電子工学

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mimi

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問題一覧

バイポーラトランジスタとはp型半導体とn型半導体をpnpになるように接続したものでnpnに接続したものは含まれない。

‪✕‬

バイポーラトランジスタの端子を3つ答えよ。

ベース, コレクタ, エミッタ

接合型FET(JFET)の端子を3つ答えよ。

ドレイン, ゲート, ソース

接合型FETのD-S(ドレインｰソース)間の電流の伝導路をなんというか。

チャネル

電界効果トランジスタに含まれるものを全て選びなさい。

接合型FET, MOSFET, ユニポーラトランジスタ

次のトランジスタの図記号で、正しいのはどれか。 a.npn型トランジスタである。 b.矢印の電極はコレクタである。 c.ベースはn型半導体である。 d.このトランジスタのキャリアは主に正孔である。 e.このトランジスタは電圧制御形素子である。

c.d

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているものを選びなさい。 a.FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。 b.MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。 c.FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。 d.FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。 e.FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。

c.d

エミッタ接地回路は電圧の増幅回路であり、電流の増幅回路ではない。

‪✕‬

エミッタフォロワ回路は電圧増幅回路である。

‪✕‬

エミッタフォロワ回路はコレクタをアースにした回路である。

〇

ベース接地回路は電圧増幅回路である。

〇

FETの場合の電流の流れる向きを次のうちから正しいものを選びなさい。

S(ソース)→D(ドレーン)

MOSFETはゲートに絶縁体が挟まれているので電流は流れない。

〇

ユニポーラトランジスタとはFETのことである。

〇

バイポーラトランジスタの出力特性を3つ答えよ。

能動領域, 飽和領域, 遮断領域

電界効果トランジスタの出力特性を3つ答えよ。

抵抗領域, 飽和領域, 遮断領域

オペアンプは2つの入力端子と1つの出力端子で構成されている。

〇

dBについて正しいのはどれか。 1.電圧比100は20dBである。 2.電力比10は10dBである。 3.電流比0.1は-10dBである。

増幅器が40dBの電圧増幅器に 50mV の入力を加えたとき、出力電圧は何Vか。

5.0V

図はnpn型トランジスタである。図のコレクタ電流が10mAのときベース抵抗は何か。ただし、電施増幅率は50V、ベース・エミッタ接合の順方向麗圧を0.6Vとする。

30kΩ

誤っているのはどれか。 1.バイポーラトランジスタはn形半導体とp形半導体から構成される。 2.バイポーラトランジスタは電流制素子である。 3.FETの入カインピーダンスは高い。 4.FETには接合形とMOS 形がある。 5.FET は複数のキャリヤを持つ。

正しいのはどれか。 1.FETの種類としてpnp形がある。 2.バイポーラトランジスタのキャリアは一つだけである。 3.バイポーラトランジスタの入力インピーダンスは極めて高い。 4.バイポーラトランジスタは電圧で電流を制御する。 5.バイポーラトランジスタの種類としてnpn形がある。

誤っているのはどれか。 1.FETはユニポーラトランジスタともいう。 2.FETは電圧制御素子である。 3.MOS形FETは接合形FETより入力インピーダンスが高い。 4.インピーダンス変換回路にはベース接地を用いる。 5.MOS形FETは金属-酸化膜-半導体から構成される。

正しいものはどれか。 1.ベース電流とコレクタ電流の大きさはほぼ等しい。 2.接合形FETでは空乏層の大きさはほとんど変化しない。 3.信号を歪みなく増幅するためには、バイアス電圧を適切に選ぶ必要がある。 4.MOS形FETではゲート電流に比例してドレーン電流が流れる。 5.エミッタフォロワではエミッタが接地される。

理想的なオペレーションアンプの条件で正しいのはどれか. a.増幅度がほぼ1である. b.入力インピーダンスが非常に高い。 c.出力インピーダンスが非常に低い。 d.雑音が比較的大きい。 e.周波数帯域幅が非常に広い.

