電子回路

25問 • 1年前

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問題一覧

半導体は抵抗率が（）と（）の中間の物質

導体, 絶縁体

半導体の原料の単元素の3つ

シリコン, ゲルマニウム, ダイアモンド

半導体の原料の化合物3.4族

窒化ガリウム, ガリウムヒ素, インジウムリン

半導体の原料の化合物2.4族

硫化カドミウム, セレン化亜鉛, 炭化シリコン, シリコンゲルマニウム

半導体の性質（）が上昇すると抵抗率が減少する（）を加えると抵抗率が大きく減少する

温度

原子の構造原子は（）とその外側にある何個かの（）で構成されている。原子核は（）の電荷を、電子は（）の電荷をもっており、原子としては電気的に（）になっている。原子核のまわりには、電子がいくつかの層に分かれて存在しており、これらの層を（）という。それぞれの電子殻に存在できる最大の電子の数が決まっており、最も外側の電子殻にある電子を（）という。

原子核, 電子, 正, 負, 中性, 電子殻, 価電子

原子の大きさ原子核とそのまわりの電子が存在する範囲を、原子の大きさと考える。原子を球とみたとき、その直径は10^-10m＝（単位も）

0.1nm

原子核に近い内側の電子殻に存在している電子は、原子核と強く結びつけられており取り出すためにはX線などの高エネルギーが必要であるが、価電子は熱や可視光などのエネルギーによって原子核との結びつけから容易に離れ移動することができる。このような電子を、（）という

自由電子

シリコン原子は（）個の価電子を持っており、他の4個のシリコン原子と価電子を互いに共有しながら規則正しく並んでいる。このような構造を（）という。

4, 共有結合

シリコン原子のみで規則正しく配列している結晶では、全てのシリコン原子の電子が束縛されており、自由に動ける電子が無いため、抵抗率が高い。しかし（）や（）などのエネルギーを与えることにより、共有結合している電子か原子核の束縛から離れ（）となり、結晶中を自由に動くことができる。一方で負の電荷をもった価電子が自由電子となって抜けたあとには、正の電荷をもった孔が生じているようにみえる。これを正孔といい、この孔には共有結合している電子が入ることができる。電気の流れに寄与するこれら2つを総称して（）という

熱, 光, 自由電子, 正孔, キャリヤ

（）（）が入っていない純粋なシリコンのような半導体のこと。半導体デバイスの製造に使用されるシリコンやゲルマニウムの結晶は99.99999（）の純度にまで精製されている。

真性半導体, 不純物, トゥエルブナイン

真性半導体にごくわずかな特定の不純物を混ぜた半導体のこと。不純物を混ぜることで、キャリヤが増えて電気導電率が大幅に高くなる。

不純物半導体

（）真性半導体に、価電子の数が5個のリンやヒ素、アンチモンなどを微小量加えた不純物半導体。自由電子の方が正孔の数よりも多い。自由電子を作るために混入する不純物を（）という。

n型半導体, ドナー

（）真性半導体に、価電子の数が3個のアルミニウムや、ガリウム、インジウムなどを微小量加えた不純物半導体。正孔の方が自由電子の数よりも多い。正孔を作るために混入する不純物を（）という。

p型半導体, アクセプタ

n型半導体の自由電子、p型半導体の正孔のように数の多いほうのキャリヤ

多数キャリヤ

n型半導体の正孔、p型半導体の自由電子のように数の少ない方のキャリヤ

少数キャリヤ

（）半導体に電界を加えることにより、正孔は電界の向きに沿って、自由電子は電界と逆の向きに移動する現象。この現象によって流れる電流を（）という。

ドリフト, ドリフト電流

（）キャリヤの濃度勾配の存在により、キャリヤの濃度が高い部分から低い部分に向かってキャリヤが移動する現象。この現象によって流れる電流を（）という

拡散, 拡散電流

半導体に熱や光などのエネルギーを与えると同じ数の自由電子と正孔が発生する

キャリヤの発生

発生した自由電子と正孔は、一定時間のうちに互いに結合して消滅する

キャリヤの再結合

（） p型半導体とn型半導体を接合したもの。両方の領域の接している面を（）という。接合面付近では、キャリヤの密度😃勾配が異なるため（）によって、n型領域の（）はp型領域へ、p型領域の（）はn型領域へ移動し、移動後に（）によって消滅する。

pn結合, 接合面, 拡散, 自由電子, 正孔, キャリヤの再結合

接合面付近のn型領域は自由電子が減るため（）に帯電し、p型領域は正孔が減るため（）に帯電し、n型領域からp型領域に向かって（）が発生する。この電界によって、拡散によるキャリヤの移動が妨げられて、拡散は停止し安定する。

負, 正, 電界

接合面付近のキャリヤが存在しない領域。真性半導体と同様に電流が流れにくい性質をもつ。（）の存在は、半導体デバイスの特性に深く関係する。

空乏層

（）金属と半導体を接合させて、接合面付近の半導体側に空乏層を形成させる接合

（）金属と半導体を接合させても、半導体側に、空乏層が形成されない接合

オーミック接合

英語Part 1

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英語Part 2

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英語Part3

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英語Part4

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英語Part5

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英語Part6

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英語Part7

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英語Part8

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英語Part9

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英語Part10

英語Part10

英語Part13

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英語Part14

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英語Part15

英語Part15

英語Part16

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英語Lesson17

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英語Lesson18

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Lesson 17 本文

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Lesson18　本文

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半導体は抵抗率が（）と（）の中間の物質

導体, 絶縁体

半導体の原料の単元素の3つ

シリコン, ゲルマニウム, ダイアモンド

半導体の原料の化合物3.4族

窒化ガリウム, ガリウムヒ素, インジウムリン

半導体の原料の化合物2.4族

硫化カドミウム, セレン化亜鉛, 炭化シリコン, シリコンゲルマニウム

半導体の性質（）が上昇すると抵抗率が減少する（）を加えると抵抗率が大きく減少する

温度

原子核, 電子, 正, 負, 中性, 電子殻, 価電子

原子の大きさ原子核とそのまわりの電子が存在する範囲を、原子の大きさと考える。原子を球とみたとき、その直径は10^-10m＝（単位も）

0.1nm

自由電子

4, 共有結合

熱, 光, 自由電子, 正孔, キャリヤ

真性半導体, 不純物, トゥエルブナイン

真性半導体にごくわずかな特定の不純物を混ぜた半導体のこと。不純物を混ぜることで、キャリヤが増えて電気導電率が大幅に高くなる。

不純物半導体

n型半導体, ドナー

p型半導体, アクセプタ

n型半導体の自由電子、p型半導体の正孔のように数の多いほうのキャリヤ

多数キャリヤ

n型半導体の正孔、p型半導体の自由電子のように数の少ない方のキャリヤ

少数キャリヤ

ドリフト, ドリフト電流

拡散, 拡散電流

半導体に熱や光などのエネルギーを与えると同じ数の自由電子と正孔が発生する

キャリヤの発生

発生した自由電子と正孔は、一定時間のうちに互いに結合して消滅する

キャリヤの再結合

pn結合, 接合面, 拡散, 自由電子, 正孔, キャリヤの再結合

負, 正, 電界

空乏層

（）金属と半導体を接合させて、接合面付近の半導体側に空乏層を形成させる接合

（）金属と半導体を接合させても、半導体側に、空乏層が形成されない接合

オーミック接合