電験三種 理論 電子理論
問題一覧
1
極めて高い純度に精製されたケイ素（Si）の真性半導体に、微量のホウ素（B）又はインジウム（In）などの３価の元素を不純物として加えたものを「ｎ形半導体」という。
✖
2
真性半導体に３価の元素を加えてｐ形半導体を作るとき、加える不純物を「 」という。
アクセプター
3
シリコンの真性半導体に価電子が3個の原子を不純物として混ぜると、電子が1つ足りなくなる。この不足したものを空乏という。
✖
4
シリコン（Si）やゲルマニウム（Ge）の真性半導体においては、キャリヤの電子と正孔の数は同じである。
〇
5
真性半導体に微量のⅢ族またはV族の元素を不純物として加えた半導体を「不純物半導体」といい、電気伝導度が真性半導体に比べて大きくなる。
〇
6
シリコン（Si）やゲルマニウム（Ge）の真性半導体にV族の元素を不純物として微量だけ加えたものを「ｐ形半導体」という。
✖
7
ｎ形半導体の少数キャリヤは「正孔」である。
〇
8
半導体の電気伝導度は温度が下がると小さくなる。
〇
9
ヒ素（As）、リン（P）、アンチモン（Sb）などのV族の元素を不純物として添加したものを「ｎ形半導体」という。
〇
10
ｎ形半導体とｐ形半導体の接合面付近では、図のように拡散したキャリヤが互いに接合して消滅し、「 」と呼ばれるキャリヤのない領域が生じる。
空乏層
11
ｐ形半導体とｎ形半導体の接合面において、接合面付近では、図のように空乏層と呼ばれるキャリヤのない領域が生じる。その結果、空乏層内において、ｐ形半導体の接合面付近には「負の電荷」、ｎ形半導体の接合面付近に「正の電荷」が現れる。
〇
12
発光ダイオード（LED)は主として表示用光源及び光通信の送信部の光源として利用させている。
〇
13
発光ダイオードは表示用として利用される場合、表示用電球より消費電力が小さく長寿命である。
〇
14
発光ダイオードはヒ化ガリウム（GaAs）、リン化ガリウム（GaP）等を用いた半導体のｐｎ接合部を利用する。
〇
15
発光ダイオードは、電流を順方向に流した場合、ｐｎ接合部が発光する。
〇
16
発光ダイオードの順方向の電圧降下は、一般に0.2V程度である。
✖
17
可変容量ダイオードは通信機器の同調回路などに用いられる。このダイオードはｐｎ接合に「 」電圧を加えて、接合容量を変化させて使用する。
逆方向
18
ｐｎ接合に「 」電圧を加え、その値を大きくしていくと、降伏現象が起きる。この降伏電圧付近では、流れる電流が変化しても接合両端の電圧がほぼ一定に保たれる。定電圧ダイオードはこの性質を利用して所定の定電圧を得られるように作られたダイオードである。
逆方向
19
レーザーダイオードは光通信や光情報機器の光源として利用され、ｐｎ接合に「 」電圧を加えて使用するものである。
順方向
20
ｐｎ接合のダイオードにp形が負、ｎ形が正となる電圧を加えた時、p形、ｎ形それぞれの領域の少数キャリヤに対しては、順電圧と考えられるので、この少数キャリヤが移動することによって、極めてわずかな電流が流れる。
〇
21
ｐｎ接合を持つ半導体を用いた太陽電池では、そのｐｎ接合部に光を照射すると、電子と正孔が発生し、それらがｐｎ接合部で分けられ電子がｎ形、正孔がp形のそれぞれの電極にあつまる。その結果、起電力が生じる
〇
22
発光ダイオードのｐｎ接合領域に順電圧を加えると、ｐｎ接合領域でキャリヤの再結合が起こる。再結合によって、そのエネルギーに相当する波長の光が接合部付近から放出される。
〇
23
定電圧ダイオード（ツェナーダイオード）はダイオードにみられる順電圧・電流特性の電流特性の急激な降伏現象を利用したものである。
✖
24
空乏層の静電容量が逆電圧によって変化する性質を利用したダイオードを可変容量ダイオード又はバラクタダイオードという。逆電圧の大きさを小さくしていくと、静電容量は大きくなる。
〇
25
バイポーラトランジスタは、消費電力がFETより大きい。
〇
26
バイポーラトランジスタは電圧制御素子、FETは電流制御素子といわれる。
✖
27
バイポーラトランジスタの入力インピーダンスは、FETのそれよりも低い。
〇
28
バイポーラトランジスタのコレクタ電流は自由電子及び正孔の両方が関与し、FETのドレーン電流は自由電子又は正孔ののどちらかが関与する。
〇
29
バイポーラトランジスタは、静電気に対してFETより破壊されにくい。
〇
30
電界効果トランジスタ（FET）は接合形とMOS形に分類する事が出来る。
〇
31
電界効果トランジスタのドレーンとソースとの間の電流の通路には、ｎ形とp形がある。
