2年1学期電子回路

29問 • 1年前

リムル

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MOS FETのゲートは、ゲート電極と半導体の間が非常に薄い(1)で隔てられている。MOS FETには(2)と(3)がある。

酸化膜, エンハンスメント形, デプレション形

エンハンスメント形MOS FETは(1)を加えず、(2)に電圧を加えても(3)は流れない。

ゲート電圧, ドレーン・ソース間, ドレーン電流

nチャネルエンハンスメント形MONS FETの(1)をしだいに大きくすると、(2)下の(3)に(4)である(5)が集まってくる。

ゲート電圧, 酸化膜, p形半導体領域, 少数キャリア, 自由電子

nチャネルエンハンスメント形MOS FETは集まってきた自由電子によって、(1)の通路ができるため、(2)が流れるようになる。(2)が流れ始める電圧を(3)といい、(4)で表す。

nチャネル, ドレーン電流, しきい値電圧, Vth

エンハンスメント形MOS FETは、VGSが(1)で動作する。またVGS=0のとき、(2)=0、VGSを大きくすると、(2)が(3)する特性となっている。VGS-ID特性

正の領域, ID, 増加

デプレション形MOS FETでは最初から(1)を形成しておく。すると(2)を加えなくても(3)が流れる。最初からチャネルが形成されているので、VGS=0のときに、(4)。負の電圧であるVGSを大きくすると、IDが(5)する特性となっている。またデプレション形MOS FETはVGSが(6)でも使われる。

薄いチャネル, ゲート電圧, ドレーン電流, ドレーン電流が流れる, 減少, 正の領域

nチャネルエンハンスメント形MOS FETの回路において、(1)に電圧を加えないときは、(2)は流れない。この状態を(3)という。また(1)に(4)を超える電圧を加えると(2)が流れる。この状態を(5)という。(6)がスイッチをオン・オフする役割に相当している。このような作用を(7)という。

ゲート・ソース間, ドレーン電流, オフ状態, しきい値電圧, オン状態, ゲート電圧, スイッチング作用

サイリスタのゲートに(1)を流すと、(2)に電流が流れる。これを(3)という。 (4)=0にすると、電流は流れなくなる。これを(5)という。

制御電流, アノード・カソード間, ターンオン, アノード・カソード間電圧, ターンオフ

サイリスタには(1)や(2)性質があり、(2)や(3)などに用いられる。

大電流に耐えられる, 一度電流を流すと流れ続ける, 照明, モーター

フォトトランジスタは(1)と(2)による(3)である。(4)に(5)をあてると(6)が流れる性質を持ち、(7)により(8)を高感度に(9)に変換することができる。(10)として用いられることが多い。

p形, n形, 3層構造, ベースの接合部, 光, コレクタ電流, トランジスタの増幅作用, 光の信号, 電気信号, 受光センサ

ICを構成する素子は、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサなどである。これらの素子をつくるのに用いられるのが(1)である。 (2)の外側から、内部の(3)を(4)し、そこへ(5)の(6)と(7)を送る。送り込む化合物の(6)の中に、(8)や(9)の化合物をほんのわずか混入すると、(10)をn形にしたり、p形にしたりすることができる。

エピタキシャル技術, 石英管, シリコンウェーハ, 高周波加熱, シリコン化合物, 蒸気, 水素, リン, ホウ素, エピタキシャル成長層

シリコンの原子は(1)の上に(2)となって成長していく。これを(3)といい、シリコンが積み重なった部分を、(4)という。p形基盤の上にn形(3)を行ったのち、その表面を(5)でおおう。

シリコンウェーハ, 結晶, エピタキシャル成長, エピタキシャル成長層, 酸化膜

トランジスタのエミッタ・ベース・コレクタ端子、抵抗・コンデンサなどの端子は、一つの(1)に形成さている。このような構造を(2)という。

平面上, プレーナ構造

集積回路(IC)の特徴　 integrated circuit メリット電子回路を制作する際に、ICを使わない場合に比べて(1) (2)である。 (3)が小さい。 (4)が可能大容量の(5)や(6)は製作が難しい。個別部品の組み合わせより、構造上の(7)が高い。デメリット (8)、(9)に弱い。

