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デバイス 接合型FET

デバイス 接合型FET
25問 • 2年前
  • Akihiro Kodama
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    問題一覧

  • 1

    電界効果トランジスタの種類を3つ答えよ

    接合型FET, 絶縁ゲート型FET, ショットキーバリヤ型FET

  • 2

    絶縁ゲート型FETの別名を答えよ

    MOSFET

  • 3

    ショットキーバリヤ型FETの別名を答えよ

    MESFET

  • 4

    バイポーラトランジスタにおけるエミッタ端子と対応する電界効果トランジスタの端子を答えよ。また、英語表記も答えよ

    ソース, S

  • 5

    バイポーラトランジスタにおけるベース端子に対応する電界効果トランジスタの端子を答えよ。また英語表記も答えよ

    ゲート, G

  • 6

    バイポーラトランジスタにおけるコレクタ端子に対応する電界効果トランジスタの端子を答えよ。また英語表記も答えよ

    ドレイン, D

  • 7

    バイポーラトランジスタにおける入力特性に対応する電界効果トランジスタの特性名を答えよ。

    伝達特性

  • 8

    バイポーラトランジスタにおける出力特性に対応する電界効果トランジスタの特性名を答えよ

    出力特性

  • 9

    バイポーラトランジスタのキャリアの移動領域を答えよ

    半導体領域内全体

  • 10

    電界効果トランジスタのキャリアの移動領域を答えよ

    半導体領域内の一部

  • 11

    接合型FETの動作の特徴を答えよ ( )の大きさにより、( )の幅を変えることで、( )を制御する。

    ゲート電圧, 空乏層, ドレイン電流

  • 12

    接合型FETの構造的特徴について

    ゲート･ソース･ドレインの半導体の種類が異なる

  • 13

    接合型FETのゲート端子はいくつあるか

    2

  • 14

    接合型FETにおけるソースとドレインについて

    ソースとドレインは、同じ半導体の両端に配置されている

  • 15

    ソース･ドレインの半導体の種類がn型になると( )型、p型になると( )型になる

    nチャネル, pチャネル

  • 16

    接合型FETのゲート電圧Vgsの役割を答えよ

    空乏層の幅を変え、多数キャリアの移動状態を制御する役割

  • 17

    接合型FETのドレイン電圧Vdsの役割を答えよ

    多数キャリアを移動させる役割

  • 18

    接合型FETの伝達特性時、( )を大きくすると、( )も大きくなり、これにより( )が狭くなり、やがて切れてしまう。これを、( )と言う。

    ゲート電圧, 空乏層の広がり, チャネル, ピンチオフ状態

  • 19

    接合型FETの伝達特性時、ドレイン電流が0になった時のゲート電圧をなんと言うか

    ゲートピンチオフ電圧

  • 20

    接合型FET時、ドレイン電圧Vdsを一定にした場合、伝達特性･出力特性どちらか

    伝達特性

  • 21

    接合型FET時、ゲート電圧Vgsを一定とした場合、伝達特性･出力特性のどちらか

    出力特性

  • 22

    接合型FETの出力特性時、ゲート電圧を、ある一定以上の値にするとドレイン電流が増加しにくくなる。やがてどうなるか

    飽和する

  • 23

    接合型FETにおいて、ドレイン電流が飽和し始めた時のドレイン電圧をなんと言うか

    ピンチオフ電圧

  • 24

    接合型FETの出力特性において、ドレイン電圧をある一定以上の値にすると、多数キャリアをより移動させる効果は( )要因となり、空乏層を広げる効果は( )要因となる。

    電流が多く流れる, 電流が流れにくくなる

  • 25

    FETにおいての相互コンダクタンスの別名を答えよ

    伝達コンダクタンス

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  • 1

    電界効果トランジスタの種類を3つ答えよ

    接合型FET, 絶縁ゲート型FET, ショットキーバリヤ型FET

  • 2

    絶縁ゲート型FETの別名を答えよ

    MOSFET

  • 3

    ショットキーバリヤ型FETの別名を答えよ

    MESFET

  • 4

    バイポーラトランジスタにおけるエミッタ端子と対応する電界効果トランジスタの端子を答えよ。また、英語表記も答えよ

    ソース, S

  • 5

    バイポーラトランジスタにおけるベース端子に対応する電界効果トランジスタの端子を答えよ。また英語表記も答えよ

    ゲート, G

  • 6

    バイポーラトランジスタにおけるコレクタ端子に対応する電界効果トランジスタの端子を答えよ。また英語表記も答えよ

    ドレイン, D

  • 7

    バイポーラトランジスタにおける入力特性に対応する電界効果トランジスタの特性名を答えよ。

    伝達特性

  • 8

    バイポーラトランジスタにおける出力特性に対応する電界効果トランジスタの特性名を答えよ

    出力特性

  • 9

    バイポーラトランジスタのキャリアの移動領域を答えよ

    半導体領域内全体

  • 10

    電界効果トランジスタのキャリアの移動領域を答えよ

    半導体領域内の一部

  • 11

    接合型FETの動作の特徴を答えよ ( )の大きさにより、( )の幅を変えることで、( )を制御する。

    ゲート電圧, 空乏層, ドレイン電流

  • 12

    接合型FETの構造的特徴について

    ゲート･ソース･ドレインの半導体の種類が異なる

  • 13

    接合型FETのゲート端子はいくつあるか

    2

  • 14

    接合型FETにおけるソースとドレインについて

    ソースとドレインは、同じ半導体の両端に配置されている

  • 15

    ソース･ドレインの半導体の種類がn型になると( )型、p型になると( )型になる

    nチャネル, pチャネル

  • 16

    接合型FETのゲート電圧Vgsの役割を答えよ

    空乏層の幅を変え、多数キャリアの移動状態を制御する役割

  • 17

    接合型FETのドレイン電圧Vdsの役割を答えよ

    多数キャリアを移動させる役割

  • 18

    接合型FETの伝達特性時、( )を大きくすると、( )も大きくなり、これにより( )が狭くなり、やがて切れてしまう。これを、( )と言う。

    ゲート電圧, 空乏層の広がり, チャネル, ピンチオフ状態

  • 19

    接合型FETの伝達特性時、ドレイン電流が0になった時のゲート電圧をなんと言うか

    ゲートピンチオフ電圧

  • 20

    接合型FET時、ドレイン電圧Vdsを一定にした場合、伝達特性･出力特性どちらか

    伝達特性

  • 21

    接合型FET時、ゲート電圧Vgsを一定とした場合、伝達特性･出力特性のどちらか

    出力特性

  • 22

    接合型FETの出力特性時、ゲート電圧を、ある一定以上の値にするとドレイン電流が増加しにくくなる。やがてどうなるか

    飽和する

  • 23

    接合型FETにおいて、ドレイン電流が飽和し始めた時のドレイン電圧をなんと言うか

    ピンチオフ電圧

  • 24

    接合型FETの出力特性において、ドレイン電圧をある一定以上の値にすると、多数キャリアをより移動させる効果は( )要因となり、空乏層を広げる効果は( )要因となる。

    電流が多く流れる, 電流が流れにくくなる

  • 25

    FETにおいての相互コンダクタンスの別名を答えよ

    伝達コンダクタンス