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電子回路
35問 • 7ヶ月前
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    問題一覧

  • 1

    半導体とは

    導体と不導体の中間の抵抗を持つ物質

  • 2

    金属は温度が上昇すると抵抗値はどうなるか

    増加する

  • 3

    半導体は温度が上昇すると抵抗値はどうなるか

    減少する

  • 4

    半導体に使われる元素には何があるか

    シリコン ゲルマニウム

  • 5

    真性半導体とは何を含まない高純度な半導体か、またキャリアとなる自由電子の数と何が等しいか

    不純物 正孔

  • 6

    n型半導体は価電子の数が何個の原子を用いているか、

    5こ

  • 7

    n型半導体の不純物をなんというか

    ドナー

  • 8

    n型半導体には何が使われるか

    リン ヒ素

  • 9

    n型半導体の多数キャリア派なにか

    自由電子

  • 10

    性の電荷を持った穴をなんというか

    正孔

  • 11

    自由電子と正孔を電荷の運び手と言う意味で何と呼ぶか

    キャリア

  • 12

    キャリアが、生じることをなんというか

    キャリアの発生

  • 13

    p型半導体に用いられる原子の価電子数は

    3個

  • 14

    人工的に正孔を作るために混入する不純物をなんというか

    アクセプタ

  • 15

    p型半導体に用いられる物質

    ホウ素

  • 16

    p型半導体の多数キャリア

    正孔

  • 17

    ドリフト現象とは

    半導体に電界を加えると正孔は電界の向き 自由電子は逆向きに移動するため電界の逆向きに電流が流れること

  • 18

    拡散とは

    半導体においてキャリアの濃度の差があると濃度の高い部分から低い部分に向かってキャリアの移動が起きること

  • 19

    キャリアの再結合とは

    熱や光などのエネルギーによって発生した半導体内の自由電子と正孔は一定時間のうちに互いに消滅すること

  • 20

    空乏層とは

    キャリアの再結合によりキャリアが存在しなくなった空間のこと

  • 21

    空乏層はどのような性質を持つか

    絶縁体と同じような性質を持つ

  • 22

    降伏現象とは

    ある電圧で急に大きな逆電流が流れ始めること

  • 23

    不感領域とは

    順電流が流れるまでの部分

  • 24

    eVとは

    1個の電子が1Vの電位差を移動するのに必要なエネルギー

  • 25

    金属と半導体を接触させて作るダイオード

    ショットキー接合ダイオード

  • 26

    真性半導体を挟んだ構造で降伏電圧が高いダイオード

    pinダイオード

  • 27

    順方向に電流を流しキャリア同士の接合を用いるダイオード

    発光ダイオード

  • 28

    逆方向電圧を加えた時の空乏層幅の変化を利用するダイオード

    可変容量ダイオード

  • 29

    逆方向に電圧を加え一定の電圧を得るダイオード

    ツェナーダイオード

  • 30

    この向きで電圧を加えた時エネルギーバンド図でエネルギーが上昇するのはどちらか

    1

  • 31

    この時どのような向きに電圧を加えると電流が流れるか

    この向き

  • 32

    直流電流増幅率hfeの求め方

    Ic/Ib

  • 33

    エミッタ電流IeとIb Icとしたときの関係式

    Ie =Ic+Ib

  • 34

    解け

    出力電圧は逆電圧のときは出力されないかは 出力電圧の平均値は入力電圧の半分になる

  • 35

    解いて

    (a)npn型(b)pnp型 1.4 ベース 3.6エミッタ 2.5コレクタ

  • nihonmnmshi

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    増加する

  • 3

    半導体は温度が上昇すると抵抗値はどうなるか

    減少する

  • 4

    半導体に使われる元素には何があるか

    シリコン ゲルマニウム

  • 5

    真性半導体とは何を含まない高純度な半導体か、またキャリアとなる自由電子の数と何が等しいか

    不純物 正孔

  • 6

    n型半導体は価電子の数が何個の原子を用いているか、

    5こ

  • 7

    n型半導体の不純物をなんというか

    ドナー

  • 8

    n型半導体には何が使われるか

    リン ヒ素

  • 9

    n型半導体の多数キャリア派なにか

    自由電子

  • 10

    性の電荷を持った穴をなんというか

    正孔

  • 11

    自由電子と正孔を電荷の運び手と言う意味で何と呼ぶか

    キャリア

  • 12

    キャリアが、生じることをなんというか

    キャリアの発生

  • 13

    p型半導体に用いられる原子の価電子数は

    3個

  • 14

    人工的に正孔を作るために混入する不純物をなんというか

    アクセプタ

  • 15

    p型半導体に用いられる物質

    ホウ素

  • 16

    p型半導体の多数キャリア

    正孔

  • 17

    ドリフト現象とは

    半導体に電界を加えると正孔は電界の向き 自由電子は逆向きに移動するため電界の逆向きに電流が流れること

  • 18

    拡散とは

    半導体においてキャリアの濃度の差があると濃度の高い部分から低い部分に向かってキャリアの移動が起きること

  • 19

    キャリアの再結合とは

    熱や光などのエネルギーによって発生した半導体内の自由電子と正孔は一定時間のうちに互いに消滅すること

  • 20

    空乏層とは

    キャリアの再結合によりキャリアが存在しなくなった空間のこと

  • 21

    空乏層はどのような性質を持つか

    絶縁体と同じような性質を持つ

  • 22

    降伏現象とは

    ある電圧で急に大きな逆電流が流れ始めること

  • 23

    不感領域とは

    順電流が流れるまでの部分

  • 24

    eVとは

    1個の電子が1Vの電位差を移動するのに必要なエネルギー

  • 25

    金属と半導体を接触させて作るダイオード

    ショットキー接合ダイオード

  • 26

    真性半導体を挟んだ構造で降伏電圧が高いダイオード

    pinダイオード

  • 27

    順方向に電流を流しキャリア同士の接合を用いるダイオード

    発光ダイオード

  • 28

    逆方向電圧を加えた時の空乏層幅の変化を利用するダイオード

    可変容量ダイオード

  • 29

    逆方向に電圧を加え一定の電圧を得るダイオード

    ツェナーダイオード

  • 30

    この向きで電圧を加えた時エネルギーバンド図でエネルギーが上昇するのはどちらか

    1

  • 31

    この時どのような向きに電圧を加えると電流が流れるか

    この向き

  • 32

    直流電流増幅率hfeの求め方

    Ic/Ib

  • 33

    エミッタ電流IeとIb Icとしたときの関係式

    Ie =Ic+Ib

  • 34

    解け

    出力電圧は逆電圧のときは出力されないかは 出力電圧の平均値は入力電圧の半分になる

  • 35

    解いて

    (a)npn型(b)pnp型 1.4 ベース 3.6エミッタ 2.5コレクタ