デバイスゴミ
問題一覧
1
半導体, 電流, 直角方向, 磁界, 印加電流, 電圧
2
ローレンツ力, 電気素量, 速度, 磁束密度
3
ホール電界, 電気素量, 速度, 磁束密度
4
電流密度, 電気素量, 正孔密度, 速度
5
速度, 磁束密度, 電流密度, 電気素量, 正孔密度, ホール係数, m^3/C
6
ホール電界, 半導体の厚さ
7
ホール移動度, 電流密度, 電気素量, 正孔密度, 長さ方向の電圧
8
半導体の型 Vhが正ならばp型, キャリア密度 p,n, キャリアの移動度 μh
9
p型半導体とn型半導体を原子レベルで接合させたもの
10
キャリアの密度差によるもの, フェルミ準位が一致した場合
11
接触電位差, 拡散電位, 内部電界
12
空乏層
13
電子の詰まっているエネルギー的な高さ
14
絶対零度時は電子の詰まっている最大のエネルギーの高さ, それ以外時は電子の存在確率が1/2のエネルギーの高さ
15
記載後
16
記載後
17
キャリアの移動がないため, 電位障壁
18
正孔はn型側に引き付けられ、自由電子はp型側に引き付けられることで、接合部をキャリアが通過し、電流が流れる, 順方向バイアス
19
正孔がp型側に引き付けられ、自由電子がn型側に惹きつけられるため、接合部を通過せず、電流が流れない, 逆方向バイアス
20
整流性
21
正の電圧 フェルミ準位が下がる p型側, 負の電圧 フェルミ準位が上がる n型側
22
ない
23
正の電圧 フェルミ準位が上がる p型側, 負の電圧 フェルミ準位が下がる n型側
24
逆方向バイアスを印加し、その電圧の大きさをある値以上大きくすると急激に電流が流れる現象のこと, 電子なだれ降伏, ツェナー降伏
25
絶縁体, 絶縁破壊, 1μm程度
26
10nm
27
電子がもともと並の性質を持つため、価電子帯から伝導体へ励起するのではなく、禁制帯の狭い幅を通り抜けること
28
pn接合に交流信号を印加した場合に見られる現象, バイポーラトランジスタ
29
半導体素子, 外部電界, 少数キャリア, 残留
30
速いスイッチング時間で状態が切り替わることが要求される計算機などで使用する場合
31
信号増幅作用, スイッチング作用
32
接合型トランジスタ
33
2箇所のpn接合から構成, 3つの領域がある, 各領域の不純物濃度を段階的に変えられ、領域の幅も異なる
34
エミッタ:印加電圧に応じて、多数キャリアをベース領域へ送り込む, ベース:エミッタ領域から送り込まれた多数キャリアをコレクタまで送る, コレクタ:ベース領域からの多数キャリアを集める役割
35
エミッタ電流, ベース電流, コレクタ電流
36
β=α/1-α, α＝β/1+β
37
電圧増幅度, 電流増幅度, 電力増幅度
38
Gv=20log10Av, Gi=20log10Ai, Gp=10log10Ap
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金子琉空 · 20問 · 2年前英語ゴミ
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38問 • 2年前問題一覧
1
半導体, 電流, 直角方向, 磁界, 印加電流, 電圧
2
ローレンツ力, 電気素量, 速度, 磁束密度
3
ホール電界, 電気素量, 速度, 磁束密度
4
電流密度, 電気素量, 正孔密度, 速度
5
速度, 磁束密度, 電流密度, 電気素量, 正孔密度, ホール係数, m^3/C
6
ホール電界, 半導体の厚さ
7
ホール移動度, 電流密度, 電気素量, 正孔密度, 長さ方向の電圧
8
半導体の型 Vhが正ならばp型, キャリア密度 p,n, キャリアの移動度 μh
9
p型半導体とn型半導体を原子レベルで接合させたもの
10
キャリアの密度差によるもの, フェルミ準位が一致した場合
11
接触電位差, 拡散電位, 内部電界
12
空乏層
13
電子の詰まっているエネルギー的な高さ
14
絶対零度時は電子の詰まっている最大のエネルギーの高さ, それ以外時は電子の存在確率が1/2のエネルギーの高さ
15
記載後
16
記載後
17
キャリアの移動がないため, 電位障壁
18
正孔はn型側に引き付けられ、自由電子はp型側に引き付けられることで、接合部をキャリアが通過し、電流が流れる, 順方向バイアス
19
正孔がp型側に引き付けられ、自由電子がn型側に惹きつけられるため、接合部を通過せず、電流が流れない, 逆方向バイアス
20
整流性
21
正の電圧 フェルミ準位が下がる p型側, 負の電圧 フェルミ準位が上がる n型側
22
ない
23
正の電圧 フェルミ準位が上がる p型側, 負の電圧 フェルミ準位が下がる n型側
24
逆方向バイアスを印加し、その電圧の大きさをある値以上大きくすると急激に電流が流れる現象のこと, 電子なだれ降伏, ツェナー降伏
25
絶縁体, 絶縁破壊, 1μm程度
26
10nm
27
電子がもともと並の性質を持つため、価電子帯から伝導体へ励起するのではなく、禁制帯の狭い幅を通り抜けること
28
pn接合に交流信号を印加した場合に見られる現象, バイポーラトランジスタ
29
半導体素子, 外部電界, 少数キャリア, 残留
30
速いスイッチング時間で状態が切り替わることが要求される計算機などで使用する場合
31
信号増幅作用, スイッチング作用
32
接合型トランジスタ
33
2箇所のpn接合から構成, 3つの領域がある, 各領域の不純物濃度を段階的に変えられ、領域の幅も異なる
34
エミッタ:印加電圧に応じて、多数キャリアをベース領域へ送り込む, ベース:エミッタ領域から送り込まれた多数キャリアをコレクタまで送る, コレクタ:ベース領域からの多数キャリアを集める役割
35
エミッタ電流, ベース電流, コレクタ電流
36
β=α/1-α, α＝β/1+β
37
電圧増幅度, 電流増幅度, 電力増幅度
38
Gv=20log10Av, Gi=20log10Ai, Gp=10log10Ap