デバイス MOSFET
問題一覧
1
MOSFETのM･O･Sの意味を答えよ
金属, 酸化物, 半導体
2
MOSFETの理想条件について、金属と半導体の関係を答えよ
仕事関数が同じ
3
MOSFETの理想条件について、酸化物内や表面に( )が存在しない
電荷
4
仕事関数とは、( )と( )のエネルギーの差である
真空準位, フェルミ準位
5
電子親和力とは( )と( )のエネルギーの差である
真空準位, 伝導帯下端
6
各領域のエネルギーバンドが平坦に示されることをなんと言うか
フラットバンド状態
7
MOSFETにおいて、ゲート端子に印加する極性や大きさによって状態が3つに変化する。それぞれ答えよ
蓄積状態, 空乏状態, 反転状態
8
MOSFETにおいて、蓄積状態は金属側にどのような電圧を印加するとなるか
負の電圧
9
蓄積状態は( )に( )が蓄積される状態となるため、蓄積状態と呼ばれる
半導体表面, 正孔
10
MOSFETにおいて、金属側にどのような電圧を印加すると空乏状態となるか
正の電圧
11
MOSFETにおいて、反転状態とは金属側にどのような電圧を印加した場合になるか
より大きな正の電圧
12
MOSFETにおいて、ゲート電圧印加によるドレイン電流の流れ方によっMOSFETが2つに分類される。それぞれ答えよ
エンハンスメント型, デプレッション型
13
エンハンスメント型の特徴を答えよ。また、デプレッション型の特徴を答えよ。
ゲート端子に電圧を印加しないとドレイン電流が流れない, ゲート端子に電圧を印加しなくてもドレイン電流が流れる
14
MOSFETとバイポーラトランジスタを比較した場合、どのような点があげられるか
入力インピーダンスが高い, 温度特性が安定, 構造がバイポーラトランジスタより単純, 動作がバイポーラトランジスタより遅い
英語unit10
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Akihiro Kodama · 24問 · 2年前英語unit10
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24問 • 2年前Akihiro Kodama
英語unit11
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Akihiro Kodama · 42問 · 2年前英語unit11
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42問 • 2年前Akihiro Kodama
英語unit12
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Akihiro Kodama · 21問 · 2年前英語unit12
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デバイス 接合型FET
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政経 長文
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政経の英語
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2
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仕事関数が同じ
3
MOSFETの理想条件について、酸化物内や表面に( )が存在しない
電荷
4
仕事関数とは、( )と( )のエネルギーの差である
真空準位, フェルミ準位
5
電子親和力とは( )と( )のエネルギーの差である
真空準位, 伝導帯下端
6
各領域のエネルギーバンドが平坦に示されることをなんと言うか
フラットバンド状態
7
MOSFETにおいて、ゲート端子に印加する極性や大きさによって状態が3つに変化する。それぞれ答えよ
蓄積状態, 空乏状態, 反転状態
8
MOSFETにおいて、蓄積状態は金属側にどのような電圧を印加するとなるか
負の電圧
9
蓄積状態は( )に( )が蓄積される状態となるため、蓄積状態と呼ばれる
半導体表面, 正孔
10
MOSFETにおいて、金属側にどのような電圧を印加すると空乏状態となるか
正の電圧
11
MOSFETにおいて、反転状態とは金属側にどのような電圧を印加した場合になるか
より大きな正の電圧
12
MOSFETにおいて、ゲート電圧印加によるドレイン電流の流れ方によっMOSFETが2つに分類される。それぞれ答えよ
エンハンスメント型, デプレッション型
13
エンハンスメント型の特徴を答えよ。また、デプレッション型の特徴を答えよ。
ゲート端子に電圧を印加しないとドレイン電流が流れない, ゲート端子に電圧を印加しなくてもドレイン電流が流れる
14
MOSFETとバイポーラトランジスタを比較した場合、どのような点があげられるか
入力インピーダンスが高い, 温度特性が安定, 構造がバイポーラトランジスタより単純, 動作がバイポーラトランジスタより遅い