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治療7章(用語以降)

治療7章(用語以降)
44問 • 2年前
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    問題一覧

  • 1

    線源から回転軸までの距離

    SAD, 線源回転軸間距離

  • 2

    線源から電離箱の基準点までの距離

    SCD, 線源電離箱間距離

  • 3

    線源からファントム(患者)表面までの距離

    SSD, 線源表面間距離

  • 4

    線源から標的内の点までの距離

    STD, 線源標的間距離

  • 5

    ビーム軸上の目的に応じて定める特定の深さ

    dr, 基準深

  • 6

    水吸収線量を校正する目的で指定されたビーム軸上の深さ

    dc, 校正深

  • 7

    ビーム軸上で水吸収線量が最大となる深さ

    dmax, 線量最大深

  • 8

    ビーム軸に直交する特定の平面において、軸外線量比が0.5となる領域

    A, A0, 照射野

  • 9

    ビーム軸上で水吸収線量の最大深吸収線量の50%となる深さ

    R50, 線量半価深

  • 10

    ビーム軸上で電離量が最大値の50%となる深さ

    I50, 電離量半価深

  • 11

    SSD固定で、線量最大深の水吸収線量に対する任意の深さでの水吸収線量の百分率

    PDD, 深部量百分率

  • 12

    SSD固定で、最大電離量に対する任意の深さでの電離量の百分率

    PDI, 電離量百分率

  • 13

    SSDおよびSCD固定で、ビーム軸上の水吸収線量に対するビーム軸に直交する同一平面上の任意の点の水吸収線量

    OAR, 軸外線量比

  • 14

    SCD固定で、線量最大深の水吸収線量に対する任意の深さでの水吸収線量

    TMR, 組織最大線量比

  • 15

    SCD固定で、空中組織吸収線量に対する任意の深さでの水吸収線量

    TAR, 組織空中線量比

  • 16

    SCD固定で、基準深の水吸収線量に対する任意の深さでの水吸収線量

    TPR, 組織ファントム線量比

  • 17

    SCD固定で、基準照射野の水吸収線量に対する任意の深さでの水吸収線量

    OPF, 出力係数

  • 18

    PDD曲線について正しいものを全て

    X線の場合、表面線量が減少する, X線の方が電子線よりも深く到達する, 陽子線は飛程の終端でブラッグピークを生じる

  • 19

    解け。

    直接, エネルギー, 深さ, 比例, 等価, 間接

  • 20

    最小吸収線量に対する最大吸収線量の比の百分率

    平坦度

  • 21

    PDIからPDDへ ()を作成 ()を求める ()を求める () L/P・(R50,d)を求める ()に変換 ※PDD曲線からR50を求め、PDIからPDDへの変換過程でのR50との誤差は()以内にする

    PDI, i50, R50, 平均制限質量衝突阻止能, PDD, 1mm

  • 22

    平坦度の測定 ①半導体を用いる ②電離箱を用いる

    1月毎, 6月〜1年毎

  • 23

    照射野を大きくすると、 TMR=TPR、TAR、PDDはそれぞれどうなるか?(大or小or変化なしor変化でこたえろ。)

    大, 大, 大

  • 24

    線質(エネルギー)を大きくすると、 TMR=TPR、TAR、PDDはそれぞれどうなるか?(大or小or変化なしor変化でこたえろ。)

    大, 変化, 大

  • 25

    表面からの深さを大きくすると、 TMR=TPR、TAR、PDDはそれぞれどうなるか?(大or小or変化なしor変化でこたえろ。)

    小, 小, 小

  • 26

    SSD(STD)を大きくすると、 TMR=TPR、TAR、PDDはそれぞれどうなるか?(大or小or変化なしor変化でこたえろ。)