b.c

図の回路における電圧増幅度Vo/Viはどれか。

200

理想的オペアンプを用いて構成した図の回路の抵抗Rは何kΩか。

1.0

図の2段の演算増幅器に入力電圧Vi=5[mV]を加えたとき、出力電圧Vo[V]はいくらか。ただし、Rf=500[kΩ]、 R1=250[kΩ]、R2=100[kΩ]、演算増幅器は理想的なものとする。

0.5

理想的なオペアンプで構成した図の回路について誤っているものはどれか。 1.入力インピーダンスは無限大である。 2.出力インピーダンスはほぼ0である。 3.電圧利得は0dBである。 4.入出力位相は180°異なる。 5.バッファ回路として用いられる。

理想的オペアンプを用いて構成した図の回路の出力電圧Voは何Vか

-4

理想的なオペアンプを用いて構成した増幅回路について正しいものはどれか。 1.入力と出力の信号は同位相となる。 2.入力が1Vのとき、-2Vが出力される。 3.電圧利得は20dBである。 4.回路の入力インピーダンスは無限大である。 5.オペアンプの入力端子間は等電位である

理想的なオペアンプを用いて機成した図の回路のAB間(500Ω)に2mAの電流が流れた。このとき、入力電圧Vi[V]はいくらか。

2.0

図の回路で2kΩの抵抗に流れる電流はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

3mA

図の電圧利得が20[dB]のとき，抵抗Rは何kΩか。

ある回路の入力電圧と出力電圧とを測定したところ、それぞれ10[V]と20[V]であった。この回路の幅度は何dBか。ただし、log2=0.3とする。 1)6dB 2)5dB 3)3dB 4)2dB 5)0.5dB

増幅度が40dBの電圧増幅器に50mVの入力を加えたとき、出力電圧は何Vか。

5.0V

電圧利得40[dB]の電圧増幅器に、入力電圧10[mV]を加えたとき、出力電圧Vo[V]はいくらか。

1.0V

dBデシベル（dB）について正しいものはどれか。 1.電圧利得ｰ3dBは電圧比が√2である。 2.電圧利得30dBは増幅器2個を2段に用いると 900dBである。 3.電圧比100は20dBである。 4.電力比10は10dBである。 5.電流比0.1はｰ10dBである。

デシベル単位について正しいものはどれか。 a.電圧利得10dBと20dBの2つの増幅器を2段に用いると200dBの利得になる。 b.出力と入力の電圧比が100の増幅器の利得は 40dBである。 c.電力比が10の時は10dBである。 d.電力比が1/100のときは-100dBである。

ある増幅回路において、入力電圧が2[mV]のとき、出力電圧が2[V]であった。この時の電圧利得として正しいものを選べ。

60[dB]

ある増幅回路において入力電圧が2[mV]のとき、出力電圧が1[V]であった。この時の電圧利得として正しいものを選べ。ただし、log2=0.3とする

54[dB]

図のトランジスタ増幅回路において出力eはおよそ何Vか。ただしトランジスタの電流増幅度は200とする。

5mA

a. 高城進断周波数は10³[Hz]である。 b.-3[dB]は電圧比で1/√2倍である。 c.電圧増幅度60[dB]とは10³倍に相当する。 d．直流に入力信号も増幅するできることを示す。

a～d

a.pnp形のトランジスタが用いられている。 b.コレクタ接地増幅回路である。 c.エミッタ・ベース間の電流が増幅される。 d. Riに増幅された出力電圧が得られる。

a.c.dのみ

図の回路において出力Voは何か。

-5

FETについて誤っているのはどれか。 a. MOS形では入力抵抗が高い。 b.C-MOS 回路では消費電力を小さくできる。 c.MOS形にはエンハンスメント形とデプレッション形とがある。 d。ゲート、アノード及びカソードの極をもつ。 e.正孔と電子との2種類のキャリアによって動作する。

d.e

トランジスタについて誤っているのはどれか。 1.FETにはnチャネル形とpチャネル形とがある。 2.FETはソース、ゲート、ドレインの端子をもつ。 3。MOS形FETは金属、酸化物、半導体の3層構造をもつ。 4.pnp形のエミッタはp形半導体である。 5．ベース接地電流増幅率は1より大きい。

