問題一覧
1
外部モニタを設置し、加速器からの出力変動を確認する。, 相互校正に使用する線質はR₅₀>7.0 gcm⁻²とする。
2
Pwall
3
円筒形電離箱を使用する場合、電離空洞の幾何学的中心から0.6r線源側に移動させる。
4
深部の測定ほど水と空気の阻止能比は大きい。
5
校正深は10 gcm⁻²である。
6
深さによってイオン収集効率が変化する。
7
7.2 cm×7.2 cm
8
照射ヘッドからの混入電子の影響を受けない。
9
PDDおよびTMRの測定では電離箱の基準点は実効中心である。
10
照射野サイズは出力係数の基準とする。
11
OARーーーーSAD一定, WFーーーー10 g/cm²
12
WFは高原子番号物質のくさびフィルタを使用した場合のみ求める必要がある。, Scpの基準照射野サイズは10 cm×10 cmである。
13
フルエンスの擾乱は無視できる。
14
PDD, OCR
15
全散乱係数
16
ビームモデリングに必要なデータは校正点水吸収線量のみである。
17
スキャン速度を増加させると収集電荷量の変動は小さくなる。, 深部線量関数の測定時は関数の種類にかかわらず、外部モニタ電離箱の設置位置は水ファントムの上面かつ照射野端とする。
18
X線の深部線量関数の測定では擾乱補正が必要となる。
19
体積平均効果の影響を考慮する必要がある。, 照射野サイズより小さな有感体積の検出器を使用する。
20
OCR, OPF
21
Dee電極
22
AVFサイクロトロンは強収束の原理を使用する。, サイクロトロンは最大半径になったときにビームを取り出す。
23
平坦化フィルタはモニタ線量計の下流に配置される。
24
偏向磁石を通過後の電子のビーム直径は約1 cmである。
25
サイクロトロン
26
全てのエネルギーに対して平行平板形電離箱が推奨される。, ファントム材質は水が推奨される。
27
Rres
28
電位計は電離箱と分離校正を行った場合、1年に1回校正が推奨される。
29
比電離が大きい。, 飛程終端部で比電離を残す。
30
全てのエネルギーに対し、平行平板形電離箱の使用が推奨される。, 電離箱基準点は実効中心とする。
電気工学再試験
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82問 • 1年前問題一覧
1
外部モニタを設置し、加速器からの出力変動を確認する。, 相互校正に使用する線質はR₅₀>7.0 gcm⁻²とする。
2
Pwall
3
円筒形電離箱を使用する場合、電離空洞の幾何学的中心から0.6r線源側に移動させる。
4
深部の測定ほど水と空気の阻止能比は大きい。
5
校正深は10 gcm⁻²である。
6
深さによってイオン収集効率が変化する。
7
7.2 cm×7.2 cm
8
照射ヘッドからの混入電子の影響を受けない。
9
PDDおよびTMRの測定では電離箱の基準点は実効中心である。
10
照射野サイズは出力係数の基準とする。
11
OARーーーーSAD一定, WFーーーー10 g/cm²
12
WFは高原子番号物質のくさびフィルタを使用した場合のみ求める必要がある。, Scpの基準照射野サイズは10 cm×10 cmである。
13
フルエンスの擾乱は無視できる。
14
PDD, OCR
15
全散乱係数
16
ビームモデリングに必要なデータは校正点水吸収線量のみである。
17
スキャン速度を増加させると収集電荷量の変動は小さくなる。, 深部線量関数の測定時は関数の種類にかかわらず、外部モニタ電離箱の設置位置は水ファントムの上面かつ照射野端とする。
18
X線の深部線量関数の測定では擾乱補正が必要となる。
19
体積平均効果の影響を考慮する必要がある。, 照射野サイズより小さな有感体積の検出器を使用する。
20
OCR, OPF
21
Dee電極
22
AVFサイクロトロンは強収束の原理を使用する。, サイクロトロンは最大半径になったときにビームを取り出す。
23
平坦化フィルタはモニタ線量計の下流に配置される。
24
偏向磁石を通過後の電子のビーム直径は約1 cmである。
25
サイクロトロン
26
全てのエネルギーに対して平行平板形電離箱が推奨される。, ファントム材質は水が推奨される。
27
Rres
28
電位計は電離箱と分離校正を行った場合、1年に1回校正が推奨される。
29
比電離が大きい。, 飛程終端部で比電離を残す。
30
全てのエネルギーに対し、平行平板形電離箱の使用が推奨される。, 電離箱基準点は実効中心とする。