〇
32
MOS形はデプレッション形とエンハンスメント形に分類される。
〇
33
電界効果トランジスタのエンハンスメント形は、ゲート電圧に関係なくチャンネルができる。
✖
34
図は電界効果トランジスタの図記号であり、接合形の「 」チャネルFETと呼ばれるものである。
ｎ形
35
図は電界効果トランジスタの図記号であり、「 」FETと呼ばれる。
ｐ形チャネル
36
FETは、半導体の中を移動する多数キャリヤを「 」電圧により生じる電界によって制御する素子である
ゲート
37
FETには接合形と「 」形がある。
MOS
38
図はMOS電界効果トランジスタ（MOSFET）と呼ばれる素子である。図のAの部分は薄い酸化膜の絶縁層（ゲート酸化膜）と呼ばれる。
〇
39
図はエンハンスメント形のｎチャネルMOSFETである。ゲートに電圧を加えるとAの場所のｐ形基板表面近くの「電子」が除去され、「正孔」の薄い層が出来る。
✖
40
電流が流れる元となる物質のことで、負の電気として扱われものは？
自由電子
41
n形半導体を作るための不純物(リン、ヒ素など)のことを何というか？
ドナー
42
p形半導体を作るための不純物(ホウ素、ガリウム、アルミニウム)のことを何というか？
アクセプター
43
図はダイオードの図記号であり、電流が左側から右側へは流れるけれど、右側から左側へは流れない事を意味している。
〇
44
図はレーザーダイオードである。Aの部分は何というか？
活性層
45
真空中に電子がある場合、電界中では電子は「等加速度運動」をし、磁界中では電子は「円運動」をする。
〇
46
この公式は「フレミングの左手の法則」を表している。
✖
47
ローレンツ力を表す公式の記号の、意味が間違っているものはどれか？
v：電圧
48
磁界の中を運動する電子が受ける電磁力Fはフレミングの法則に従う。
〇
49
図のバイポーラトランジスタ回路は「エミッタ接地回路」と呼ばれる。
〇
50
サイリスタはｐ形半導体とｎ形半導体の4層構造を基本とした素子である。
〇
51
可変容量ダイオードは、加えている逆方向電圧を変化させると静電容量が変化する。
〇
52
演算増幅器の出力インピーダンスは、極めて小さい
〇
53
ｐチャネルMOSFETの電流は、ドレーンからソースに流れる
✖
54
タンタル（Ｔａ）などの金属を熱すると、電子がその表面から放出される。この現象は「 」放出と呼ばれる。
熱電子
55
タングステン（W）などの金属表面の電界強度を十分に大きくすると、常温でもその表面から電子が放出される。この現象は「 」放出と呼ばれる。
電界
56
電子を金属またはその酸化物・ハロゲン化物などに衝突させると、その表面から新たな電子が放出される。この現象は「 」放出と呼ばれる。
二次電子
57
図は電界の中に電子を置いた図である。この場合、電界中で電子は電界の向きと反対方向に動く。
〇
58
サイリスタを使った回路では、ゲートにトリガー電圧が印加されたタイミングでサイリスタが「オン」になり、電圧が出力される。
〇
59
図は電界中に置かれた電子の運動の様子である。電子が円運動をする時、磁束密度Bは図のどの向きに加わっているか？
磁束密度は図の表から裏に向かっている
60
電子－e［C］は「磁界中」においてF＝evB[ N］、「電界中」においてF＝eE［Ｎ］の力を受ける
〇
61
フォトダイオードとは、金属と半導体（セレン、亜酸化銅など）の接合部、またはシリコンなど半導体のpn接合部を持つダイオードの一種で、接合部に光を照射すると、光起電力効果で起電力が生じ、逆方向電流が増加する事を利用した光電変換素子のこと。
〇
62
エレクトロンボルトとは、電子などのエネルギーを表わす実用単位。記号は eV 。 1eV は，真空中において電位差 1V の2点間で電気素量 e の荷電粒子が加速されるときに得る運動エネルギーである。電子の速さは運動エネルギーの平方根に比例する。
〇
63
図のように強さが一定で一様な「電界中」に、速さ v[m/s]の電子が電界の向きに対してθ[°]の角度（0[°] < θ[°] < 90[°]）で突入したとき、その軌跡は、「放物線」を描く。
〇
64
図のように、真空中において強さが一定で一様な磁界中に、速さ v[m/s]の電子が「磁界」の向きに対して θ[°]の角度（0[°] < θ[°] < 90[°]）で突入した。この場合、電子は進行方向にも磁界の向きにも「直角」方向の「電磁力」を常に受けて、その軌跡は「らせん」を描く。
〇
