接合型FET

13問 • 2年前

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回路記号について答えよ 1）FETの種類 2）aのチャネル型 3）bのチャネル型

接合型FET, nチャネル型, pチャネル型

接合型FETについて、ドレイン電流Idを制御する電圧の名称

Vgs

n型接合型FETの構造を図示せよ。ただし、電圧とキャリアも書くものとする。　　　　　　　　スクロールで答え　　　　　　　　　　　 ↓

正解

接合型FETの構造の特徴を4つ答えよ

ゲートとソース・ドレインの半導体は種類が異なる, ゲート端子は2つ存在する, ソース端子とドレイン端子は同じ半導体の両端に配置される, ソース・ドレインの半導体の種類によってnチャネル型、pチャネル型に分類される

接合型FETの2つの電源の役割を答えよ SD半導体＝ソース・ドレインの半導体名称:説明

Vgs:空乏層の幅を変えて、SD半導体の多数キャリアの移動量を制御する役割, Vds:SD半導体の多数キャリアをソースからドレイン側へ移動させる役割

接合型FETについて、Vdsを一定とし、Vgsを変化させた時の特性名称、特性図をかけ

伝達特性

接合型FETについて、Vgsを一定とし、Vdsを変化させた時の特性名称、特性図をかけ

出力特性

相互コンダクタンスの役割

FETを評価する値のひとつで、伝達特性の傾きから算出する。相互コンダクタンスが大きいと、小さなVgsの変化で大きなIdの変化を得られる。

接合型FETの伝達特性について、図から条件式、この状態の説明、Idの様子をかけ

Vgs=0V, Vdsを印加すると、SD半導体の多数キャリアがチャネルを通ってソースからドレイン側へ移動する。, Vdsを一定にすると、一定のIdが流れる。

接合型FETの伝達特性について、図から条件式、この状態の説明をかけ

Vgs=小, Vgsを印加すると、G半導体とSD半導体間のpn接合は逆方向バイアス状態となり、これにより空乏層が発生する。

接合型FETの伝達特性について、図から条件式、この状態の説明、Idの様子をかけ

Vgs=大, Vgsをさらに大きくすると、空乏層の幅は大きくなり、これによりチャネルの幅が狭くなり、やがて切れる。, Vdsは一定のためIdは流れず、VgsでIdを制御したことになる。

接合型FETの出力特性について、図から条件式、この状態の説明、Idの様子をかけ

Vds=0~数V, Vgsを一定にし、Vdsを印加すると、SD半導体の多数キャリアがチャネルを通ってソースからドレイン側へ移動する。, Vdsを大きくすると、ほぼ比例してIdも大きくなる。

接合型FETの出力特性について、図から条件式、この状態の説明、Idの様子をかけ

Vds>=ピンチオフ電圧, Vgsが一定でも、Vdsの増加によって、SD半導体とG半導体の電位差が大きくなり、空乏層が広がる。空乏層は、逆方向バイアス状態がより強まるドレイン側で広がりやすくなる。これによりチャネルが狭くなって一種の抵抗が生じる。, Vdsを増加するとIdは増加しにくくやり、ピンチオフ電圧以上で飽和する。

1-1-1 民主政治の確立

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1-1-2 基本的人権の確立

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1-1-3 現代の民主政治