電子理論
問題一覧
1
タンタル(Ta)などの金属を熱すると，電子がその表面から放出される。この現象は，〇〇放出と呼ばれる。
熱電子
2
タングステン(W)などの金属表面の電界強度を十分に大きくすると，常温でもその表面から電子が放出される。この現象は，〇〇放出と呼ばれる。
電界
3
極めて高い純度に精製されたケイ素(Si)の真性半導体に，微量のホウ素(B)又はインジウム(In)などの3価の元素を不純物として加えたものを〇〇形半導体といい，この時加えた不純物をアクセプタという。
p
4
極めて高い純度に精製されたケイ素(Si)の真性半導体に，微量のホウ素(B)又はインジウム(In)などの〇〇価の元素を不純物として加えたものをp形半導体といい，この時加えた不純物をアクセプタという。
3
5
極めて高い純度に精製されたケイ素(Si)の真性半導体に，微量のホウ素(B)又はインジウム(In)などの3価の元素を不純物として加えたものをp形半導体といい，この時加えた不純物を〇〇という。
アクセプタ
6
半導体に関する記述として，誤っているのはどれか。
シリコン(Si)やゲルマニウム(Ge)の真性半導体にⅤ族の元素を不純物として加えたものをp形半導体という。
7
p形半導体とn形半導体の接合面付近では，拡散したそれぞれのキャリヤが互いに結合して消滅し，〇〇と呼ばれるキャリヤがない領域が生じる。
空乏層
8
空乏層が生じた結果，空乏層内において，p形半導体の接合面付近に，①の電荷が，n形半導体の接合面には②の電荷が現れる。
①負 ②正
9
空乏層内において，p形半導体とn形半導体の接合面付近に、それぞれ負の電荷，正の電荷が現れることにより，接合面付近にはキャリヤの移動を妨げる〇〇が生じる。
電界
10
発光ダイオード(LED)に関する次の記述のうち，誤ってるものはどれか。
発光ダイオードの順方向の電圧降下は，一般に約0.2Vである。
11
可変容量ダイオードは，通信機器の同調回路などに用いられる。このダイオードは，pn接合に〇〇電圧を加えて使用するものである。
逆方向
12
〇〇は，通信機器の同調回路などに用いられる。このダイオードは，pn接合に逆方向電圧を加えて使用するものである。
可変容量ダイオード
13
pn接合に〇〇電圧を加え，その値を大きくしていくと，降伏現象が起きる。この降伏電圧付近では，流れる電流が変化しても接合両端の電圧はほぼ一定に保たれる。定電圧ダイオードは，この性質を利用して所定の定電圧を得るように作られたダイオードである。
逆方向
14
pn接合に逆方向電圧を加え，その値を大きくしていくと，降伏現象が起きる。この降伏電圧付近では，流れる電流が変化しても接合両端の電圧はほぼ一定に保たれる。〇〇ダイオードは，この性質を利用して所定の〇〇を得るように作られたダイオードである。
定電圧
15
レーザダイオードは，光通信や光情報機器の光源として利用され，pn接合に〇〇電圧を加えて使用するものである。
順方向
16
〇〇は，光通信や光情報機器の光源として利用され，pn接合に順方向電圧を加えて使用するものである。
レーザダイオード
17
バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ(FET)では，〇〇の方が消費電力が大きい。
バイポーラトランジスタ
18
バイポーラトランジスタは電圧制御素子，FETは電流制御素子と言われる。
×
19
バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはFETの入力インピーダンスよりも低い
〇
20
バイポーラトランジスタは，〇〇によってコレクタ電流を制御する電流制御素子である。
ベース電流
21
FETは，〇〇形とMOS形に分類することができる。
接合
22
MOS形FETは，〇〇と〇〇に分類できる。
デプレション形, エンハンスメント形
23
FETは，半導体の中を移動する多数キャリアを〇〇電圧により生じる電界によって制御する阻止である。
