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問題一覧
1
チャネル
2
ソース（S）, ゲート（G）, ドレイン（D）
3
伝達特性, 出力特性
4
1種類
5
接合型FET, nチャネル型, pチャネル型
6
Vgs
7
正解
8
ゲートとソース・ドレインの半導体は種類が異なる, ゲート端子は2つ存在する, ソース端子とドレイン端子は同じ半導体の両端に配置される, ソース・ドレインの半導体の種類によってnチャネル型、pチャネル型に分類される
9
Vgs:空乏層の幅を変えて、SD半導体の多数キャリアの移動量を制御する役割, Vds:SD半導体の多数キャリアをソースからドレイン側へ移動させる役割
10
伝達特性
11
出力特性
12
FETを評価する値のひとつで、伝達特性の傾きから算出する。相互コンダクタンスが大きいと、小さなVgsの変化で大きなIdの変化を得られる。
13
Vgs=0V, Vdsを印加すると、SD半導体の多数キャリアがチャネルを通ってソースからドレイン側へ移動する。, Vdsを一定にすると、一定のIdが流れる。
14
Vgs=小, Vgsを印加すると、G半導体とSD半導体間のpn接合は逆方向バイアス状態となり、これにより空乏層が発生する。
15
Vgs=大, Vgsをさらに大きくすると、空乏層の幅は大きくなり、これによりチャネルの幅が狭くなり、やがて切れる。, Vdsは一定のためIdは流れず、VgsでIdを制御したことになる。
16
Vds=0~数V, Vgsを一定にし、Vdsを印加すると、SD半導体の多数キャリアがチャネルを通ってソースからドレイン側へ移動する。, Vdsを大きくすると、ほぼ比例してIdも大きくなる。
17
Vds>=ピンチオフ電圧, Vgsが一定でも、Vdsの増加によって、SD半導体とG半導体の電位差が大きくなり、空乏層が広がる。空乏層は、逆方向バイアス状態がより強まるドレイン側で広がりやすくなる。これによりチャネルが狭くなって一種の抵抗が生じる。, Vdsを増加するとIdは増加しにくくやり、ピンチオフ電圧以上で飽和する。
18
Metal-Oxide-Semiconductor
19
金属と半導体の仕事関数が同じ, 絶縁体内部及び表面に電荷が存在しない
20
真空順位とフェルミ順位のエネルギー差
21
真空順位と伝導帯下端のエネルギー差
22
M,O,S領域のエネルギーバンドが平坦に示される状態
23
蓄積状態:金属側に負の電圧を印加すると、酸化物の分極作用により、半導体内部の正孔が酸化物付近に過密になる状態, 空乏状態:金属側に正の電圧を印加すると、酸化物の分極作用により、半導体内部の正孔が追いやられ、酸化物付近に空乏層が発生する状態, 反転状態:空乏状態から更に正の電圧を印加すると、酸化物付近に少数キャリアの自由電子が引き寄せられ、過密になる状態
24
エンハンスメント型MOSFET, nチャネル型, pチャネル型
25
デプレッション型MOSFET, nチャネル型, pチャネル型
26
エンハンスメント型:ゲート電圧を印加しないとドレイン電流が流れないFET, デプレッション型:ゲート電圧を印加しなくてもドレイン電流が流れるFET
27
正解
28
MOS構造のうち、金属側を端子とする, MOS構造の半導体がp型の場合、その中にn+領域をふたつ作り、それぞれをソース、ドレイン端子とする, 反転層内を自由電子が通ればnチャネル型、正孔が通ればpチャネル型となる
29
伝達特性
30
出力特性
31
MOSFETは、ソースからドレイン側へn+、p、n+の構造となっているため、Vdsを印加しても逆方向バイアス状態となってIdは流れない
32
Vgsを印加すると、酸化物の分極作用により空乏状態となる。さらにVgsを印加すると反転状態となり、チャネルが形成される。, 反転層により、ソースからドレイン側へn+、n、n+の構造になりIdが流れる。
33
Vds=0~数V, Vgsを一定にし、Vdsを印加すると、SD半導体の多数キャリアがチャネルを通ってソースからドレイン側へ移動する。, Vdsを大きくすると、ほぼ比例してIdも大きくなる。
34
Vds>=ピンチオフ電圧, Vgsが一定でも、Vdsの増加によって、SD半導体とMOS構造に利用している半導体の電位差が大きくなり空乏層が広がる。空乏層は、Vgsの効果をより弱めるドレイン側で広がりやすくなる。これによりチャネルが狭くなって一種の抵抗が生じる。, Vdsがピンチオフ電圧以上になると、Idは増加しにくくやり、やがて飽和する。
35
Vgsが0Vのときドレイン電流が流れないため、スイッチングとして用いる
36
動作ごとのしきい値が違うため高周波増幅に用いる
37
入力インピーダンスが高い, 温度特性が安定的, 構造が単純, 動作が遅い
38
一般に入力となるVgsは、逆方向バイアス状態で動作させるため、入力に流れ込む電流はほぼ0であるから
39
温度の増加により少数キャリアが増えても、動作自体が多数キャリアのみのため、素子への影響が少ない
40
動作時の多数キャリアの移動距離がバイポーラトランジスタよりも長いため、その分動作速度が遅くなる
1-1-1 民主政治の確立
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政経
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政経
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政経2
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政経2
