導体よりも抵抗率が大きく、絶縁体よりも抵抗率が小さい中間の抵抗率を持つ性質がある。

p型半導体はホウ素Bなどの価電子が3つの原子を真性半導体に加え、n型半導体はヒ素Asなどの価電子が5つの原子を真性半導体に加えることで作られている

　ドリフト電流は半導体に電界を加えた時に電解の方向に流れる電流のことであり、 　拡散電流はキャリアに濃度差がある場合、濃度の高い方から低い方に向けて流れる電流のことである。

キャリアが存在せず、電流の流れない領域のこと

ダイオードのp型側に+、n型側に-の電圧を印加すると空乏層小さくなり順電流が大きくなる。 p型側に-、n型側に+の電圧を印加すると空乏層が大きくなり順電流が流れなくなる。 このp型側、n型側に加える電圧の+-によって流れる電流に違いが生じるこの現象のことを整流作用という。

ベースエミッタ間電圧が0[V]の場合、バイポーラトランジスタに電流は流れない。 ベースエミッタ間電圧を印加した場合、バイポーラトランジスタに電流が流れる。 この作用をスイッチング作用と呼ぶ。 また微小なベース電流と比べ大きいコレクタ電流が流れることをで電流増幅作用と呼ぶ。

ゲートソース間電圧が0[V]の状態でドレインソース間電圧を印加するとドレイン電流が流れる。 ゲートソース間電圧を印加するとpn接合部で空乏層が広がるためドレイン電流が小さくなる。 ゲートソース間電圧をより大きくすると空乏層がチャネルを完全に塞ぐためドレイン電流は流れなくなる。この時のゲートソース間電圧をピンチオフ電圧と呼ぶ。