電子デバイス(MOS構造)

9問 • 1年前

け

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問題一覧

MISの非略称名称

Metal Insulator Semiconductor

MOSの非略称名称

Metal Oxide Semiconductor

MOS構造の特性を応用したFET

MOSFET

MOS構造の理想条件2つ

金属と半導体のフェルミ準位の位置が同じ酸化物(絶縁体)内や表面に電荷が存在しない

仕事関数

真空準位とフェルミ準位のエネルギー差

電子親和力

真空準位と伝導帯下端とのエネルギー差

蓄積(層)状態：Vɢ<0(p型)

金属側に負の電圧Vɢを印加、酸化物の静電誘導作用により、半導体の正孔が酸化物との接触面(半導体表面)付近に集まり、過剰な状態となる。正孔が半導体表面(界面)に蓄積された状態となるので、蓄積状態(この領域を蓄積層)と呼ぶ。

空乏(層)状態：Vɢ>0(p型)

金属側に正の電圧Vɢを印加半導体中の正孔が、酸化物の静電作用により、内部に追いやられ、酸化物との接触面付近は空乏層が形成される(アクセプタイオンだけが残った状態) 空乏層ができた状態なので、空乏状態と呼ぶ

反転(層)状態：Vɢ>>0(p型)

空乏状態から、金属側により大きな正の電圧Vɢを印加。酸化物との接触面(半導体表面)付近にp型の少数キャリアである自由電子が引き寄せられ、この領域での電子密度が非常に高くなる。この領域がp型半導体であるにもかかわらず、n型半導体のような状態となるため、反転状態(この領域を反転層)と呼ぶ。

政治経済①

政治経済①

政治経済②

政治経済②

政治経済③

政治経済③

政治経済④

政治経済④

電子デバイス①

電子デバイス①

英語A⑤(Unit4)

英語A⑤(Unit4)

英語A⑥(Unit5)

英語A⑥(Unit5)

英語A⑦(Unit6)

英語A⑦(Unit6)

政経①

政経①

政経②

政経②

政経③

政経③

政経④

政経④

英語A(Unit7)

英語A(Unit7)

英語A(Unit8)