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えび
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接合型FET
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MOS構造
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MOSFET
ユーザ名非公開 · 17問 · 2年前MOSFET
MOSFET
17問 • 2年前問題一覧
1
チャネル
2
ソース（S）, ゲート（G）, ドレイン（D）
3
伝達特性, 出力特性
4
1種類
5
接合型FET, nチャネル型, pチャネル型
6
Vgs
7
正解
8
ゲートとソース・ドレインの半導体は種類が異なる, ゲート端子は2つ存在する, ソース端子とドレイン端子は同じ半導体の両端に配置される, ソース・ドレインの半導体の種類によってnチャネル型、pチャネル型に分類される
9
Vgs:空乏層の幅を変えて、SD半導体の多数キャリアの移動量を制御する役割, Vds:SD半導体の多数キャリアをソースからドレイン側へ移動させる役割
10
伝達特性
11
出力特性
12
FETを評価する値のひとつで、伝達特性の傾きから算出する。相互コンダクタンスが大きいと、小さなVgsの変化で大きなIdの変化を得られる。
13
Vgs=0V, Vdsを印加すると、SD半導体の多数キャリアがチャネルを通ってソースからドレイン側へ移動する。, Vdsを一定にすると、一定のIdが流れる。
14
Vgs=小, Vgsを印加すると、G半導体とSD半導体間のpn接合は逆方向バイアス状態となり、これにより空乏層が発生する。
15
Vgs=大, Vgsをさらに大きくすると、空乏層の幅は大きくなり、これによりチャネルの幅が狭くなり、やがて切れる。, Vdsは一定のためIdは流れず、VgsでIdを制御したことになる。
16
Vds=0~数V, Vgsを一定にし、Vdsを印加すると、SD半導体の多数キャリアがチャネルを通ってソースからドレイン側へ移動する。, Vdsを大きくすると、ほぼ比例してIdも大きくなる。
17
Vds>=ピンチオフ電圧, Vgsが一定でも、Vdsの増加によって、SD半導体とG半導体の電位差が大きくなり、空乏層が広がる。空乏層は、逆方向バイアス状態がより強まるドレイン側で広がりやすくなる。これによりチャネルが狭くなって一種の抵抗が生じる。, Vdsを増加するとIdは増加しにくくやり、ピンチオフ電圧以上で飽和する。
18
Metal-Oxide-Semiconductor
19
金属と半導体の仕事関数が同じ, 絶縁体内部及び表面に電荷が存在しない
20
真空順位とフェルミ順位のエネルギー差
21
真空順位と伝導帯下端のエネルギー差
22
M,O,S領域のエネルギーバンドが平坦に示される状態
23
蓄積状態:金属側に負の電圧を印加すると、酸化物の分極作用により、半導体内部の正孔が酸化物付近に過密になる状態, 空乏状態:金属側に正の電圧を印加すると、酸化物の分極作用により、半導体内部の正孔が追いやられ、酸化物付近に空乏層が発生する状態, 反転状態:空乏状態から更に正の電圧を印加すると、酸化物付近に少数キャリアの自由電子が引き寄せられ、過密になる状態
24
エンハンスメント型MOSFET, nチャネル型, pチャネル型
25
デプレッション型MOSFET, nチャネル型, pチャネル型
26
エンハンスメント型:ゲート電圧を印加しないとドレイン電流が流れないFET, デプレッション型:ゲート電圧を印加しなくてもドレイン電流が流れるFET
27
正解
28
MOS構造のうち、金属側を端子とする, MOS構造の半導体がp型の場合、その中にn+領域をふたつ作り、それぞれをソース、ドレイン端子とする, 反転層内を自由電子が通ればnチャネル型、正孔が通ればpチャネル型となる
29
伝達特性
30
出力特性
31
MOSFETは、ソースからドレイン側へn+、p、n+の構造となっているため、Vdsを印加しても逆方向バイアス状態となってIdは流れない
32
Vgsを印加すると、酸化物の分極作用により空乏状態となる。さらにVgsを印加すると反転状態となり、チャネルが形成される。, 反転層により、ソースからドレイン側へn+、n、n+の構造になりIdが流れる。
33
Vds=0~数V, Vgsを一定にし、Vdsを印加すると、SD半導体の多数キャリアがチャネルを通ってソースからドレイン側へ移動する。, Vdsを大きくすると、ほぼ比例してIdも大きくなる。
34
Vds>=ピンチオフ電圧, Vgsが一定でも、Vdsの増加によって、SD半導体とMOS構造に利用している半導体の電位差が大きくなり空乏層が広がる。空乏層は、Vgsの効果をより弱めるドレイン側で広がりやすくなる。これによりチャネルが狭くなって一種の抵抗が生じる。, Vdsがピンチオフ電圧以上になると、Idは増加しにくくやり、やがて飽和する。
35
Vgsが0Vのときドレイン電流が流れないため、スイッチングとして用いる
36
動作ごとのしきい値が違うため高周波増幅に用いる
37
入力インピーダンスが高い, 温度特性が安定的, 構造が単純, 動作が遅い
38
一般に入力となるVgsは、逆方向バイアス状態で動作させるため、入力に流れ込む電流はほぼ0であるから
39
温度の増加により少数キャリアが増えても、動作自体が多数キャリアのみのため、素子への影響が少ない
40
動作時の多数キャリアの移動距離がバイポーラトランジスタよりも長いため、その分動作速度が遅くなる