電子工学

21問 • 2年前

葛田旋

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問題一覧

電界とは電荷に何が働く空間か

静電クーロン力

ドリフトとは電界からの静電クーロン力で何が移動することか

キャリア

ドリフトでは正孔はどちらに移動するか

電界と同じ方向

ドリフトでは自由電子はどちらに移動するか

電界と逆方向

拡散とは何によってキャリアが移動することか

密度差

n型半導体の多数キャリアは何か

自由電子

p型半導体の多数キャリアは何か

正孔

バイポーラトランジスタではどの領域の不純物密度が最も大きいか

エミッタ領域

ベース領域はキャリアの移動方向にどのように作られているか

非常に薄く作られている

エミッタ電流Ie、ベース電流Ib、コレクタ電流Icについて、正しい式を選べ。

Ie=Ib+Ic

ベース接地電流増幅率‪α‬を求める式を選べ

Ic/Ie

エミッタ接地電流増幅率βを求める式を選べ

Ic/Ib

エミッタ接地電流増幅率βに関して、ベース接地電流増幅率‪α‬を用いた正しい関係式を選べ

‪α‬/(1-‪α‬)

Vce-Ic特性において、増幅回路で利用される領域はどれか

能動領域

Vce-Ic特性において、スイッチング回路のスイッチオンの状態で利用される領域はどれか

飽和領域

Vce-Ic特性において、スイッチング回路のスイッチオフの状態で利用される領域はどれか

遮断領域

nチャネルエンハンスメント型MOSFETは、p型半導体の一部がn型半導体に反転することで反転層が形成されるが、反転するp型半導体の一部は何側か

SiO2側

nチャネルFETにドレイン電流を流す場合、どちらの端子の電位を高くするか

ドレイン

nチャネルJFETでチャネル幅を狭くする場合、ゲート・ソース間電圧の大きさをどうするか

大きくする

nチャネルJFETでチャネル幅を狭くする場合、ゲート・ソース間電圧の大きさを大きくするのはなぜか。「ゲート・ソース間のpn接合の⑴を⑵し、⑶を⑷ため」

逆バイアス, 強く, 空乏層, 広げる

エンハンスメント型MOSFETでチャネルを生成する際、ゲート1とゲート2、それぞれ電位をどうするか

ゲート1：正電位、ゲート2：負電位

政治・経済

葛田旋 · 46問 · 2年前