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MOS構造

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6問 • 2年前
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  • 1

    MOSの正式名称を答えよ

    Metal-Oxide-Semiconductor

  • 2

    MOS構造の理想条件を2つ答えよ

    金属と半導体の仕事関数が同じ, 絶縁体内部及び表面に電荷が存在しない

  • 3

    仕事関数とはなにか

    真空順位とフェルミ順位のエネルギー差

  • 4

    電子親和力とはなにか

    真空順位と伝導帯下端のエネルギー差

  • 5

    フラットバンド状態とはなにか

    M,O,S領域のエネルギーバンドが平坦に示される状態

  • 6

    MOS構造のゲート電圧の違いによる3つの状態について説明しろ(Sがp型の場合) 名称:説明

    蓄積状態:金属側に負の電圧を印加すると、酸化物の分極作用により、半導体内部の正孔が酸化物付近に過密になる状態, 空乏状態:金属側に正の電圧を印加すると、酸化物の分極作用により、半導体内部の正孔が追いやられ、酸化物付近に空乏層が発生する状態, 反転状態:空乏状態から更に正の電圧を印加すると、酸化物付近に少数キャリアの自由電子が引き寄せられ、過密になる状態

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    Metal-Oxide-Semiconductor

  • 2

    MOS構造の理想条件を2つ答えよ

    金属と半導体の仕事関数が同じ, 絶縁体内部及び表面に電荷が存在しない

  • 3

    仕事関数とはなにか

    真空順位とフェルミ順位のエネルギー差

  • 4

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  • 5

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    M,O,S領域のエネルギーバンドが平坦に示される状態

  • 6

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    蓄積状態:金属側に負の電圧を印加すると、酸化物の分極作用により、半導体内部の正孔が酸化物付近に過密になる状態, 空乏状態:金属側に正の電圧を印加すると、酸化物の分極作用により、半導体内部の正孔が追いやられ、酸化物付近に空乏層が発生する状態, 反転状態:空乏状態から更に正の電圧を印加すると、酸化物付近に少数キャリアの自由電子が引き寄せられ、過密になる状態