emisor se polariza directamente y la unión base colector se polariza en sentido inverso.

  • 10

    Los transistores pueden ser PNP y NPN

    Los portadores mayoritarios se mueven siempre dentro del transistor del emisor al colector

  • 11

    Para reconocer un transistor PNP

    La flecha del emisor indica hacia la base

  • 12

    Se miden tensiones sobre un transistor NPN funcionando en un circuito determinado y resultan los siguientes valores: VCE ≤ 0, 2 V; VBE = 0.7 V; IC ≤ IE. Se puede afirmar que:

    El transistor está en zona de saturación.

  • 13

    Si colocamos la punta positiva de un óhmetro en el emisor de un transistor NPN y la negativa en el colector, y la medida es de 100 Ω el transistor estará:

    En corto

  • 14

    Si conectamos la punta de pruebas positiva de un óhmetro en la base de un transistor y la negativa en el colector y la medida obtenida es muy alta, nos indica que:

    Para conocer el estado del transistor debemos saber si es PNP o NPN

  • 15

    Si conectamos la punta de pruebas positiva de un óhmetro en la base de un transistor y la negativa en cualquiera de los otros dos terminales, si la medida obtenida es muy baja, nos indica que:

    El transistor es de tipo NPN

  • 16

    Si medimos la resistencia con un polímetro entre el colector y el emisor de un transistor, nos medirá:

    Conectando el polímetro entre el colector y el emisor con cualquier polaridad nos dará siempre alta resistencia

  • 17

    Un transistor es un componente que está formado por:

    Emisor, base y colector

  • 18

    Un transistor está en estado de corte sí:

    IB = 0.

  • 19

    Un transistor NPN estará en la zona de saturación sí:

    ECE = 0.2 V y VBE = 0.7 V

  • 20

    ¿Cuál es la relación entre los parámetros α y β?

    A

  • 21

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    Es la respuesta en frecuencia