問題一覧
1
個体のエネルギーバンド理論
2
電子同士が互いに電機子反作用を起こしあうことでパウリの排他律より共通の電子軌道が1本だけでは電子が2個を超えて電子は存在できない為軌道の本数が増える(幅が広がる)ことになる。
3
原子一個の場合と比較し、自由電子が動きやすくなる
4
エネルギー準位のない領域(自由電子の存在の許されない所)
5
全てのエネルギー準位が価電子で満たされている領域
6
通常、電子は存在しないものの、電子の存在を許されている領域
7
自由電子となって電気伝導の源となる
8
電子が励起したという
9
画像の通りに
10
自由電子が多く存在する
11
禁制帯の幅が非常に大きいため、外部からのエネルギーを受けても価電子帯から伝導帯へ電子は励起しにくい物質
12
価電子帯と伝導体が重なっている場合が多く、自由電子が生成されやすい物質
13
禁制帯の幅が絶縁体まで広くないものの、ある程度の大きさを持っているため、一定以上の外部のエネルギーにより、電子は価電子帯から伝導帯へ電子は励起する
14
エネルギーギャップ
15
Si(シリコン)、Ge(ゲルマニウム)
16
10^-4[Ω・m]以下
17
10^8[Ω・m]以上
18
不純物を含まない半導体
19
画像の通りに
20
価電子帯で電子の抜けた所は電気的に中性の状態から電子が抜けることで生成される正の電荷を持つ穴
21
電荷が移動することになるので電流として観測される
22
キャリア(電荷の運び手)
23
電子-正孔が生成された
24
自由電子と正孔の密度が同じ半導体
25
電子は価電子帯に戻ることになる(再結合することになる)
26
禁制帯の幅以上の外部エネルギーが必要になる
27
不純物半導体(n型半導体とp型半導体)
28
ドーピング(添加)
29
n型半導体
30
共有結合しているSi、GeにV族元素であるP(リン)、As(ヒ素)、Sb(アンチモン)を添加している半導体
31
過剰電子
32
原子同士の結合に使われないため、他の電子と比べ自由電子になりやすい(動きやすい)
33
写真の通りに
34
非常に小さい
35
ドナー準位から電子が伝導帯へ励起するようになる
36
多数キャリアが自由電子であり、自由電子は-であるためマイナスを意味するnegativeよりそう呼ばれる。
37
p型半導体
38
共有結合しているSi、GeにIII族元素であるAl(アルミニウム)、In(インジウム)、Ga(ガリウム)を添加した半導体
39
原子同士の結合に使いたい電子が1個少ない
40
画像の通りに
41
非常に小さい
42
価電子帯から励起した電子がアクセプタ準位に捕えられることになる
43
多数キャリアが正孔のため+の電荷をもち+を意味するpositiveからそう呼ばれている
44
A:自由電子, B:正孔, C:正孔, D:自由電子, E:区別なし, F:区別なし
45
化合物半導体
46
2種類以上の元素を組み合わせて作製された半導体
47
σ(電気伝導度[S/cm])=e(電気素量[1.602×10^-19])×n(1cmあたりの電子数[/cm^3])×μ(移動度[cm^2/V•sec])
48
p=1/σ
49
p=1.734[Ω•cm]
50
電界の印加 キャリアの密度差(濃度差)
51
＋極: 自由電子 -極: 正孔
52
ドリフト運動 ドリフト電流
53
高い所から低い所
54
拡散運動 拡散電流
55
拡散電流
56
正孔の流れる向き
57
キャリアライフタイム
58
n型半導体内に注入された正孔が再結合により消滅してしまうまで、p型半導体内に注入された自由電子が再結合により消滅してしまうまでの時間のこと
59
ドリフト電流、拡散電流
60
ドリフト電流
61
ドリフト電流
62
低温から温度を上げていくとドナー準位から伝導帯へ電子が励起し、自由電子の密度が増加する
63
ドナー準位から電子が励起しきっており、価電子帯から伝導帯へ電子が励起するほどのエネルギーはないため、自由電子の密度は変化せず一定となる
64
価電子帯から励起する電子が増加し、ドナー準位から励起した電子数よりはるかに多くなることによって高温になればなるほど真性半導体とみなせるようになる
65
真性領域
政治経済①
政治経済①
け · 32問 · 2年前政治経済①
政治経済①
32問 • 2年前政治経済②
政治経済②
け · 13問 · 2年前政治経済②
政治経済②
13問 • 2年前政治経済③
政治経済③
け · 15問 · 2年前政治経済③
政治経済③
15問 • 2年前政治経済④
政治経済④
け · 11問 · 2年前政治経済④
政治経済④
11問 • 2年前英語A⑤(Unit4)
英語A⑤(Unit4)
け · 32問 · 2年前英語A⑤(Unit4)
英語A⑤(Unit4)
32問 • 2年前英語A⑥(Unit5)
英語A⑥(Unit5)
け · 31問 · 2年前英語A⑥(Unit5)
英語A⑥(Unit5)
31問 • 2年前英語A⑦(Unit6)
英語A⑦(Unit6)
け · 51問 · 2年前英語A⑦(Unit6)
英語A⑦(Unit6)
51問 • 2年前B
B
け · 59問 · 2年前B
B
59問 • 2年前政経①
政経①
け · 11問 · 2年前政経①
政経①
11問 • 2年前政経②
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け · 14問 · 2年前政経②
