問題一覧
1
正しい
2
誤り。ヒ素やリンはドナー不純物で、添加するとn型半導体になる。
3
正しい
4
誤り。ベース電流はベース領域での再結合などによる小さな電流で、主にベースからエミッタに流れるかベース内で消費されるものであり、ベース→コレクタが主要な流れではない。
5
正しい
6
誤り。トンネル効果は量子力学的現象で、粒子がポテンシャル障壁を古典的に通過できない場合でも確率的に障壁を透過する現象である。
7
正しい
8
正しい（1/Ceq = 1/2 + 1/2 + 1/4 = 1.25 → Ceq = 0.8 pF）
9
誤り。ワイヤボンディングの代表的方式はボールボンディングやウェッジボンディング（超音波/熱機械的）であり、はんだ接続は通常のワイヤボンディング方式ではない。
10
誤り。エピタキシャル成長は基板と同じ結晶性を維持した高品質膜を得る手法であり、一般に欠陥は少ない。必要に応じて熱処理（アニール）を行う場合もあるが、『多くの結晶欠陥が含まれるため必ずアニールが必要』という記述は不正確である。
11
MTBFは装置の平均故障間隔を表し、値が大きいほど信頼性が高い。
12
Nチャネル絶縁ゲート形電界効果トランジスタ（IGFET）, エンハンスメント形, 単ゲート, サブストレートを内部でソースと接続しているもの
13
シアン化木素, 一酸化炭素, 塩素, 酸化エチレン
14
誤り
15
正しい
16
質量分析器（マスアナライザー）
17
吸着したガスを加熱して（昇温させて）脱着・除去する
18
正しい
19
誤り
20
正しい
21
気体分子の熱伝導（熱伝導率）の変化
22
アンモニア水（NH4OH）, 過酸化水素水（H2O2）, 水（H2O）
23
全有機体炭素（TOC）
24
増加, 減少, 減少
25
製造プロセスが複雑で長い
26
減少
27
電子
28
相補型金属酸化膜半導体, Complementary Metal–Oxide–Semiconductor
29
温度が上昇すると電気抵抗は増加する
30
A: α線, B: ソフトエラー
31
ニ チャネルドーピング濃度が変化しても、MOSのしきい値電圧(Vth)に及ぼす影響は少ない。
32
ロ ウェーハ上に形成されたパターンの深さと幅の比
33
A: CuSO4（硫酸銅）, B: カソード
34
SiO2 — O2（酸素単独ではSiO2の有効なエッチング反応ガスとはならない）
35
α線
36
硫酸銅（CuSO4）
37
カソード（陰極）
38
CF4（フッ化炭素系ガス）
39
Cl2（塩素系ガス）
40
電流を流すことにより, Cu
41
電流（電子の流れ）による原子移動
42
Cu
43
光干渉式膜厚測定器
44
エリプソメータ
45
屈折率
46
SiC
47
石英ガラス
48
SiC
49
チャージアップ（帯電）を防止するための荷電中和
50
スラリー中の研磨粒子（スラリー）
51
ドレッシング（研磨パッドのコンディショニング）
52
ダイヤモンド
53
イ フォーカスチェックとは、正しくウェーハ表面位置を認識できるかのチェックであり、これがずれると通常、合わせずれ不良が起きる。, ロ ウェーハホルダの傾きチェックは、通常、ウェーハステージX、Y軸の位置決め再現性を利用して測定を行う。, 照明の均一性チェックは、ステージ上にあるセンサを用いて行う。
54
① 濃度、② 高くなる
55
フォトレジストの密着性
56
髪の毛の径 > スギ花粉 > コロイダル粒子(コロイド粒子)
57
研磨粒子（アブレイシブ粒子）
58
変質した研磨パッド表面を機械的に削り取り、表面凹凸を回復・維持すること
59
合わせずれ不良（アライメントずれ）
60
一般に、ケミカルフィルタはパーティクルを防ぐために用いられる。
61
イオン化部, 四重極部, 検出部
62
四重極部で印加される電圧により決められた質量数（m/z）のイオンのみが通過できる。
63
組成の判断：質量数（ピークの位置）／量的判断：スペクトルのピークのイオン電流値
64
11 Pa
65
油回転ポンプは、ノズルから高速・高密度の油蒸気噴流を発生させ、気体分子を吹き飛ばすことにより排気する。
66
高速で回転する回転翼と固定翼のスリットにより、気体分子に方向性を与えて排気する。
67
多孔質の吸着体を冷却することで気体分子を吸着・捕集する。
68
共に無臭である。
69
AsH3（アルシン）の方がPH3（ホスフィン）より毒性が高い。
