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    問題一覧

  • 1

    半導体材料の固体材料は3つに大別できる。それはなにか

    導体, 半導体, 絶縁体

  • 2

    1つの種類から構成される半導体

    元素半導体

  • 3

    1950年代に使用されていた元素

    ゲルマニウム

  • 4

    1960年代から使用された元素

    シリコン

  • 5

    半導体産業に使われるSiは高純度に精錬される。何パーセントか

    99.999999999%

  • 6

    高純度Siの作成は純度の高い岩石から金属に変えるところから始まるが、その岩石の名前は？

    珪石

  • 7

    どのようにSiの純度をあげるか化学式をかけ

    Si+3HCl→SiHCl3+H2, SiHCl3+H2→Si+3HCl

  • 8

    多結晶Siをるつぼに入れ、加熱し液体にした後、種結晶を液体につけ回転させながら引き上げ、単結晶シリコンを生成する方式をなんというか

    CZ法

  • 9

    Siはなに構造か

    ダイヤモンド構造

  • 10

    Siの結合はなにか

    共有結合

  • 11

    Siの結合によって電子は何を形成するか

    電子対

  • 12

    エネルギーバンドにおいて最低のエネルギー準位に対応する状態は？

    基底状態

  • 13

    基底状態よりも高いエネルギーを持つ状態は？

    励起状態

  • 14

    最外殻電子がいるバンド

    価電子帯

  • 15

    伝導電子がいるバンド

    伝導帯

  • 16

    伝導帯から価電子帯に遷移する際、エネルギー以外に運動量の変化も必要な半導体は？

    間接遷移型半導体

  • 17

    伝導帯から価電子帯に遷移する際、エネルギーの変化のみ必要な半導体

    直接遷移型半導体

  • 18

    不純物の数が熱的に励起された電子と正孔の数よりも少ない半導体

    真性半導体

  • 19

    半導体にⅢ族の元素をドープすると何型半導体になるか

    p型半導体

  • 20

    Ⅲ族元素は？

    ホウ素B, ガリウムGa, インジウムIn

  • 21

    Ⅴ族元素をドープすると何型半導体になるか

    n型半導体

  • 22

    Ⅴ族元素は？

    アンチモンSb, リンP, ヒ素As

  • 23

    キャリア密度を求める際に3kTという値を使って近似をした。これらの状態の半導体をなんと呼ぶか

    非縮退半導体

  • 24

    n型半導体の場合、電子と正孔はそれぞれなんと呼ばれるか

    多数キャリア, 少数キャリア

  • 25

    キャリアの輸送過程には多くの種類があり、(　)、(　)、(　)、(　)、熱電子放射、トンネリング、衝突イオン化などが存在する。

    ドリフト, 拡散, 再結合, 生成

  • 26

    半導体中の電子が移動する時、衝突から衝突までの距離をなんというか

    平均自由行程

  • 27

    半導体中の電子が移動する時、衝突から衝突までの時間をなんといか

    平均緩和時間

  • 28

    外部から与えられた電界による速度をなんというか

    ドリフト速度

  • 29

    ドリフト速度の比例定数をなんというか

    移動度

  • 30

    移動度には緩和時間が大きく関わっており、重要な機構として2つある。それはなにか

    格子散乱, 不純物散乱

  • 31

    散乱機構のなかで、温度が上昇すると移動度が低下するものはなにか

    格子散乱

  • 32

    散乱機構のなかで、温度が上昇すると移動度が小さくなるのはなにか

    不純物散乱

  • 33

    外部から与えられた電界によるキャリアの移動はなんというか

    ドリフト電流

  • 34

    4端子法で、外側の2本と内側の２本はそれぞれなにか

    定電流源, 電圧計

  • 35

    未知の半導体中の正確なキャリア密度を測定する時、なにを用いて測定を行うか

    ホール効果

  • 36

    拡散によって流れる電流をなんというか

    拡散電流

  • 37

    過剰なキャリアが半導体内に生じると熱平衡がやぶられる。この過程をなんと呼ぶか

    イオン注入

  • 38

    過剰キャリアを注入した場合、多数キャリアと少数キャリアはなにによって熱平衡状態に戻ろうとするか

    再結合

  • 39

    再結合する過程で、光が放射される場合をなんというか

    輻射再結合

  • 40

    再結合の過程で光が放射されない場合をなんというか