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問題一覧
1
極めて高い純度に精製されたケイ素（Si）の真性半導体に、微量のホウ素（B）又はインジウム（In）などの３価の元素を不純物として加えたものを「ｎ形半導体」という。
✖
2
真性半導体に３価の元素を加えてｐ形半導体を作るとき、加える不純物を「 」という。
アクセプター
3
シリコンの真性半導体に価電子が3個の原子を不純物として混ぜると、電子が1つ足りなくなる。この不足したものを空乏という。
✖
4
シリコン（Si）やゲルマニウム（Ge）の真性半導体においては、キャリヤの電子と正孔の数は同じである。
〇
5
真性半導体に微量のⅢ族またはV族の元素を不純物として加えた半導体を「不純物半導体」といい、電気伝導度が真性半導体に比べて大きくなる。
〇
6
シリコン（Si）やゲルマニウム（Ge）の真性半導体にV族の元素を不純物として微量だけ加えたものを「ｐ形半導体」という。
✖
7
ｎ形半導体の少数キャリヤは「正孔」である。
〇
8
半導体の電気伝導度は温度が下がると小さくなる。
〇
9
ヒ素（As）、リン（P）、アンチモン（Sb）などのV族の元素を不純物として添加したものを「ｎ形半導体」という。
〇
10
ｎ形半導体とｐ形半導体の接合面付近では、図のように拡散したキャリヤが互いに接合して消滅し、「 」と呼ばれるキャリヤのない領域が生じる。
空乏層
11
ｐ形半導体とｎ形半導体の接合面において、接合面付近では、図のように空乏層と呼ばれるキャリヤのない領域が生じる。その結果、空乏層内において、ｐ形半導体の接合面付近には「負の電荷」、ｎ形半導体の接合面付近に「正の電荷」が現れる。
〇
12
発光ダイオード（LED)は主として表示用光源及び光通信の送信部の光源として利用させている。
〇
13
発光ダイオードは表示用として利用される場合、表示用電球より消費電力が小さく長寿命である。
〇
14
発光ダイオードはヒ化ガリウム（GaAs）、リン化ガリウム（GaP）等を用いた半導体のｐｎ接合部を利用する。
〇
15
発光ダイオードは、電流を順方向に流した場合、ｐｎ接合部が発光する。
〇
16
発光ダイオードの順方向の電圧降下は、一般に0.2V程度である。
✖
17
可変容量ダイオードは通信機器の同調回路などに用いられる。このダイオードはｐｎ接合に「 」電圧を加えて、接合容量を変化させて使用する。
逆方向
18
ｐｎ接合に「 」電圧を加え、その値を大きくしていくと、降伏現象が起きる。この降伏電圧付近では、流れる電流が変化しても接合両端の電圧がほぼ一定に保たれる。定電圧ダイオードはこの性質を利用して所定の定電圧を得られるように作られたダイオードである。
逆方向
19
レーザーダイオードは光通信や光情報機器の光源として利用され、ｐｎ接合に「 」電圧を加えて使用するものである。
順方向
20
ｐｎ接合のダイオードにp形が負、ｎ形が正となる電圧を加えた時、p形、ｎ形それぞれの領域の少数キャリヤに対しては、順電圧と考えられるので、この少数キャリヤが移動することによって、極めてわずかな電流が流れる。
〇
21
ｐｎ接合を持つ半導体を用いた太陽電池では、そのｐｎ接合部に光を照射すると、電子と正孔が発生し、それらがｐｎ接合部で分けられ電子がｎ形、正孔がp形のそれぞれの電極にあつまる。その結果、起電力が生じる
〇
22
発光ダイオードのｐｎ接合領域に順電圧を加えると、ｐｎ接合領域でキャリヤの再結合が起こる。再結合によって、そのエネルギーに相当する波長の光が接合部付近から放出される。
〇
23
定電圧ダイオード（ツェナーダイオード）はダイオードにみられる順電圧・電流特性の電流特性の急激な降伏現象を利用したものである。
✖
24
空乏層の静電容量が逆電圧によって変化する性質を利用したダイオードを可変容量ダイオード又はバラクタダイオードという。逆電圧の大きさを小さくしていくと、静電容量は大きくなる。
〇
25
バイポーラトランジスタは、消費電力がFETより大きい。
〇
26
バイポーラトランジスタは電圧制御素子、FETは電流制御素子といわれる。
✖
27
バイポーラトランジスタの入力インピーダンスは、FETのそれよりも低い。
〇
28
バイポーラトランジスタのコレクタ電流は自由電子及び正孔の両方が関与し、FETのドレーン電流は自由電子又は正孔ののどちらかが関与する。
〇
29
バイポーラトランジスタは、静電気に対してFETより破壊されにくい。
〇
30
電界効果トランジスタ（FET）は接合形とMOS形に分類する事が出来る。
〇
31
