電子回路

63問 • 2年前

リムル

通報

問題一覧

n型半導体をp型半導体で両側から挟み込むような構造をしているトランジスタをなんというか？

pnp型トランジスタ

p型半導体をn型半導体で両側から挟み込むような構造をしているトランジスタをなんというか？

npn型トランジスタ

トランジスタの各半導体から引き出された3つの端子をそれぞれ何というか？

コレクタ　ベース　エミッタ

キャリヤが2種類あるトランジスタをなんというか？

バイポーラトランジスタ

バイポーラトランジスタのバイとはどういう意味か？

バイポーラトランジスタのポーラとはどういう意味か？

極性

FETは何の略か？

電界効果トランジスタ

電界効果トランジスタはFET以外に何と呼ばれることがあるか？

ユニポーラトランジスタ

ユニポーラトランジスタのユニとはどういう意味か？

トランジスタの図記号において、エミッタの矢印は何を示すか？

電流の方向

図記号がエミッタ側に矢印が向いているトランジスタは何型トランジスタか？

npn型

図記号がベース側に矢印が向いているトランジスタは何型トランジスタか？

pnp型

トランジスタの図記号で外周器を表す場合どうするか？

円で囲む

2SAは何型何用のトランジスタか？

pnp型高周波用

2SBは何型何用のトランジスタか？

pnp型低周波用

2SCは何型何用トランジスタか？

npn型高周波用

2SDは何型何用トランジスタか？

npn型低周波用

低周波用のトランジスタは何に使われるか？

アンプ

高周波用のトランジスタは何に使われるか？

テレビ　ラジオ

エミッタを入力側と出力側との共通端子にすることを何というか？

エミッタ接地

エミッタ接地において、ベース-エミッタ間には何電圧を加えるか？

順電圧

エミッタ接地において、npn型トランジスタの場合コレクタには何を加えるか？

正の電圧

エミッタ接地において,pnp型トランジスタの場合コレクタに何を加えるか？

負の電圧

小さな信号を大きな信号として取り出す作用をなんというか？

電流増幅作用

トランジスタはベース・コレクタ・エミッタの各端子に適切な()と()の()を加えないと電流が流れない。

向き, 大きさ, 直流電圧

ベース電流IBを入力電流、コレクタ電流ICを出力電流と考えたとき、IBとICの比を何というか？

直流電流増幅率

直流電流増幅率は何で表されるか？

hFE

直流電流増幅率(hFE)はどうやって求めるか？

IC/IB

hFEの値は通常数十〜数百と大きく、このことは何を示しているか？

小さな入力電流で大きな出力電流を制御できる

IB、ICとエミッタ電流(IE)の間には、どんな関係が成り立つか？

IE=IB+IC

トランジスタに(1)を流さないときには、(2)も流れない、この(3)が流れない状況を(4)という。

ベース電流, コレクタ電流, IC, オフ

トランジスタに(1)を流すと(2)も流れる。この状態を(3)という。

IB, IC, オン

電気的にオンとオフの状態を作る作用を何というか？

スイッチング作用

トランジスタの各電極に加わる直流電圧と電流を定めたとき、これらの関係を示したものを何というか？

トランジスタの静特性

ICはIBにほぼ比例する。IB-IC特性を何というか？

電流伝達特性

ICはVCEの変化にあまり影響されない。VCE-IC特性を何というか？

出力特性

IBは、VBEがある一定以上にならないとほとんど流れないVBE-IB特性を何というか？

入力特性

VBEは、VCEに変化に影響されず、ほぼ一定であるVCE-VBE特性を何というか？

電圧帰還特性

トランジスタにはダイオードと同じように電流・電圧・電力・温度などで超えてはならない基準がある。その基準を何というか？

最大定格

コレクタ電流(IC)の最大定格をどうやって表すか？

ICmax

コレクタ・エミッタ間電圧(VCE)の最大定格をどうやって表すか？

VCEmax

ICとVCEの積をなんというか？

コレクタ損失:Pc

コレクタ損失(Pc)の最大定格をどうやって表すか？

Pcmax

コレクタ損失(1)が最大定格(2)を超えると(3)(4)が(5)になってトランジスタが破壊されてしまう。

Pc, Pcmax, 接合部温度, Ti, 高温

電解効果トランジスタは構造上、何と何に分けられるか？

接合型FETとMOSFET

接合型FETの三つの端子をそれぞれ何というか？

ドレーン　ゲート　ソース

電子は(1)((2))から流入し、(3)((4))から流出する。その途中(5)((6))があり、門の開き具合で電子の(7)((8))の広さが決まり、(9)の流れる量も決まる。

ソース, 源, ドレーン, 排出口, ゲート, 門, 通り道, チャネル, 電子

絶縁膜(二酸化ケイ素)の化学式を答えよ。

SiO2

デプレションとはどういう意味か？

減少

エンハンスメントとはどういう意味か？

増加

接合型FETは何型か？

デプレション型

MOS FETは(1)によって(2)と(3)に分けられる。

VG-VD特性, デプレション型, エンハンスメント型

接合型FETはn型領域に(1)と(2)の(3)が接続され、この(3)間に電流が流れる。この電流の通路を(4)という。

ドレーン, ソース, 電極, チャネル

チャネルにはn型半導体で出来ている場合の(1)とp型半導体でできている場合の(2)がある。

nチャネル, pチャネル

(1)に電圧を加えずに、(2)・(3)間に電圧(4)を加えるとn型領域の電子は(2)の正の電圧に引きよせられて、(2)電流(5)が十分に流れる。

ゲート, ドレーン, ソース, VDS, ID

(1)・(2)間に小さな(3)(4)を加えると、(5)付近に(6)が広がり、IDの流れる(7)がせばめられ、IDは減少する。

ゲート, ソース, 逆方向電圧, VGS, pn接合面, 空乏層, チャネル

逆方向電圧(VGS)を大きくしていくと、空乏層がチャネルを完全に塞ぐようになり、電流IDは流れない。このときの電圧をなんというか？

ピンチオフ電圧:VP

FETは次の点でトランジスタと異なる。 (1)に(2)を加えるため、(3)は(4)。 (5)で(6)を制御する(7)である。

ゲート, 逆電圧, ゲート電流, 流れない, 入力電圧, 出力電流, 素子

(1)特性で(2)の(3)が大きくなるとチャネルに流れるIDは減少する。この特性の傾きを(4)という。量記号gm 単位　S :ジーメンス

VGS-ID, 逆方向電圧, VGS, 相互コンダクタンス

VGS、IDの微小変化をΔVGS、ΔIDとすると相互コンダクタンス:gmはどのような式で表されるか？

ΔID/ΔVGS

ΔVGSを(1)ΔIDを(2)とみなすと、相互コンダクタンス:gmはFETの(3)を知る目安と考えられる。

入力電圧, 出力電流, 増幅の大きさ

(1)特性で、(2)を一定値として(3)を0から上昇させていくと、それに対して(4)が増加していくが、(3)がある値以上になると(4)はそれ以上上昇せず、ほぼ一定となる。この領域を(5)という。

VDS-ID特性, VGS, VDS, ID, 飽和領域

VGS-ID特性では横軸のVGSがなぜ-(マイナス)なのか？

ゲート・ソース間に対して、逆電圧をかけているから

歴史総合　132〜145

リムル · 92問 · 2年前