    非輻射再結合

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    導体, 半導体, 絶縁体

  • 2

    1つの種類から構成される半導体

    元素半導体

  • 3

    1950年代に使用されていた元素

    ゲルマニウム

  • 4

    1960年代から使用された元素

    シリコン

  • 5

    半導体産業に使われるSiは高純度に精錬される。何パーセントか

    99.999999999%

  • 6

    高純度Siの作成は純度の高い岩石から金属に変えるところから始まるが、その岩石の名前は？

    珪石

  • 7

    どのようにSiの純度をあげるか化学式をかけ

    Si+3HCl→SiHCl3+H2, SiHCl3+H2→Si+3HCl

  • 8

    多結晶Siをるつぼに入れ、加熱し液体にした後、種結晶を液体につけ回転させながら引き上げ、単結晶シリコンを生成する方式をなんというか

    CZ法

  • 9

    Siはなに構造か

    ダイヤモンド構造

  • 10

    Siの結合はなにか

    共有結合

  • 11

    Siの結合によって電子は何を形成するか

    電子対

  • 12

    エネルギーバンドにおいて最低のエネルギー準位に対応する状態は？

    基底状態

  • 13

    基底状態よりも高いエネルギーを持つ状態は？

    励起状態

  • 14

    最外殻電子がいるバンド

    価電子帯

  • 15

    伝導電子がいるバンド

    伝導帯

  • 16

    伝導帯から価電子帯に遷移する際、エネルギー以外に運動量の変化も必要な半導体は？

    間接遷移型半導体

  • 17

    伝導帯から価電子帯に遷移する際、エネルギーの変化のみ必要な半導体

    直接遷移型半導体

  • 18

    不純物の数が熱的に励起された電子と正孔の数よりも少ない半導体

    真性半導体

  • 19

    半導体にⅢ族の元素をドープすると何型半導体になるか

    p型半導体

  • 20

    Ⅲ族元素は？

    ホウ素B, ガリウムGa, インジウムIn

  • 21

    Ⅴ族元素をドープすると何型半導体になるか

    n型半導体

  • 22

    Ⅴ族元素は？

    アンチモンSb, リンP, ヒ素As

  • 23

    キャリア密度を求める際に3kTという値を使って近似をした。これらの状態の半導体をなんと呼ぶか

    非縮退半導体

  • 24

    n型半導体の場合、電子と正孔はそれぞれなんと呼ばれるか

    多数キャリア, 少数キャリア

  • 25

    キャリアの輸送過程には多くの種類があり、(　)、(　)、(　)、(　)、熱電子放射、トンネリング、衝突イオン化などが存在する。

    ドリフト, 拡散, 再結合, 生成

  • 26

    半導体中の電子が移動する時、衝突から衝突までの距離をなんというか

    平均自由行程

  • 27

    半導体中の電子が移動する時、衝突から衝突までの時間をなんといか

    平均緩和時間

  • 28

    外部から与えられた電界による速度をなんというか

    ドリフト速度

  • 29

    ドリフト速度の比例定数をなんというか

    移動度

  • 30

    移動度には緩和時間が大きく関わっており、重要な機構として2つある。それはなにか

    格子散乱, 不純物散乱

  • 31

    散乱機構のなかで、温度が上昇すると移動度が低下するものはなにか

    格子散乱

  • 32

    散乱機構のなかで、温度が上昇すると移動度が小さくなるのはなにか

    不純物散乱

  • 33

    外部から与えられた電界によるキャリアの移動はなんというか

    ドリフト電流

  • 34

    4端子法で、外側の2本と内側の２本はそれぞれなにか

    定電流源, 電圧計

  • 35

    未知の半導体中の正確なキャリア密度を測定する時、なにを用いて測定を行うか

    ホール効果

  • 36

    拡散によって流れる電流をなんというか

    拡散電流

  • 37

    過剰なキャリアが半導体内に生じると熱平衡がやぶられる。この過程をなんと呼ぶか

    イオン注入

  • 38

    過剰キャリアを注入した場合、多数キャリアと少数キャリアはなにによって熱平衡状態に戻ろうとするか

    再結合

  • 39

    再結合する過程で、光が放射される場合をなんというか

    輻射再結合

  • 40

    再結合の過程で光が放射されない場合をなんというか

    非輻射再結合