電界効果トランジスタのドレーンとソースとの間の電流の通路には、ｎ形とp形がある。
〇
32
MOS形はデプレッション形とエンハンスメント形に分類される。
〇
33
電界効果トランジスタのエンハンスメント形は、ゲート電圧に関係なくチャンネルができる。
✖
34
図は電界効果トランジスタの図記号であり、接合形の「 」チャネルFETと呼ばれるものである。
ｎ形
35
図は電界効果トランジスタの図記号であり、「 」FETと呼ばれる。
ｐ形チャネル
36
FETは、半導体の中を移動する多数キャリヤを「 」電圧により生じる電界によって制御する素子である
ゲート
37
FETには接合形と「 」形がある。
MOS
38
図はMOS電界効果トランジスタ（MOSFET）と呼ばれる素子である。図のAの部分は薄い酸化膜の絶縁層（ゲート酸化膜）と呼ばれる。
〇
39
図はエンハンスメント形のｎチャネルMOSFETである。ゲートに電圧を加えるとAの場所のｐ形基板表面近くの「電子」が除去され、「正孔」の薄い層が出来る。
✖
40
電流が流れる元となる物質のことで、負の電気として扱われものは？
自由電子
41
n形半導体を作るための不純物(リン、ヒ素など)のことを何というか？
ドナー
42
p形半導体を作るための不純物(ホウ素、ガリウム、アルミニウム)のことを何というか？
アクセプター
43
図はダイオードの図記号であり、電流が左側から右側へは流れるけれど、右側から左側へは流れない事を意味している。
〇
44
図はレーザーダイオードである。Aの部分は何というか？
活性層
45
真空中に電子がある場合、電界中では電子は「等加速度運動」をし、磁界中では電子は「円運動」をする。
〇
46
この公式は「フレミングの左手の法則」を表している。
✖
47
ローレンツ力を表す公式の記号の、意味が間違っているものはどれか？
v：電圧
48
磁界の中を運動する電子が受ける電磁力Fはフレミングの法則に従う。
〇
49
図のバイポーラトランジスタ回路は「エミッタ接地回路」と呼ばれる。
〇
50
サイリスタはｐ形半導体とｎ形半導体の4層構造を基本とした素子である。
〇
51
可変容量ダイオードは、加えている逆方向電圧を変化させると静電容量が変化する。
〇
52
演算増幅器の出力インピーダンスは、極めて小さい
〇
53
ｐチャネルMOSFETの電流は、ドレーンからソースに流れる
✖
54
タンタル（Ｔａ）などの金属を熱すると、電子がその表面から放出される。この現象は「 」放出と呼ばれる。
熱電子
55
タングステン（W）などの金属表面の電界強度を十分に大きくすると、常温でもその表面から電子が放出される。この現象は「 」放出と呼ばれる。
電界
56
電子を金属またはその酸化物・ハロゲン化物などに衝突させると、その表面から新たな電子が放出される。この現象は「 」放出と呼ばれる。
二次電子
57
図は電界の中に電子を置いた図である。この場合、電界中で電子は電界の向きと反対方向に動く。
〇
58
サイリスタを使った回路では、ゲートにトリガー電圧が印加されたタイミングでサイリスタが「オン」になり、電圧が出力される。
〇
59
図は電界中に置かれた電子の運動の様子である。電子が円運動をする時、磁束密度Bは図のどの向きに加わっているか？
磁束密度は図の表から裏に向かっている
60
電子－e［C］は「磁界中」においてF＝evB[ N］、「電界中」においてF＝eE［Ｎ］の力を受ける
〇
61
フォトダイオードとは、金属と半導体（セレン、亜酸化銅など）の接合部、またはシリコンなど半導体のpn接合部を持つダイオードの一種で、接合部に光を照射すると、光起電力効果で起電力が生じ、逆方向電流が増加する事を利用した光電変換素子のこと。
〇
62
エレクトロンボルトとは、電子などのエネルギーを表わす実用単位。記号は eV 。 1eV は，真空中において電位差 1V の2点間で電気素量 e の荷電粒子が加速されるときに得る運動エネルギーである。電子の速さは運動エネルギーの平方根に比例する。
〇
63
図のように強さが一定で一様な「電界中」に、速さ v[m/s]の電子が電界の向きに対してθ[°]の角度（0[°] < θ[°] < 90[°]）で突入したとき、その軌跡は、「放物線」を描く。
〇
64
図のように、真空中において強さが一定で一様な磁界中に、速さ v[m/s]の電子が「磁界」の向きに対して θ[°]の角度（0[°] < θ[°] < 90[°]）で突入した。この場合、電子は進行方向にも磁界の向きにも「直角」方向の「電磁力」を常に受けて、その軌跡は「らせん」を描く。
〇