問題一覧
1
正しい
2
誤り。ヒ素やリンはドナー不純物で、添加するとn型半導体になる。
3
正しい
4
誤り。ベース電流はベース領域での再結合などによる小さな電流で、主にベースからエミッタに流れるかベース内で消費されるものであり、ベース→コレクタが主要な流れではない。
5
正しい
6
誤り。トンネル効果は量子力学的現象で、粒子がポテンシャル障壁を古典的に通過できない場合でも確率的に障壁を透過する現象である。
7
正しい
8
正しい（1/Ceq = 1/2 + 1/2 + 1/4 = 1.25 → Ceq = 0.8 pF）
9
誤り。ワイヤボンディングの代表的方式はボールボンディングやウェッジボンディング（超音波/熱機械的）であり、はんだ接続は通常のワイヤボンディング方式ではない。
10
誤り。エピタキシャル成長は基板と同じ結晶性を維持した高品質膜を得る手法であり、一般に欠陥は少ない。必要に応じて熱処理（アニール）を行う場合もあるが、『多くの結晶欠陥が含まれるため必ずアニールが必要』という記述は不正確である。
11
MTBFは装置の平均故障間隔を表し、値が大きいほど信頼性が高い。
12
Nチャネル絶縁ゲート形電界効果トランジスタ（IGFET）, エンハンスメント形, 単ゲート, サブストレートを内部でソースと接続しているもの
13
シアン化木素, 一酸化炭素, 塩素, 酸化エチレン
14
誤り
15
正しい
16
質量分析器（マスアナライザー）
17
吸着したガスを加熱して（昇温させて）脱着・除去する
18
正しい
19
誤り
20
正しい
21
気体分子の熱伝導（熱伝導率）の変化
22
アンモニア水（NH4OH）, 過酸化水素水（H2O2）, 水（H2O）
23
全有機体炭素（TOC）
24
増加, 減少, 減少
25
製造プロセスが複雑で長い
26
減少
27
電子
28
相補型金属酸化膜半導体, Complementary Metal–Oxide–Semiconductor
29
温度が上昇すると電気抵抗は増加する
30
A: α線, B: ソフトエラー
31
ニ チャネルドーピング濃度が変化しても、MOSのしきい値電圧(Vth)に及ぼす影響は少ない。
32
ロ ウェーハ上に形成されたパターンの深さと幅の比
33
A: CuSO4（硫酸銅）, B: カソード
34
SiO2 — O2（酸素単独ではSiO2の有効なエッチング反応ガスとはならない）
35
α線
36
硫酸銅（CuSO4）
37
カソード（陰極）
38
CF4（フッ化炭素系ガス）
39
Cl2（塩素系ガス）
40
電流を流すことにより, Cu
41
電流（電子の流れ）による原子移動
42
Cu
43
光干渉式膜厚測定器
44
エリプソメータ
45
屈折率
46
SiC
47
石英ガラス
48
SiC
49
チャージアップ（帯電）を防止するための荷電中和
50
スラリー中の研磨粒子（スラリー）
51
ドレッシング（研磨パッドのコンディショニング）
52
ダイヤモンド
53
イ フォーカスチェックとは、正しくウェーハ表面位置を認識できるかのチェックであり、これがずれると通常、合わせずれ不良が起きる。, ロ ウェーハホルダの傾きチェックは、通常、ウェーハステージX、Y軸の位置決め再現性を利用して測定を行う。, 照明の均一性チェックは、ステージ上にあるセンサを用いて行う。
54
① 濃度、② 高くなる
55
フォトレジストの密着性
56
髪の毛の径 > スギ花粉 > コロイダル粒子(コロイド粒子)
57
研磨粒子（アブレイシブ粒子）
58
変質した研磨パッド表面を機械的に削り取り、表面凹凸を回復・維持すること
59
合わせずれ不良（アライメントずれ）
60
一般に、ケミカルフィルタはパーティクルを防ぐために用いられる。
61
イオン化部, 四重極部, 検出部
62
四重極部で印加される電圧により決められた質量数（m/z）のイオンのみが通過できる。
63
組成の判断：質量数（ピークの位置）／量的判断：スペクトルのピークのイオン電流値
64
11 Pa
65
油回転ポンプは、ノズルから高速・高密度の油蒸気噴流を発生させ、気体分子を吹き飛ばすことにより排気する。
66
高速で回転する回転翼と固定翼のスリットにより、気体分子に方向性を与えて排気する。
67
多孔質の吸着体を冷却することで気体分子を吸着・捕集する。
68
共に無臭である。
69
AsH3（アルシン）の方がPH3（ホスフィン）より毒性が高い。