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14問 • 2年前政経③
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け · 9問 · 2年前政経③
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9問 • 2年前政経④
政経④
け · 9問 · 2年前政経④
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9問 • 2年前英語A(Unit7)
英語A(Unit7)
け · 36問 · 2年前英語A(Unit7)
英語A(Unit7)
36問 • 2年前英語A(Unit8)
英語A(Unit8)
け · 41問 · 2年前英語A(Unit8)
英語A(Unit8)
41問 • 2年前英語A(Unit9)
英語A(Unit9)
け · 30問 · 2年前英語A(Unit9)
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30問 • 2年前電子デバイス
電子デバイス
け · 21問 · 2年前電子デバイス
電子デバイス
21問 • 2年前問題一覧
1
個体のエネルギーバンド理論
2
電子同士が互いに電機子反作用を起こしあうことでパウリの排他律より共通の電子軌道が1本だけでは電子が2個を超えて電子は存在できない為軌道の本数が増える(幅が広がる)ことになる。
3
原子一個の場合と比較し、自由電子が動きやすくなる
4
エネルギー準位のない領域(自由電子の存在の許されない所)
5
全てのエネルギー準位が価電子で満たされている領域
6
通常、電子は存在しないものの、電子の存在を許されている領域
7
自由電子となって電気伝導の源となる
8
電子が励起したという
9
画像の通りに
10
自由電子が多く存在する
11
禁制帯の幅が非常に大きいため、外部からのエネルギーを受けても価電子帯から伝導帯へ電子は励起しにくい物質
12
価電子帯と伝導体が重なっている場合が多く、自由電子が生成されやすい物質
13
禁制帯の幅が絶縁体まで広くないものの、ある程度の大きさを持っているため、一定以上の外部のエネルギーにより、電子は価電子帯から伝導帯へ電子は励起する
14
エネルギーギャップ
15
Si(シリコン)、Ge(ゲルマニウム)
16
10^-4[Ω・m]以下
17
10^8[Ω・m]以上
18
不純物を含まない半導体
19
画像の通りに
20
価電子帯で電子の抜けた所は電気的に中性の状態から電子が抜けることで生成される正の電荷を持つ穴
21
電荷が移動することになるので電流として観測される
22
キャリア(電荷の運び手)
23
電子-正孔が生成された
24
自由電子と正孔の密度が同じ半導体
25
電子は価電子帯に戻ることになる(再結合することになる)
26
禁制帯の幅以上の外部エネルギーが必要になる
27
不純物半導体(n型半導体とp型半導体)
28
ドーピング(添加)
29
n型半導体
30
共有結合しているSi、GeにV族元素であるP(リン)、As(ヒ素)、Sb(アンチモン)を添加している半導体
31
過剰電子
32
原子同士の結合に使われないため、他の電子と比べ自由電子になりやすい(動きやすい)
33
写真の通りに
34
非常に小さい
35
ドナー準位から電子が伝導帯へ励起するようになる
36
多数キャリアが自由電子であり、自由電子は-であるためマイナスを意味するnegativeよりそう呼ばれる。
37
p型半導体
38
共有結合しているSi、GeにIII族元素であるAl(アルミニウム)、In(インジウム)、Ga(ガリウム)を添加した半導体
39
原子同士の結合に使いたい電子が1個少ない
40
画像の通りに
41
非常に小さい
42
価電子帯から励起した電子がアクセプタ準位に捕えられることになる
43
多数キャリアが正孔のため+の電荷をもち+を意味するpositiveからそう呼ばれている
44
A:自由電子, B:正孔, C:正孔, D:自由電子, E:区別なし, F:区別なし
45
化合物半導体
46
2種類以上の元素を組み合わせて作製された半導体
47
σ(電気伝導度[S/cm])=e(電気素量[1.602×10^-19])×n(1cmあたりの電子数[/cm^3])×μ(移動度[cm^2/V•sec])
48
p=1/σ
49
p=1.734[Ω•cm]
50
電界の印加 キャリアの密度差(濃度差)
51
＋極: 自由電子 -極: 正孔
52
ドリフト運動 ドリフト電流
53
高い所から低い所
54
拡散運動 拡散電流
55
拡散電流
56
正孔の流れる向き
57
キャリアライフタイム
58
n型半導体内に注入された正孔が再結合により消滅してしまうまで、p型半導体内に注入された自由電子が再結合により消滅してしまうまでの時間のこと
59
ドリフト電流、拡散電流
60
ドリフト電流
61
ドリフト電流
62
低温から温度を上げていくとドナー準位から伝導帯へ電子が励起し、自由電子の密度が増加する
63
ドナー準位から電子が励起しきっており、価電子帯から伝導帯へ電子が励起するほどのエネルギーはないため、自由電子の密度は変化せず一定となる
64
価電子帯から励起する電子が増加し、ドナー準位から励起した電子数よりはるかに多くなることによって高温になればなるほど真性半導体とみなせるようになる
65
真性領域