トランジスタについて誤っているものはどれか。 1.インピーダンス変換回路はコレクタ接地で作ることができる。 2.FETは高入カインピーダンスの回路を実現できる。 3.FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。 4. MOSFETは金属・酸化膜・半導体の構造をもつ。 5. FETはユニポーラトランジスタともいう。

図の回路において誤っているものはどれか。ただし、RとCは理想的なものとする。 1)積分回路として用いられる。 2)高域通過濾波器として用いられる。 3)時定数はCRである。 4)遮断周波数は1/2πCRである。 5)遮断周波数における20log(Vo/Vi)は3dBである。

図の半導体図記号で、正しいのはどれか。 a)pゲート形3端子逆阻止サイリスタである。 b)Cの電極はゲートと呼ばれ、正の電流で制御する。 c)A～B間を流れる電流は、Cの電流を0にすれば、流れなくなる。 d)トランジスタではできない大電圧を制御できる。 e)Aはアノード、Bはカソードと呼ばれ、BからAの方向へ電流が流れる。

a.b

オペレーションアンプにおいて、未知の入力電圧e(in)を測定したところ、出力電圧e(out)に-5Vを得た。入力電圧は何Vか。

0.005

理想的オペアンプを用いて構成した図の回路の出力電圧Voは何Vか。

-4V

図の回路でV0が20[mV]のとき、Vi[mV]とVo[mV]の正しい組合せはどれか。ただし。Aは理想演算増幅器とする。

Vi=-2、Vo=-400

図の回路において出力Voの値はどれか。なお、Aは理想演算増幅器とする。（数字のみ）

1.5

図の回路について正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。 a.入カインピーダンスは大きい。 b.入力と出力は逆位相である。 c.反転増幅回路である。 d.入力は正電圧でなければならない。 e.入力電圧の1倍が出力される。

a.e

接合型FETは電圧を加えることで流れている電流は小さくなる。

〇

理想的なオペアンプでは2つの入力端子に流れる電流は∞である。

‪✕‬

図のの電流帰還バイアス回路を、おおよそIc=2mA、Vʙᴇ=5Vになるように設計したい。 R1、R2、Rc、Reをいくらにすればよいか。ただし、トランジスタの温度変化などによってV(BE)が変化したとしても、コレクタ電流が大きく変動しないように、Reによる電圧降下をV(Be)の2倍以上となるように設計せよ、またR1とR2によるバイアスに対して、ベース電流の変化の影響を減らすため、R1に流れる電流はIʙ10倍以上とすること。

0.6

エミッタ接地の特徴。答え:あ・入力インピーダンスが低い・出力インピーダンスが高い・電圧利得は高い・電流利得は高い・入力電圧と出力電圧は逆相・電力利得はエミッタ接地回路より小さい・周波数特性は高周波領域で増幅度は下がる

あ

コレクタ接地の特徴答え:あ・入力インピーダンスが高い・出力インピーダンスが低い・電流利得が高い・電圧利得はほぼ1 ・入力電圧と出力電圧は同相

あ

ベース接地の特徴。答え:あ・入力インピーダンスが低い・出力インピーダンスが高い・電流利得は1より小さい・電圧利得は高い・入力電圧と出力電圧は同位相・電力利得はエミッタ接地回路より小さい・周波数特性はエミッタ接地特性より良い

あ

診療画像技術学I画像(後編)

