計測 教科書 p81〜88
問題一覧
1
半導体について
半導体の結晶中では電子の位置エネルギーが高くなるため、電子は自由に移動できる。
×
2
半導体について
p.n接合半導体に、逆電圧を印加すると空乏層が広がる。
○
3
半導体について
電子・正孔対がW値の約1/2で作られる。
×
4
半導体について
Ga(Li)ドリフト型は使用時のみ冷却が必要である。
×
5
半導体について
GM計数管に比べて分解時間が短い。
○
6
比例計数管について
ガスフロー型計数管は幾何学的効率が悪い。
×
7
比例計数管について
分解時間は、GM計数管に比べて短い。
○
8
比例計数管について
使用電圧は電離箱より低い。
×
9
比例計数管について
検出感度は電離箱より良い。
○
10
比例計数管について
エネルギー分析ができる。
○
11
GM計数管について
印加電圧は約3000Vである。
×
12
GM計数管について
アルゴンやヘリウムなどの不活性ガスを封入している。
○
13
GM計数管について
分解時間は約200nsである。
×
14
GM計数管について
ガス増幅率が大きい。
○
15
GM計数管について
プラトーの傾斜は約5%/100V以下が望ましい。
○
16
中性子線の計測について
放射化法では、放射化断面積が大きいことが条件となる。
○
17
中性子線の測定について
BF3計数管は、10B(n,p)7Liを利用している。
×
18
中性子線の測定について
ロングカウンタは、計測可能なエネルギー範囲が広い。
○
19
中性子線の測定について
3He計数管は、比例計数管の中に3Heガスを封入したものであり、高速中性子の計測に適する。
×
20
中性子線の測定について
核分裂計数管は、核反応生成物によるパルスを計測する。
○
問題一覧
1
半導体について
半導体の結晶中では電子の位置エネルギーが高くなるため、電子は自由に移動できる。
×
2
半導体について
p.n接合半導体に、逆電圧を印加すると空乏層が広がる。
○
3
半導体について
電子・正孔対がW値の約1/2で作られる。
×
4
半導体について
Ga(Li)ドリフト型は使用時のみ冷却が必要である。
×
5
半導体について
GM計数管に比べて分解時間が短い。
○
6
比例計数管について
ガスフロー型計数管は幾何学的効率が悪い。
×
7
比例計数管について
分解時間は、GM計数管に比べて短い。
○
8
比例計数管について
使用電圧は電離箱より低い。
×
9
比例計数管について
検出感度は電離箱より良い。
○
10
比例計数管について
エネルギー分析ができる。
○
11
GM計数管について
印加電圧は約3000Vである。
×
12
GM計数管について
アルゴンやヘリウムなどの不活性ガスを封入している。
○
13
GM計数管について
分解時間は約200nsである。
×
14
GM計数管について
ガス増幅率が大きい。
○
15
GM計数管について
プラトーの傾斜は約5%/100V以下が望ましい。
○
16
中性子線の計測について
放射化法では、放射化断面積が大きいことが条件となる。
○
17
中性子線の測定について
BF3計数管は、10B(n,p)7Liを利用している。
×
18
中性子線の測定について
ロングカウンタは、計測可能なエネルギー範囲が広い。
○
19
中性子線の測定について
3He計数管は、比例計数管の中に3Heガスを封入したものであり、高速中性子の計測に適する。
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20
中性子線の測定について
核分裂計数管は、核反応生成物によるパルスを計測する。
○