konstrukcji wewnętrznej , rezystancji podłączonej do wyjścia układu cfr., napięcia zasilania, od częstotliwości przełączania , ilości bramek podłączonych od wyjścia układu cyfr.

to przedział czasu w którym koncentracja nośników nadmiarowych maleje e-krotnie, wynika z szybkości rekombinacji

wyższy potencjał przykładany jest do obszaru typu p, płynie głównie prąd dyfuzji nośników większościowych

parametr h21 oznacza wzmocnienie prądowe

tranzystora MOSFET z kanałem zubażanym, tranzystora PNFET, przejściową

to napięcie w niespolaryzowanym złączu p-n wynikające z obecności pola elektrycznego , rośnie ze wzrostem szerokości przerwy energetycznej , określa wysokość bariery potencjału dla nośników większościowych

wyrażony jest jako Ic/Ie, jest mniejszy od 1, zależy od punktu pracy

posiada symetryczną charakterystykę I-U, załączany jest impulsem bramki, samodzielnie może być stosowany w obwodach sterowania fazowego o wypełnieniu 40%, załączany jest po przekroczeniu napięcia przebicia

rezystancja szeregowa powoduje wzrost spadku napięcia na zaciskach diody przy stałej wartości natężenia prądu płynącego przez diodę , nośniki generowane w warstwie zaporowej powodują wzrost natężenia prądu płynącego przez diodę

unoszenia, dyfuzyjny

spowodowane jest zjawiskiem tunelowania elektronów przez złącze w silnie domieszkowanych złączach , spowodowane jest zjawiskiem powielania lawinowego w słabo domieszkowanych złączach

h22e = dIc/dUeb

oznacza energię, dla której prawdopodobieństwo obsadzenia przez elektrony poziomów energetycznych mniejszych od Ef wynosi 0,5, w półprzewodniku typu n położony jest bliżej pasma przewodzenia, w półprzewodniku typu p położony jest bliżej pasma walencyjnego

powoduje anihilację ładunku (pary elektron-dziura), może emitować emisję energii w postaci fotonu, polega na przejściu elektronu z pasma przewodzenia do pasma walencyjnego

powoduje wzrost fotoprądu jeśli Efot > Eg (gdzie Eg to szer. przerwy wzbronionej), powoduje powstanie siły elektromotorycznej w niespolaryzowanym zewnętrznie złączu jeśli Efot > Eg (gdzie Eg to szer. przerwy wzbronionej), może powodować wzrost temperatury diody

Vd < Vs, Vg < Vs

Ve < Vb, Vc > Vb

KpdB [dB] = 10 log Kp [V/V], KudB [dB] = 20 log Ku [V/V]

dyfuzji i unoszenia (wartość natężenia tych prądów) zależy od ruchliwości elektronów i dziur, unoszenia polega na przemieszczeniu nośników (elektronów lub dziur) w polu elektrycznym , dyfuzji polega na przemieszczeniu nośników (elektronów lub dziur) na skutek występowania gradientu ich koncentracji

znajdują się dodatnio naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu n , znajdują się ujemnie naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu p, występuje pole elektryczne pochodzące od zjonizowanych domieszek

XOR

złącze B-C polaryzowane jest zaporowo , złącze E-B polaryzowane jest w kier. przewodzenia

element aktywny przewodzi przez połowę okresu sygnału sterującego

złącze E-B polaryzowane jest w kier. przewodzenia, złącze B-C polaryzowane jest zaporowo

tranzystora MOSFET z kanałem zubażanym

Vc < Vb, Ve > Vc, Ve > Vb

rośnie ze wzrostem przerwy energetycznej Eg półprzewodnika , maleje ze wzrostem koncentracji samoistnej ni półprzewodnika , zależy od stopnia domieszkowania półprzewodnika

Vd > Vs, Vg > Vs

gds = dId/dUds, hm = dId/dUgs

zależy od punktu pracy, jest większy od 1, wyrażony jest jako Ic/Ib

diaka

stosuje się tranzystor jednozłączowy, częstotliwość generacji zależy od stałej czasowej obwodu RC

występuje pole elektryczne pochodzące od zjonizowanych domieszek, znajdują się ujemnie naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu p, znajdują się dodatnio naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu n

rośnie prąd wsteczny diody ze złączem p-n, rośnie prąd przewodzenia diody ze złączem p-n

nośniki generowane w warstwie zaporowej powodują wzrost natężenia prądu płynącego przez diodę, rezystancja szeregowa powoduje wzrost spadku napięcia na zaciskach diody przy stałej wartości natężenia prądu płynącego przez diodę

znajdują się dodatnio naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu n, znajdują się ujemnie naładowane jony domieszki po stronie półprzewodnika typu p, występuje pole elektryczne pochodzące od zjonizowanych domieszek

maleje ze wzrostem Rl, rośnie ze wzrostem amplitudy uac dla ustalonych wartości Rs Rl i Cs, maleje ze wzrostem Cs (?)

posiada niesymetryczną charakterystykę I-U, samodzielnie może być stosowany w obwodach sterowania fazowego o wypełnieniu 40%, załączany jest po przekroczeniu napięcia przebicia, załączany jest impulsem bramki

tranzystora MOSFET z kanałem zubażanym (DMOSFET), tranzystora z kanałem typu p

wyższy potencjał przykładany jest do obszaru typu p , płynie głównie prąd unoszenia nośników mniejszościowych

składają się z pary tranzystorów NMOSFET i PMOSFET

pojemność dyfuzyjna , pojemność złączowa

tranzystora N-JFET

tranzystora MOSFET z kanałem wzbogacanym , przejściową

wyjściową , tranzystora PNFET, tranzystora MOSFET z kanałem zubażanym

powoduje spadek szerokości energetycznej Eg, zmniejsza napięcie Zenera przebicia tunelowego złącza , powoduje wzrost koncentracji samoistnej ni

diody Zenera