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問題一覧

バイポーラトランジスタとはp型半導体とn型半導体をpnpになるように接続したものでnpnに接続したものは含まれない。

‪✕‬

バイポーラトランジスタの端子を3つ答えよ。

ベース, コレクタ, エミッタ

接合型FET(JFET)の端子を3つ答えよ。

ドレイン, ゲート, ソース

接合型FETのD-S(ドレインｰソース)間の電流の伝導路をなんというか。

チャネル

電界効果トランジスタに含まれるものを全て選びなさい。

接合型FET, MOSFET, ユニポーラトランジスタ

c.d

エミッタ接地回路は電圧の増幅回路であり、電流の増幅回路ではない。

‪✕‬

エミッタフォロワ回路は電圧増幅回路である。

‪✕‬

エミッタフォロワ回路はコレクタをアースにした回路である。

〇

ベース接地回路は電圧増幅回路である。

〇

FETの場合の電流の流れる向きを次のうちから正しいものを選びなさい。

S(ソース)→D(ドレーン)

MOSFETはゲートに絶縁体が挟まれているので電流は流れない。

〇

ユニポーラトランジスタとはFETのことである。

〇

バイポーラトランジスタの出力特性を3つ答えよ。

能動領域, 飽和領域, 遮断領域

電界効果トランジスタの出力特性を3つ答えよ。

抵抗領域, 飽和領域, 遮断領域

オペアンプは2つの入力端子と1つの出力端子で構成されている。

〇

dBについて正しいのはどれか。 1.電圧比100は20dBである。 2.電力比10は10dBである。 3.電流比0.1は-10dBである。

増幅器が40dBの電圧増幅器に 50mV の入力を加えたとき、出力電圧は何Vか。

5.0V

30kΩ

b.c

図の回路における電圧増幅度Vo/Viはどれか。

200

理想的オペアンプを用いて構成した図の回路の抵抗Rは何kΩか。

1.0

0.5

理想的オペアンプを用いて構成した図の回路の出力電圧Voは何Vか

-4

理想的なオペアンプを用いて機成した図の回路のAB間(500Ω)に2mAの電流が流れた。このとき、入力電圧Vi[V]はいくらか。

2.0

図の回路で2kΩの抵抗に流れる電流はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

3mA

図の電圧利得が20[dB]のとき，抵抗Rは何kΩか。

増幅度が40dBの電圧増幅器に50mVの入力を加えたとき、出力電圧は何Vか。

5.0V

電圧利得40[dB]の電圧増幅器に、入力電圧10[mV]を加えたとき、出力電圧Vo[V]はいくらか。

1.0V

ある増幅回路において、入力電圧が2[mV]のとき、出力電圧が2[V]であった。この時の電圧利得として正しいものを選べ。

60[dB]

ある増幅回路において入力電圧が2[mV]のとき、出力電圧が1[V]であった。この時の電圧利得として正しいものを選べ。ただし、log2=0.3とする

54[dB]

図のトランジスタ増幅回路において出力eはおよそ何Vか。ただしトランジスタの電流増幅度は200とする。

5mA

a～d

a.c.dのみ

図の回路において出力Voは何か。

-5

d.e

a.b

オペレーションアンプにおいて、未知の入力電圧e(in)を測定したところ、出力電圧e(out)に-5Vを得た。入力電圧は何Vか。

0.005

理想的オペアンプを用いて構成した図の回路の出力電圧Voは何Vか。

-4V

図の回路でV0が20[mV]のとき、Vi[mV]とVo[mV]の正しい組合せはどれか。ただし。Aは理想演算増幅器とする。

Vi=-2、Vo=-400

図の回路において出力Voの値はどれか。なお、Aは理想演算増幅器とする。（数字のみ）

1.5

a.e

接合型FETは電圧を加えることで流れている電流は小さくなる。

〇

理想的なオペアンプでは2つの入力端子に流れる電流は∞である。

‪✕‬

0.6

あ