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電子回路

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26問 • 2年前
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    問題一覧

  • 1

    電圧増幅度が周波数によらず一定となり、出力電圧も一定となる周波数領域

    中域

  • 2

    電圧増幅度が低下する低い周波数領域

    低域

  • 3

    電圧増幅度が低下する高い周波数領域

    高域

  • 4

    図のように出力電圧が中域に比べて1/√2倍(a.dB低下に相当する)周波数をb.cという

    a.3 b,低域遮断周波数fcL c.高域遮断周波数fcH

  • 5

    fcHーfcLをa呼び aは、増幅しようとしている信号の周波数成分が含まれるようにじゅうぶん広く取るのが望ましい。

    帯域幅

  • 6

    C1による低域遮断周波数fc₁の公式

    fc₁=1/2π✕C₁✕hie(Hz)

  • 7

    C₂による低域遮断周波数fc₂の公式

    fc₂=1/2π✕C₂✕(Rc+Ri )(Hz)

  • 8

    CEによる低域遮断周波数fCEの公式

    fCE=hfe/2π✕CE✕hie(Hz)

  • 9

    接合型FETのnチャネルを書け

  • 10

    MOSFETのエンハンスメント形Pチャネルと      デプレッション形nチャネルを書け

  • 11

    エンハンスメント形MOSFETは図のようにVGSがa以上になったとき.IDが流れ始める

    しきい値電圧Vth

  • 12

    一方、接合型FETは図のように、VGS=0におけるIDを上限とし、VGSがaになったとき、IDはほぼ0になる

    ピンチオフ電圧Vp

  • 13

    エンハンスメント形MOSFETと接合型FETの違い ①VGSの極性がaである ②MOSFETは接合型FETのようなIDのbがなく、定格の範囲内であれば、IDをc流すことができる。

    a.反対 b.上限 c.いくらでも

  • 14

    相互コンダクタンスgmの公式

    gm=ΔID/ΔVGS(S)

  • 15

    gmVGsはゲート・ソース間電圧VGSによって電流を制御するaを表し、rdはFETの出力インピーダンスである。

    a.理想電流源

  • 16

    図の回路を右からそれぞれ答えよ

    ゲート設置増幅回路 ドレーン設置増幅回路 ソース設置増幅回路

  • 17

    増幅回路の出力信号の一部を入力側き戻すことをaといい aにはbとcがある。bを利用した増幅回路をdという。 cは発振回路に利用される

    a.帰還 b.負帰還 c正帰還 d.負帰還増幅回路

  • 18

    帰還率βの公式

    β=Vf/Vo

  • 19

    電圧増幅度Avfの公式

    AVf=vo/vi =Av/1+Avβ

  • 20

    負帰還増幅回路の電圧増幅度を表す基本式でAvβをaという。また、1+Avβをbといい、cで表す

    a.ループゲイン b.帰還量 c.F

  • 21

    帰還量Fの公式

    F=20log₁₀(1+Avβ)(dB)

  • 22

    負帰還の特徴 ①温度や電源電圧の変動などに対して増幅回路のa ②増幅回路内部で発生するb、c の影響がd ③eを広げられる。ただし、f ④gやhを変えることができる

    a.利得が安定する b.ひずみ c.雑音 d.減少する e.帯域幅 f.利得は低下する g.入力インピーダンス h.出力インピーダンス

  • 23

    電圧増幅度Avfの公式

    Avf=AV/1+Avβ=Av/Avβ=1/β=RL/RE

  • 24

    エミッタ接地回路の図を書け

  • 25

    図のような回路は出力電圧voをエミッタから取り出しているので、aという

    エミッタホロワ

  • 26

    エミッタホロワの特徴 ①電圧増幅度はaである ②入力インピーダンスがb ③出力インピーダンスがc

    a.約1 b.大きい c.小さい

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    中域

  • 2

    電圧増幅度が低下する低い周波数領域

    低域

  • 3

    電圧増幅度が低下する高い周波数領域

    高域

  • 4

    図のように出力電圧が中域に比べて1/√2倍(a.dB低下に相当する)周波数をb.cという

    a.3 b,低域遮断周波数fcL c.高域遮断周波数fcH

  • 5

    fcHーfcLをa呼び aは、増幅しようとしている信号の周波数成分が含まれるようにじゅうぶん広く取るのが望ましい。

    帯域幅

  • 6

    C1による低域遮断周波数fc₁の公式

    fc₁=1/2π✕C₁✕hie(Hz)

  • 7

    C₂による低域遮断周波数fc₂の公式

    fc₂=1/2π✕C₂✕(Rc+Ri )(Hz)

  • 8

    CEによる低域遮断周波数fCEの公式

    fCE=hfe/2π✕CE✕hie(Hz)

  • 9

    接合型FETのnチャネルを書け

  • 10

    MOSFETのエンハンスメント形Pチャネルと      デプレッション形nチャネルを書け

  • 11

    エンハンスメント形MOSFETは図のようにVGSがa以上になったとき.IDが流れ始める

    しきい値電圧Vth

  • 12

    一方、接合型FETは図のように、VGS=0におけるIDを上限とし、VGSがaになったとき、IDはほぼ0になる

    ピンチオフ電圧Vp

  • 13

    エンハンスメント形MOSFETと接合型FETの違い ①VGSの極性がaである ②MOSFETは接合型FETのようなIDのbがなく、定格の範囲内であれば、IDをc流すことができる。

    a.反対 b.上限 c.いくらでも

  • 14

    相互コンダクタンスgmの公式

    gm=ΔID/ΔVGS(S)

  • 15

    gmVGsはゲート・ソース間電圧VGSによって電流を制御するaを表し、rdはFETの出力インピーダンスである。

    a.理想電流源

  • 16

    図の回路を右からそれぞれ答えよ

    ゲート設置増幅回路 ドレーン設置増幅回路 ソース設置増幅回路

  • 17

    増幅回路の出力信号の一部を入力側き戻すことをaといい aにはbとcがある。bを利用した増幅回路をdという。 cは発振回路に利用される

    a.帰還 b.負帰還 c正帰還 d.負帰還増幅回路

  • 18

    帰還率βの公式

    β=Vf/Vo

  • 19

    電圧増幅度Avfの公式

    AVf=vo/vi =Av/1+Avβ

  • 20

    負帰還増幅回路の電圧増幅度を表す基本式でAvβをaという。また、1+Avβをbといい、cで表す

    a.ループゲイン b.帰還量 c.F

  • 21

    帰還量Fの公式

    F=20log₁₀(1+Avβ)(dB)

  • 22

    負帰還の特徴 ①温度や電源電圧の変動などに対して増幅回路のa ②増幅回路内部で発生するb、c の影響がd ③eを広げられる。ただし、f ④gやhを変えることができる

    a.利得が安定する b.ひずみ c.雑音 d.減少する e.帯域幅 f.利得は低下する g.入力インピーダンス h.出力インピーダンス

  • 23

    電圧増幅度Avfの公式

    Avf=AV/1+Avβ=Av/Avβ=1/β=RL/RE

  • 24

    エミッタ接地回路の図を書け

  • 25

    図のような回路は出力電圧voをエミッタから取り出しているので、aという

    エミッタホロワ

  • 26

    エミッタホロワの特徴 ①電圧増幅度はaである ②入力インピーダンスがb ③出力インピーダンスがc

    a.約1 b.大きい c.小さい