問題一覧
1
放射線分類
図
2
粒子フルエンス 𝛷の単位
m−2
3
エネルギーフルエンス 𝛹単位
J∙m−2
4
質量阻止能 𝑆/𝜌の単位
Jm2kg−1
5
線エネルギー付与の単位と別名
LET（制限線衝突阻止能）［ Jm−1］
6
放射線化学収率 𝑮𝒙
［𝐦𝐨𝐥𝐉−𝟏］
7
気体中で 1 イオン対生成に費やされる平均エネルギー𝑊
J
8
放射線計測のこと
ラジオメトリ
9
線量計測のこと
ドジメトリ
10
カーマ𝐾
𝐉𝐤𝐠−𝟏
11
照射線量 𝑿
𝐂𝐤𝐠−𝟏 ＝衝突カーマKcol
12
照射線量の絶対測定に使用される電離箱
自由空気電離箱
13
光子の照射線量測定では、（ ）を使用する。
電子平衡厚をもった空気等価壁の空洞電離箱
14
空気カーマの式
図 空気カーマ 𝑲𝐚𝐢𝐫
15
吸収線量 𝑫の単位
［ 𝐉𝐤𝐠−𝟏］ 特別単位Gｙ
16
壊変定数 𝝀
𝐬−𝟏
17
放射能 𝑨
［ 𝐬−𝟏］ 特別単位βq
18
空気カーマ率定数 𝜞𝜹
［ 𝐦𝟐𝐉𝐤𝐠−𝟏］ 特別単位 ［ 𝐦𝟐𝐆𝐲𝐁𝐪−𝟏𝐬−𝟏］
19
粒子のエネルギーと運動量の式
図
20
電子の質量を（ ）倍すると陽子の質量である。
1800
21
電子の質量を（ ）倍するとα粒子の質量である。
7000
22
弾性散乱とは原子核のクーロン力により粒子の（ ）のみが変化すること。
進行方向
23
大きな角度の弾性散乱を （ ） という
『 ラザフォード散乱 』
24
非弾性散乱とは（ ）との相互作用である
軌道電子
25
エネルギー損失（阻止能）の式
図 𝐴𝑤：標的物質の原子量 𝑍：標的物質の原子番号 𝑧：重荷電粒子の原子番号 ρ は材料の密度 NA はアボガドロ数
26
同じ速度で陽子線と炭素線を比較すると，炭素線のエネルギー損失は約（ ）倍
36
27
飛程とは、粒子が物質中を進むことができる距離。（ ）に比例する。
M/z^2
28
制動放射とは、発生確率は粒子質量の2乗に（ ）する
反比例
29
光子のエネルギーと運動量の式
図
30
光電効果の発生確率
原子番号の5乗に比例、エネルギーの3.5乗に反比例
31
コンプトン散乱の発生確率
原子番号に比例、エネルギーに反比例、巨視的な断面積は物質中の電子密度に比例
32
電子対生成の発生確率
原子番号の二乗に比例、エネルギーに比例
33
放射線場の量と線量計測量の関係
図
34
光子のエネルギー付与は物質との相互作用で生じた（ ）による。
二次電子
35
非荷電粒子、荷電粒子の相互作用係数
図
36
ファノの定理
密度を変えても二次電子数は同じ
37
Bragg Gray の空洞理論は水の吸収線量は、水と空気の（ ）の比から求めることができる。
質量衝突阻止能
38
Spencer-Attixの空洞理論は、平均制限質量衝突阻止能（Τത𝑳𝝆）によって、（ ）を除外（制限）する。
（δ線が持つ初期運動エネルギーの一部）と制動放射線
39
患者への投与線量の全不確定度（ ）％
5%以下
40
ファントム内の出力線量評価（ ）％
2.5％
41
校正深水吸収線量の不確かさは、得られた全ての不確かさの（ ）で求まる
二乗和の平方根
42
校正
標準によって実現される値との間の関係を確定する一連の作業
43
トレーサビリティ
校正の連鎖によって国家標準までたどり着けることが確保された標準によって計測器の信頼性が証明されていること。
44
標準測定法01 は（ ）校正に基づく方法。
照射線量
45
標準計測法12は（ ）校正に基づく方法。“
吸収線量
46
水吸収線量の基本式
図
47
光子線の線量指標
TPR20,10
48
電子線の線量指標
R50
49
陽子線の線質指標
Rres(残余飛程）
50
MQの式
画像 MQ：測定値（補正後）
51
kTPの式
図 kTP：温度気圧補正係数
52
ksの式
図 ks：イオン再結合補正係数 ks １以上
53
ｋpolの式
図 ｋpol：極性効果補正係数
54
光子線水吸収線量計測の基準条件 （ファントム材質、電離箱、校正深、基準点、基準点の位置、SCD、照射野）
