副E 前期期末
問題一覧
1
電子のエネルギー構造図は別名何と呼ばれるか
エネルギーバンド図
2
最も高いエネルギーを持つ電子がいる準位：EＦ
フェルミ準位
3
物質中の電子は高いエネルギーを得ると外に飛び出すことができる。そのエネルギーの境界は何と呼ばれるか
真空準位
4
EＦ(フェルミ準位)と真空準位のエネルギー差を何と呼ぶか(物質に依存する)：Φ
仕事関数
5
真空準位と伝導帯の下端のエネルギー差を何と呼ぶか：Χ(カイ)
電子親和力
6
金属とn形半導体の接触において
[Φ_m＞Φ_ｓの場合]
金属側から見た半導体側の障壁を何と呼ぶか
ショットキー障壁(バリア)
7
金属とn形半導体の接触において
[Φ_m＞Φ_ｓの場合]
ショットキー障壁を表す式
Φ_m‐Χ
8
金属とn形半導体の接触において
[Φ_m＞Φ_ｓの場合]
n形半導体側からみたエネルギー障壁を表す式：qV_Ⅾともかく
Φ_m‐Φ_s
9
金属とn形半導体の接触において
[Φ_m＜Φ_ｓの場合]
障壁は存在する。〇or✕
✕
10
金属とn形半導体の接触において
[Φ_m＜Φ_ｓの場合]
オームの法則が成り立つことからこの接触は何と呼ばれるか
オーム性接触
11
電池に接続したときにV＞０の状態は順バイアスと逆バイアスのどちらか
順バイアス
12
電池に接続したときにV＜０の状態は順バイアスと逆バイアスのどちらか
逆バイアス
13
金属とn形半導体の接触において
[Φ_m＞Φ_sの場合]
電流が一方向のみに流れることを何と呼ぶか
整流特性
14
金属とn形半導体の接触において
[Φ_m＞Φ_s]の場合の接触を何と呼ぶか
ショットキー接触
15
ショットキー接触を用いた素子を何と呼ぶか
ショットキーダイオード
16
ショットキー(バリア)ダイオードにおける電流が急激に流れるようになるときのV_thを何と呼ぶか
しきい値電圧
17
順バイアスになるように電流を流した時の電圧：V_ j
順方向電圧
18
順方向電圧とは逆に電池を接続したときに半導体が耐えることができる最大の電圧：V_Ｒ
逆方向耐圧電圧
19
金属とp形半導体の接触において
[Φ_m＞Φ_sの場合]
ホールに対する障壁はある。〇or✕
✕
20
金属とp形半導体の接触において
[Φ_m＜Φ_sの場合]
ｐ形半導体側から見てホールに障壁はある。〇or✕
〇
21
金属とp形半導体の接触において
[Φ_m＜Φ_sの場合]
エネルギー障壁qV_Ⅾの式として正しいものを選べ
Φ_s‐Φ_m
22
Pn接合の組み合わせで、npnまたはpnpの形で接合した半導体素子を何と呼ぶか
バイポーラトランジスタ
電気
電気
ウー・キヨ · 13問 · 2年前電気
電気
13問 • 2年前国語 現代文
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ウー・キヨ · 35問 · 2年前国語 現代文
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35問 • 2年前国語 夏目漱石
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14問 • 2年前化学
化学
ウー・キヨ · 84問 · 1年前化学
化学
84問 • 1年前pc推奨 副E 後期期末
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ウー・キヨ · 37問 · 1年前pc推奨 副E 後期期末
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2
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仕事関数
5
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電子親和力
6
金属とn形半導体の接触において
[Φ_m＞Φ_ｓの場合]
金属側から見た半導体側の障壁を何と呼ぶか
ショットキー障壁(バリア)
7
金属とn形半導体の接触において
[Φ_m＞Φ_ｓの場合]
ショットキー障壁を表す式
Φ_m‐Χ
8
金属とn形半導体の接触において
[Φ_m＞Φ_ｓの場合]
n形半導体側からみたエネルギー障壁を表す式：qV_Ⅾともかく
Φ_m‐Φ_s
9
金属とn形半導体の接触において
[Φ_m＜Φ_ｓの場合]
障壁は存在する。〇or✕
✕
10
金属とn形半導体の接触において
[Φ_m＜Φ_ｓの場合]
オームの法則が成り立つことからこの接触は何と呼ばれるか
オーム性接触
11
電池に接続したときにV＞０の状態は順バイアスと逆バイアスのどちらか
順バイアス
12
電池に接続したときにV＜０の状態は順バイアスと逆バイアスのどちらか
逆バイアス
13
金属とn形半導体の接触において
[Φ_m＞Φ_sの場合]
電流が一方向のみに流れることを何と呼ぶか
整流特性
14
金属とn形半導体の接触において
[Φ_m＞Φ_s]の場合の接触を何と呼ぶか
ショットキー接触
15
ショットキー接触を用いた素子を何と呼ぶか
ショットキーダイオード
16
ショットキー(バリア)ダイオードにおける電流が急激に流れるようになるときのV_thを何と呼ぶか
しきい値電圧
17
順バイアスになるように電流を流した時の電圧：V_ j
順方向電圧
18
順方向電圧とは逆に電池を接続したときに半導体が耐えることができる最大の電圧：V_Ｒ
逆方向耐圧電圧
19
金属とp形半導体の接触において
[Φ_m＞Φ_sの場合]
ホールに対する障壁はある。〇or✕
✕
20
金属とp形半導体の接触において
[Φ_m＜Φ_sの場合]
ｐ形半導体側から見てホールに障壁はある。〇or✕
〇
21
金属とp形半導体の接触において
[Φ_m＜Φ_sの場合]
エネルギー障壁qV_Ⅾの式として正しいものを選べ
Φ_s‐Φ_m
22
Pn接合の組み合わせで、npnまたはpnpの形で接合した半導体素子を何と呼ぶか
バイポーラトランジスタ