電子デバイス(MOS構造)
問題一覧
1
Metal Insulator Semiconductor
2
Metal Oxide Semiconductor
3
MOSFET
4
金属と半導体のフェルミ準位の位置が同じ 酸化物(絶縁体)内や表面に電荷が存在しない
5
真空準位とフェルミ準位のエネルギー差
6
真空準位と伝導帯下端とのエネルギー差
7
金属側に負の電圧Vɢを印加、酸化物の静電誘導作用により、半導体の正孔が酸化物との接触面(半導体表面)付近に集まり、過剰な状態となる。 正孔が半導体表面(界面)に蓄積された状態となるので、蓄積状態(この領域を蓄積層)と呼ぶ。
8
金属側に正の電圧Vɢを印加 半導体中の正孔が、酸化物の静電作用により、内部に追いやられ、酸化物との接触面付近は空乏層が形成される(アクセプタイオンだけが残った状態) 空乏層ができた状態なので、空乏状態と呼ぶ
9
空乏状態から、金属側により大きな正の電圧Vɢを印加。 酸化物との接触面(半導体表面)付近にp型の少数キャリアである自由電子が引き寄せられ、この領域での電子密度が非常に高くなる。 この領域がp型半導体であるにもかかわらず、n型半導体のような状態となるため、反転状態(この領域を反転層)と呼ぶ。
政治経済①
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9問 • 1年前問題一覧
1
Metal Insulator Semiconductor
2
Metal Oxide Semiconductor
3
MOSFET
4
金属と半導体のフェルミ準位の位置が同じ 酸化物(絶縁体)内や表面に電荷が存在しない
5
真空準位とフェルミ準位のエネルギー差
6
真空準位と伝導帯下端とのエネルギー差
7
金属側に負の電圧Vɢを印加、酸化物の静電誘導作用により、半導体の正孔が酸化物との接触面(半導体表面)付近に集まり、過剰な状態となる。 正孔が半導体表面(界面)に蓄積された状態となるので、蓄積状態(この領域を蓄積層)と呼ぶ。
8
金属側に正の電圧Vɢを印加 半導体中の正孔が、酸化物の静電作用により、内部に追いやられ、酸化物との接触面付近は空乏層が形成される(アクセプタイオンだけが残った状態) 空乏層ができた状態なので、空乏状態と呼ぶ
9
空乏状態から、金属側により大きな正の電圧Vɢを印加。 酸化物との接触面(半導体表面)付近にp型の少数キャリアである自由電子が引き寄せられ、この領域での電子密度が非常に高くなる。 この領域がp型半導体であるにもかかわらず、n型半導体のような状態となるため、反転状態(この領域を反転層)と呼ぶ。