図
55
ｋelecとは何か。
電位計校正定数
56
電子線の実用飛程の式
入射平均エネルギーの1/2 cm
57
電子線の治療可能深の式
入射平均エネルギーの1/3 cm
58
Rres ：残余飛程
（基準深から実用飛程までの距離）
59
陽子線水吸収線量計測の基準条件 （ファントム材質、電離箱、基準深、基準点、SSD、照射野）
図
60
炭素線水吸収線量計測の基準条件 （ファントム材質、電離箱、基準深、基準点、SSD、照射野）
図
61
各種補正を行う順番
電位計校正定数Kelec→極性効果補正Kpol→イオン再結合補正Ks→温度気圧係数Ktp→湿度補正
62
線質変換係数𝒌𝑸；電離箱の（ ）を補正する係数。
感度変化
63
擾乱補正係数𝑷
空洞理論の成立条件からの逸脱（擾乱）を補正（電子フルエンスの補正）
64
Pwall
壁補正係数
65
𝑃cav
空洞補正係数
66
𝑃dis
変位補正係数
67
𝑃cel
中心電極補正係数
68
PDDやOCRなど相対線量計測では、（ ）つまり実効中心を使用。
半径変位法
69
電子線水吸収線量計測の基準条件 （ファントム材質、電離箱、校正深、基準点、基準点の位置、SSD、照射野）
図
70
R50求め方
深部電離量半価深:I50 図
71
電子線（低エネルギー、高エネルギー）
低エネルギー：ビルドアップ領域小 高エネルギー：表面線量大（幅広いエネルギー分布を持つ。）
72
炭素線の線量指標
SOBP幅
73
量を測定する線量計の精度
±1％以内
74
重粒子線の生物学的線量分布
ほぼ一定
75
重粒子線の物理学的線量分布
深くなるほど減少
76
一定の深さで線量が鋭いピークをもつこのピークを（ ）という。
ブラッグピーク
77
重粒子線の方がブラッグピークが（ ）
鋭い
78
重粒子の方がペナンブラが（ ）である
シャープ
79
フィールド線量計
基準線質60Coガンマ腺で構成されたリファレンス線量計
80
真性半導体
不純物を全く含まない半導体のこと。電流は流れない。
81
不純物半導体
シリコン(Si)やゲルマニウム(Ge)の真性半導体結晶に、異なる価電子数を持つ原子を混入したもの。
82
不純物半導体（n型半導体）
・混入した不純物は自由電子を生成するため、ドナーという。 ・絶対零度における過剰電子は、伝導帯よりも低いエネルギー準位（ドナー準位）となる。 ・自由電子：多数キャリア、正孔：少数キャリア
83
不純物半導体（p型半導体）
・混入した不純物は正孔を生成するため、アクセプタという。 ・正孔のエネルギー準位は価電子帯よりもクーロン力の欠損分だけ高いエネルギー準位（アクセプタ準位）となる。 ・正孔：多数キャリア、自由電子：少数キャリア
84
1つの半導体結晶の中でp形とn形の性質をもつ2つの領域が、その境を接している状態。
PN接合
85
正負の電荷密度によってpn接合間に電位差が生じ、（ ）が形成される。
電位障壁
86
電位障壁部には、キャリアがほとんど存在しないため、（ ）
空乏層
87
p－Si 検出器の感度は気体電離箱より（ ）高い。
18000倍
88
p－Si 検出器の密度は気体電離箱より（ ）
1800倍
89
蛍光ガラス線量計（RPL-GD）：放射線が照射された銀活性リン酸塩ガラスが、（ ）励起によってオレンジ色の蛍光を発する現象。
紫外線
90
熱蛍光線量計（TLD）
蛍光物質の熱蛍光現象を利用して、放射線の線量を測定する計測器。
91
TLD の温度に対する発光量を示した図を（ ）という。
グロー曲線
92
熱蛍光線量計（TLD）の感度のバラツキは蛍光ガラス線量計より（ ）、再現性も劣る。
大きく
93
熱蛍光線量計（TLD）は400～500度で加熱処理（ ）を行うと繰り返し使用できる。
アニーリング
94
熱量計（カロリーメータ）の温度測定は（ ）を用いている。
サーミスタ
95
熱量計（カロリーメータ）の測定原理
等温測定
96
1次標準器
グラファイトカロリーメータ