EIUE 2

dyfuzji i unoszenia (wartość natężenia tych prądów) zależy od ruchliwości elektronów i dziur, unoszenia polega na przemieszczeniu nośników (elektronów lub dziur) w polu elektrycznym, dyfuzji polega na przemieszczeniu nośników (elektronów lub dziur) na skutek występowania gradientu ich koncentracji

powoduje wzrost fotoprądu jeśli Efot > Eg (gdzie Eg to szer. przerwy wzbronionej), powoduje powstanie siły elektromotorycznej w niespolaryzowanym zewnętrznie złączu jeśli Efot > Eg (gdzie Eg to szer. przerwy wzbronionej), może powodować wzrost temperatury diody

diody Zenera

nośniki generowane w warstwie zaporowej powodują wzrost natężenia prądu płynącego przez diodę, rezystancja szeregowa powoduje wzrost spadku napięcia na zaciskach diody przy stałej wartości natężenia prądu płynącego przez diodę

występuje pole elektryczne pochodzące od zjonizowanych domieszek, znajdują się ujemnie naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu p, znajdują się dodatnio naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu n

maleje ze wzrostem Rl, rośnie ze wzrostem amplitudy uac dla ustalonych wartości Rs Rl i Cs, maleje ze wzrostem Cs (?)

wyższy potencjał przykładany jest do obszaru typu p, płynie głównie prąd dyfuzji nośników większościowych

zależy od punktu pracy, jest większy od 1, wyrażony jest jako Ic/Ib

Vc < Vb, Ve > Vc, Ve > Vb

Ve < Vb, Vc > Vb

złącze E-B polaryzowane jest w kier. przewodzenia, złącze B-C polaryzowane jest zaporowo

KpdB [dB] = 10 log Kp [V/V], KudB [dB] = 20 log Ku [V/V]

h22e = dIc/dUeb

Vd < Vs, Vg < Vs

tranzystora MOSFET z kanałem zubażanym (DMOSFET), tranzystora z kanałem typu p

tranzystora MOSFET z kanałem wzbogacanym, przejściową

tranzystora MOSFET z kanałem zubażanym

gds = dId/dUds, hm = dId/dUgs

tranzystora N-JFET

stosuje się tranzystor jednozłączowy, częstotliwość generacji zależy od stałej czasowej obwodu RC

posiada symetryczną charakterystykę I-U, załączany jest impulsem bramki, samodzielnie może być stosowany w obwodach sterowania fazowego o wypełnieniu 40%, załączany jest po przekroczeniu napięcia przebicia

posiada niesymetryczną charakterystykę I-U, samodzielnie może być stosowany w obwodach sterowania fazowego o wypełnieniu 40%, załączany jest po przekroczeniu napięcia przebicia, załączany jest impulsem bramki

XOR

konstrukcji wewnętrznej, rezystancji podłączonej do wyjścia układu cfr., napięcia zasilania, od częstotliwości przełączania, ilości bramek podłączonych od wyjścia układu cyfr.

rośnie prąd wsteczny diody ze złączem p-n, rośnie prąd przewodzenia diody ze złączem p-n

parametr h21 oznacza wzmocnienie prądowe

powoduje anihilację ładunku (pary elektron-dziura), może emitować emisję energii w postaci fotonu, polega na przejściu elektronu z pasma przewodzenia do pasma walencyjnego

to napięcie w niespolaryzowanym złączu p-n wynikające z obecności pola elektrycznego, rośnie ze wzrostem szerokości przerwy energetycznej, określa wysokość bariery potencjału dla nośników większościowych

znajdują się dodatnio naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu n, znajdują się ujemnie naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu p, występuje pole elektryczne pochodzące od zjonizowanych domieszek

element aktywny przewodzi przez połowę okresu sygnału sterującego

pojemność dyfuzyjna, pojemność złączowa

wyrażony jest jako Ic/Ie, jest mniejszy od 1, zależy od punktu pracy

unoszenia, dyfuzyjny

Vd > Vs, Vg > Vs

rezystancja szeregowa powoduje wzrost spadku napięcia na zaciskach diody przy stałej wartości natężenia prądu płynącego przez diodę, nośniki generowane w warstwie zaporowej powodują wzrost natężenia prądu płynącego przez diodę

składają się z pary tranzystorów NMOSFET i PMOSFET

złącze B-C polaryzowane jest zaporowo, złącze E-B polaryzowane jest w kier. przewodzenia

tranzystora MOSFET z kanałem zubażanym, tranzystora PNFET, przejściową

to przedział czasu w którym koncentracja nośników nadmiarowych maleje e-krotnie, wynika z szybkości rekombinacji

powoduje spadek szerokości energetycznej Eg, zmniejsza napięcie Zenera przebicia tunelowego złącza, powoduje wzrost koncentracji samoistnej ni

rośnie ze wzrostem przerwy energetycznej Eg półprzewodnika, maleje ze wzrostem koncentracji samoistnej ni półprzewodnika, zależy od stopnia domieszkowania półprzewodnika

spowodowane jest zjawiskiem tunelowania elektronów przez złącze w silnie domieszkowanych złączach, spowodowane jest zjawiskiem powielania lawinowego w słabo domieszkowanych złączach

wyższy potencjał przykładany jest do obszaru typu p, płynie głównie prąd unoszenia nośników mniejszościowych

znajdują się dodatnio naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu n, znajdują się ujemnie naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu p, występuje pole elektryczne pochodzące od zjonizowanych domieszek

oznacza energię, dla której prawdopodobieństwo obsadzenia przez elektrony poziomów energetycznych mniejszych od Ef wynosi 0,5, w półprzewodniku typu n położony jest bliżej pasma przewodzenia, w półprzewodniku typu p położony jest bliżej pasma walencyjnego

wyjściową, tranzystora PNFET, tranzystora MOSFET z kanałem zubażanym