部品点数が少なくてすむ, 小形軽量, 消費電力, 高速動作, コンデンサ, コイル, 信頼性, 静電気, 熱

ICはその中に組み込まれる(1)の素子数(2)によって分類される。 100〜1000 (3) 1000以上　(4) 100万以上　(5) 1000万以上　(6)

トランジスタ, 集積度, MSI, LSI, VLSI, ULSI

ICを構造から分類すると、(1)と(2)に分けられる。(1)は(3)という意味をもっており、全体の回路がごく小さい(4)からできている。これに対し、(2)は(5)という意味を持っている。

モノリシックIC, ハイブリッドIC, 一つの石, シリコン基盤(チップ), 混成

モノリシックICは、ICを構成するトランジスタの種類によって、(1)と(2)に分けられる。(1)は(3)を使ったものである。

バイポーラIC, MOS IC, トランジスタ

バイポーラICをアナログ回路に使ったものとしては、(1)が代表的である。このほかに(2)、(3)など各種あるが、それぞれ独自の用途のものが多い。バイポーラICは、MOS ICより、(4)が速い。(5)が大きい。

演算増幅器, テレビジョン受信機用, 音響機器用, 応答速度, 消費電力

MOS ICでとくに、pチャネルとnチャネルのMOS FETを用いて構成されるものを(1)といい、(2)という。 (1)はcomplementaryといい(3)という意味がある。

相補形, CMOS IC, 補い合う

CMOS ICの特徴 (1)が小さい=発熱しにくい (2)が大きい発熱しにくい=(3)を高くとりやすい。なので、コンピュータをはじめ、(4)、(5)などの(6)として使用されている。

消費電力, 雑音余裕, 集積度, 計測, 制御装置, 電子回路素子

(1)に接続されている回路のほうが電位が高い場合、NOT回路に向かって電流が流れ込む。この電流を(2)という。(3)ともいう。

出力側, 吸い込み電流, シンク電流

(1)に接続されている回路のほうが電位が低い場合、NOT回路から電流が流れ出す。この電流を(2)という。

出力側, 吹き出し電流

アナログ信号のような(1)信号を対象に処置するICを(2)という。(3)がよく生かされたICがあり、(4)や(5)がある。

連続的に変化する, アナログIC, バイポーラICの特性, 演算増幅器, リニアIC

ディジタル信号のような(1)信号を対象に処理するICを(2)という。(3)や(4)として使われる。(2)は、同じ機能をもつ互換性のある(5)と機器ごとの異なる機能をつくる、特定用途向けの(6)に分けられる。

断続的に変化する, ディジタルIC, 論理回路, 記憶回路, 汎用IC, 専用IC

入力信号を(1)して出力信号を得ることを(2)といい、(2)を行う回路を(3)、(3)を持った装置を(4)という。

大きく, 増幅, 増幅回路, 増幅器

音声増幅器の例信号源として(1)の出力は非常に小さい。これをある一定の大きさ(1V)まで増幅する。これを(2)という。この信号をさらに(3)で鳴らすのに必要な大きさまで増幅するものが(4)という。このような出力信号を得るために電源部からそれぞれに(5)が供給されている。

マイクロホン, 小信号増幅器, スピーカ, 電力増幅器, 直流電流

直流増幅器 (1)を増幅する増幅器 (2)、(3)などに使われる

直流分を含む信号, 医療機器, 直流電動機

低周波増幅器 (1)の信号を増幅する増幅器 (2)や(3)に使われる。

低周波, オーディオ機器, 放送機器

高周波増幅器 (1)で使用されるような(2)の信号を増幅する増幅器 (3)、(4)、(5)などに使われる。

無線通信, 高い周波数, ラジオ, テレビ, 人工衛星の宇宙通信

歴史総合　132〜145

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科学と人間生活112〜127

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電子回路

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