R5
問題一覧
1
短絡比を小さくすると，発電機の外形寸法が〇〇。
小さくなる。
2
短絡比を小さくすると，発電機の安定度が〇〇。
悪くなる。
3
短絡比を小さくすると，電圧変動率が〇〇。
大きくなる。
4
短絡比が小さい発電機は，〇〇と呼ばれる。
銅機械
5
短絡比が大きな発電機は，〇〇と呼ばれる。
鉄機械
6
短絡比が小さいと，重量は〇〇。
軽い
7
短絡比が小さいと，百分率同期インピーダンスは〇〇。
大きい
8
パワーMOSFETは電圧駆動形であり，ゲート・ソース間に正の電圧をかけることにより，ターンオンする。
〇
9
パワーMOSFETは電圧駆動形であり，ゲート・ソース間に〇〇の電圧をかけることにより，ターンオンする。
正
10
パワーMOSFETは，〇〇である。
ユニポーラデバイス
11
IGBTは，〇〇である。
バイポーラデバイス
12
パワー MOSFETはユニポーラデバイスであり、一般的にバイポーラ形のIGBT と比べてターンオン時間が短い一方、流せる電流は小さい。
〇
13
IGBT は、オンのゲート電圧が与えられなくても逆電圧が印加されれば逆方向の電流が流れ
る。
×
14
パワーMOSFETではシリコンのかわりに SiCを用いることで、高耐圧化と高耐熱化が可能になる。
〇
15
IGBT はキャリアの蓄積作用のためターンオフ時にテイル電流が流れ、パワーMOSFETと比べてオフ時間が長くなる。
〇
16
光源の放射束のうち人の目に光として感じるエネルギーを光束といい単位には〇〇をもちいる。
lm
17
照度は，光を受ける面の明るさの程度を示し，1〇〇とは被照射面積1m^2に光束が1(lm)が入射している時の，その面の照度である。
lx
18
光度とは，光源の各方向に出ている光の強さを示すもので，立体角ω(sr)から出る光束をF(lm)，被照面積をA(m^2)とすると光度I=F/A単位には，〇〇が用いられる。
cd
19
物体の単位面積から発散する光束の大きさを光束発散度Mといい，ある面から発散する光束をF，その面積をA(m^2)とするとM=F/Aで示される。光束発散度の単位には，〇〇が用いられる。
lm/m^2
20
光源の発光面及び反射面の輝きの程度を示すのが輝度であり，単位には〇〇が用いられる。
cd/m^2
問題一覧
1
短絡比を小さくすると，発電機の外形寸法が〇〇。
小さくなる。
2
短絡比を小さくすると，発電機の安定度が〇〇。
悪くなる。
3
短絡比を小さくすると，電圧変動率が〇〇。
大きくなる。
4
短絡比が小さい発電機は，〇〇と呼ばれる。
銅機械
5
短絡比が大きな発電機は，〇〇と呼ばれる。
鉄機械
6
短絡比が小さいと，重量は〇〇。
軽い
7
短絡比が小さいと，百分率同期インピーダンスは〇〇。
大きい
8
パワーMOSFETは電圧駆動形であり，ゲート・ソース間に正の電圧をかけることにより，ターンオンする。
〇
9
パワーMOSFETは電圧駆動形であり，ゲート・ソース間に〇〇の電圧をかけることにより，ターンオンする。
正
10
パワーMOSFETは，〇〇である。
ユニポーラデバイス
11
IGBTは，〇〇である。
バイポーラデバイス
12
パワー MOSFETはユニポーラデバイスであり、一般的にバイポーラ形のIGBT と比べてターンオン時間が短い一方、流せる電流は小さい。
〇
13
IGBT は、オンのゲート電圧が与えられなくても逆電圧が印加されれば逆方向の電流が流れ
る。
×
14
パワーMOSFETではシリコンのかわりに SiCを用いることで、高耐圧化と高耐熱化が可能になる。
〇
15
IGBT はキャリアの蓄積作用のためターンオフ時にテイル電流が流れ、パワーMOSFETと比べてオフ時間が長くなる。
〇
16
光源の放射束のうち人の目に光として感じるエネルギーを光束といい単位には〇〇をもちいる。
lm
17
照度は，光を受ける面の明るさの程度を示し，1〇〇とは被照射面積1m^2に光束が1(lm)が入射している時の，その面の照度である。
lx
18
光度とは，光源の各方向に出ている光の強さを示すもので，立体角ω(sr)から出る光束をF(lm)，被照面積をA(m^2)とすると光度I=F/A単位には，〇〇が用いられる。
cd
19
物体の単位面積から発散する光束の大きさを光束発散度Mといい，ある面から発散する光束をF，その面積をA(m^2)とするとM=F/Aで示される。光束発散度の単位には，〇〇が用いられる。
lm/m^2
20
光源の発光面及び反射面の輝きの程度を示すのが輝度であり，単位には〇〇が用いられる。
cd/m^2