工学
問題一覧
1
物質中の自由電子の連続的な移動が電流である
✕
2
電流の方向と自由電子の移動方向は逆である
○
3
ボーアの原子模型において陽子数と電子数は陽子数の方が多い
✕
4
通常は原子では正電荷と負電荷が打ち消しあって電気的に中性な状態である。
○
5
一般に導体の電気抵抗率は10^-10~10^-6である
○
6
一般に半導体の電気抵抗率は10^-4~10^6である
○
7
半導体のキャリアは自由電子のみである
✕
8
炭素原子で構成される黒鉛は良質な絶縁体であるがダイヤモンドは導体である
✕
9
シリコン(ケイ素)SiやゲルマニウムGeは半導体である
○
10
人工的に自由電子を作るために添加する物質をドナーという
○
11
人工的に正孔をつくるために添加する物質をアクセプタという
○
12
p形半導体は自由電子がキャリアである
✕
13
n形半導体は自由電子がキャリアである
○
14
キャリアが外部電界による力を受けて移動することで生じる電流は再結合電流である
✕
15
pn接合半導体の空乏層中に生じた電界は多数キャリアの拡散を促進する報告に作用する
○
16
pn接合半導体のp形側に電圧を印加することを多方向バイアスという
✕
17
ゲルマニウム添加ダイオードの障壁電位は0.5から0.7V程度である
✕
18
ダイオードの順方向飽和電流は不純物濃度、接合面積で決まる定数である
✕
19
定電圧ダイオードではツェナー降伏現象を利用して逆方向電圧を変化させることが出来る。
○
20
npn型トランジスタのベースはp形半導体に接続している
○
21
pnp型のトランジスタのエミッタ猟奇はコレクタ領域よりも正孔が多い。
✕
22
X線発生用高電圧電源として普及したインバータ式電源にはサイリスタが使用されている。
✕
23
トライアックの構造はIGBTを逆並列に接続した回路と等価である。
✕
24
フォトトランジスタはフォトダイオードとトランジスタが一体化した構造になっている
○
25
入力信号の周波数を大きくして入力信号を得ることを増幅という
×
26
電力利得Gpは、電力増幅度ApとするとGp=10log10Ap［db］で表す
○
27
logaM×N＝logaM×logaNである
✕
28
logaM^N＝MlogaNである
✕
問題一覧
1
物質中の自由電子の連続的な移動が電流である
✕
2
電流の方向と自由電子の移動方向は逆である
○
3
ボーアの原子模型において陽子数と電子数は陽子数の方が多い
✕
4
通常は原子では正電荷と負電荷が打ち消しあって電気的に中性な状態である。
○
5
一般に導体の電気抵抗率は10^-10~10^-6である
○
6
一般に半導体の電気抵抗率は10^-4~10^6である
○
7
半導体のキャリアは自由電子のみである
✕
8
炭素原子で構成される黒鉛は良質な絶縁体であるがダイヤモンドは導体である
✕
9
シリコン(ケイ素)SiやゲルマニウムGeは半導体である
○
10
人工的に自由電子を作るために添加する物質をドナーという
○
11
人工的に正孔をつくるために添加する物質をアクセプタという
○
12
p形半導体は自由電子がキャリアである
✕
13
n形半導体は自由電子がキャリアである
○
14
キャリアが外部電界による力を受けて移動することで生じる電流は再結合電流である
✕
15
pn接合半導体の空乏層中に生じた電界は多数キャリアの拡散を促進する報告に作用する
○
16
pn接合半導体のp形側に電圧を印加することを多方向バイアスという
✕
17
ゲルマニウム添加ダイオードの障壁電位は0.5から0.7V程度である
✕
18
ダイオードの順方向飽和電流は不純物濃度、接合面積で決まる定数である
✕
19
定電圧ダイオードではツェナー降伏現象を利用して逆方向電圧を変化させることが出来る。
○
20
npn型トランジスタのベースはp形半導体に接続している
○
21
pnp型のトランジスタのエミッタ猟奇はコレクタ領域よりも正孔が多い。
✕
22
X線発生用高電圧電源として普及したインバータ式電源にはサイリスタが使用されている。
✕
23
トライアックの構造はIGBTを逆並列に接続した回路と等価である。
✕
24
フォトトランジスタはフォトダイオードとトランジスタが一体化した構造になっている
○
25
入力信号の周波数を大きくして入力信号を得ることを増幅という
×
26
電力利得Gpは、電力増幅度ApとするとGp=10log10Ap［db］で表す
○
27
logaM×N＝logaM×logaNである
✕
28
logaM^N＝MlogaNである
✕