    変化なし, 変化なし, 大

  • 27

    STD一定で高エネルギーX線、γ線を照射する際の線量計算に用いるのはどれか

    TMR

  • 28

    SSD法に関するものを全て選べ

    電子線照射で多い, PDDを使用して線量計算, 1門照射, SSDを一定としてセットアップ

  • 29

    DΔmのΔmは、線量最大深に相当する厚みがある()を表す DΔmは自由空間内に置かれた()を表す

    ビルドアップキャップの質量, 質量の組織中心での吸収線量

  • 30

    60Coγ線や数MV以下X線を照射する際の線量計算に用いるのはどれか

    TAR

  • 31

    ビルドアップとは、(①)がある長さを走りながら(②)を起こし、①の(③)近くで(④)を示す現象

    二次電子, 電離, 飛程の深さ, 最大線量

  • 32

    OPFr(A)は(①)と同義であり、①は(②(Sc))と(③(Sp))の積で表される

    全散乱係数, ファントム散乱係数, コリメータ散乱係数

  • 33

    不整形照射野の補正法を2つ述べよ

    等価面積法, 面積周囲長法

  • 34

    等線量曲線の形状に関わる因子を全て選べ

    エネルギー, 放射線の種類, 照射野, SSD

  • 35

    高エネルギーX線を使用した時の等線量曲線の特徴

    最大線量が深くなる, ビルドアップが深くなる, 側方散乱が低下する, 平坦度がよくなる

  • 36

    高範囲でX線を使用した時の等線量曲線の特徴

    最大線量が深くなる, ビルドアップが手前に来る, 散乱線の影響が強くなる

  • 37

    高エネルギー電子線を使用した時の等線量曲線の特徴

    最大線量が深くなる, 表面線量が増える

  • 38

    基準照射野における基準深での吸収線量をMU値で除した値をなんという

    DMU

  • 39

    解け

    1Gy

  • 40

    解け

    1.041

  • 41

    解け

    15.8cm, 17.2cm

  • 42

    解け

    125

  • 43

    解け

    200

  • 44

    解け

    260, 130

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    問題一覧

  • 1

    線源から回転軸までの距離

    SAD, 線源回転軸間距離

  • 2

    線源から電離箱の基準点までの距離

    SCD, 線源電離箱間距離

  • 3

    線源からファントム(患者)表面までの距離

    SSD, 線源表面間距離

  • 4

    線源から標的内の点までの距離

    STD, 線源標的間距離

  • 5

    ビーム軸上の目的に応じて定める特定の深さ

    dr, 基準深

  • 6

    水吸収線量を校正する目的で指定されたビーム軸上の深さ

    dc, 校正深

  • 7

    ビーム軸上で水吸収線量が最大となる深さ

    dmax, 線量最大深

  • 8

    ビーム軸に直交する特定の平面において、軸外線量比が0.5となる領域

    A, A0, 照射野

  • 9

    ビーム軸上で水吸収線量の最大深吸収線量の50%となる深さ

    R50, 線量半価深

  • 10

    ビーム軸上で電離量が最大値の50%となる深さ

    I50, 電離量半価深

  • 11

    SSD固定で、線量最大深の水吸収線量に対する任意の深さでの水吸収線量の百分率

    PDD, 深部量百分率

  • 12

    SSD固定で、最大電離量に対する任意の深さでの電離量の百分率

    PDI, 電離量百分率

  • 13

    SSDおよびSCD固定で、ビーム軸上の水吸収線量に対するビーム軸に直交する同一平面上の任意の点の水吸収線量

    OAR, 軸外線量比

  • 14

    SCD固定で、線量最大深の水吸収線量に対する任意の深さでの水吸収線量

    TMR, 組織最大線量比

  • 15

    SCD固定で、空中組織吸収線量に対する任意の深さでの水吸収線量

    TAR, 組織空中線量比

  • 16

    SCD固定で、基準深の水吸収線量に対する任意の深さでの水吸収線量

    TPR, 組織ファントム線量比

  • 17

    SCD固定で、基準照射野の水吸収線量に対する任意の深さでの水吸収線量

    OPF, 出力係数

  • 18

    PDD曲線について正しいものを全て

    X線の場合、表面線量が減少する, X線の方が電子線よりも深く到達する, 陽子線は飛程の終端でブラッグピークを生じる

  • 19

    解け。

    直接, エネルギー, 深さ, 比例, 等価, 間接

  • 20

    最小吸収線量に対する最大吸収線量の比の百分率

    平坦度

  • 21

    PDIからPDDへ ()を作成 ()を求める ()を求める () L/P・(R50,d)を求める ()に変換 ※PDD曲線からR50を求め、PDIからPDDへの変換過程でのR50との誤差は()以内にする

    PDI, i50, R50, 平均制限質量衝突阻止能, PDD, 1mm

  • 22

    平坦度の測定 ①半導体を用いる ②電離箱を用いる

    1月毎, 6月〜1年毎

  • 23

    照射野を大きくすると、 TMR=TPR、TAR、PDDはそれぞれどうなるか?(大or小or変化なしor変化でこたえろ。)

    大, 大, 大

  • 24

    線質(エネルギー)を大きくすると、 TMR=TPR、TAR、PDDはそれぞれどうなるか?(大or小or変化なしor変化でこたえろ。)

    大, 変化, 大

  • 25

    表面からの深さを大きくすると、 TMR=TPR、TAR、PDDはそれぞれどうなるか?(大or小or変化なしor変化でこたえろ。)

    小, 小, 小

  • 26

    SSD(STD)を大きくすると、 TMR=TPR、TAR、PDDはそれぞれどうなるか?(大or小or変化なしor変化でこたえろ。)

    変化なし, 変化なし, 大

  • 27

    STD一定で高エネルギーX線、γ線を照射する際の線量計算に用いるのはどれか

    TMR

  • 28

    SSD法に関するものを全て選べ

    電子線照射で多い, PDDを使用して線量計算, 1門照射, SSDを一定としてセットアップ

  • 29

    DΔmのΔmは、線量最大深に相当する厚みがある()を表す DΔmは自由空間内に置かれた()を表す

    ビルドアップキャップの質量, 質量の組織中心での吸収線量

  • 30

    60Coγ線や数MV以下X線を照射する際の線量計算に用いるのはどれか

    TAR

  • 31

    ビルドアップとは、(①)がある長さを走りながら(②)を起こし、①の(③)近くで(④)を示す現象

    二次電子, 電離, 飛程の深さ, 最大線量

  • 32

    OPFr(A)は(①)と同義であり、①は(②(Sc))と(③(Sp))の積で表される

    全散乱係数, ファントム散乱係数, コリメータ散乱係数

  • 33

    不整形照射野の補正法を2つ述べよ

    等価面積法, 面積周囲長法

  • 34

    等線量曲線の形状に関わる因子を全て選べ

    エネルギー, 放射線の種類, 照射野, SSD

  • 35

    高エネルギーX線を使用した時の等線量曲線の特徴

    最大線量が深くなる, ビルドアップが深くなる, 側方散乱が低下する, 平坦度がよくなる

  • 36

    高範囲でX線を使用した時の等線量曲線の特徴

    最大線量が深くなる, ビルドアップが手前に来る, 散乱線の影響が強くなる

  • 37

    高エネルギー電子線を使用した時の等線量曲線の特徴

    最大線量が深くなる, 表面線量が増える

  • 38

    基準照射野における基準深での吸収線量をMU値で除した値をなんという

    DMU

  • 39

    解け

    1Gy

  • 40

    解け

    1.041

  • 41

    解け

    15.8cm, 17.2cm

  • 42

    解け

    125

  • 43

    解け

    200

  • 44

    解け

    260, 130