ゲート
問題一覧
1
タンタル(Ta)などの金属を熱すると，電子がその表面から放出される。この現象は，〇〇放出と呼ばれる。
熱電子
2
タングステン(W)などの金属表面の電界強度を十分に大きくすると，常温でもその表面から電子が放出される。この現象は，〇〇放出と呼ばれる。
電界
3
極めて高い純度に精製されたケイ素(Si)の真性半導体に，微量のホウ素(B)又はインジウム(In)などの3価の元素を不純物として加えたものを〇〇形半導体といい，この時加えた不純物をアクセプタという。
p
4
極めて高い純度に精製されたケイ素(Si)の真性半導体に，微量のホウ素(B)又はインジウム(In)などの〇〇価の元素を不純物として加えたものをp形半導体といい，この時加えた不純物をアクセプタという。
3
5
極めて高い純度に精製されたケイ素(Si)の真性半導体に，微量のホウ素(B)又はインジウム(In)などの3価の元素を不純物として加えたものをp形半導体といい，この時加えた不純物を〇〇という。
アクセプタ
6
半導体に関する記述として，誤っているのはどれか。
シリコン(Si)やゲルマニウム(Ge)の真性半導体にⅤ族の元素を不純物として加えたものをp形半導体という。
7
p形半導体とn形半導体の接合面付近では，拡散したそれぞれのキャリヤが互いに結合して消滅し，〇〇と呼ばれるキャリヤがない領域が生じる。
空乏層
8
空乏層が生じた結果，空乏層内において，p形半導体の接合面付近に，①の電荷が，n形半導体の接合面には②の電荷が現れる。
①負 ②正
9
空乏層内において，p形半導体とn形半導体の接合面付近に、それぞれ負の電荷，正の電荷が現れることにより，接合面付近にはキャリヤの移動を妨げる〇〇が生じる。
電界
10
発光ダイオード(LED)に関する次の記述のうち，誤ってるものはどれか。
発光ダイオードの順方向の電圧降下は，一般に約0.2Vである。
11
可変容量ダイオードは，通信機器の同調回路などに用いられる。このダイオードは，pn接合に〇〇電圧を加えて使用するものである。
逆方向
12
〇〇は，通信機器の同調回路などに用いられる。このダイオードは，pn接合に逆方向電圧を加えて使用するものである。
可変容量ダイオード
13
pn接合に〇〇電圧を加え，その値を大きくしていくと，降伏現象が起きる。この降伏電圧付近では，流れる電流が変化しても接合両端の電圧はほぼ一定に保たれる。定電圧ダイオードは，この性質を利用して所定の定電圧を得るように作られたダイオードである。
逆方向
14
pn接合に逆方向電圧を加え，その値を大きくしていくと，降伏現象が起きる。この降伏電圧付近では，流れる電流が変化しても接合両端の電圧はほぼ一定に保たれる。〇〇ダイオードは，この性質を利用して所定の〇〇を得るように作られたダイオードである。
定電圧
15
レーザダイオードは，光通信や光情報機器の光源として利用され，pn接合に〇〇電圧を加えて使用するものである。
順方向
16
〇〇は，光通信や光情報機器の光源として利用され，pn接合に順方向電圧を加えて使用するものである。
レーザダイオード
17
バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ(FET)では，〇〇の方が消費電力が大きい。
バイポーラトランジスタ
18
バイポーラトランジスタは電圧制御素子，FETは電流制御素子と言われる。
×
19
バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはFETの入力インピーダンスよりも低い
〇
20
バイポーラトランジスタは，〇〇によってコレクタ電流を制御する電流制御素子である。
ベース電流
21
FETは，〇〇形とMOS形に分類することができる。
接合
22
MOS形FETは，〇〇と〇〇に分類できる。
デプレション形, エンハンスメント形
23
FETは，半導体の中を移動する多数キャリアを〇〇電圧により生じる電界によって制御する阻止である。
ゲート