MOS構造のＯとは，organicのＯである。

半導体のキャリアとは電荷を運ぶ担い手を意味し，負の電荷を持った電子と，正の電荷量持った正孔がある。

正規分布のばらつきを表すのに標準偏差σを用いるが、このσの値が小さいほど，ばらつきは小さい。

シート抵抗（層抵抗）の測定には、エリプソメーターが用いられる。

メモリの中で，電源を切ると記憶していた情報が全て失われてしまうものを揮発性メモリと呼ばれる。

イオン注入装置において，不純物イオンを深く注入する場合は、加速電圧を低くする。

一般に，縮小投影露光装置（ステッパー）では、露光波長が長いほど解像度が向上する。

クライオポンプの排気能力が低下した場合，クライオポンプ内部に吸着したガスを放出して空にする事で再生できる。

バイポーラトランジスタは電流駆動型であり，MOSトランジスタは電圧駆動型である。

NチャネルMOSFETのソースとドレインはP型である。

初期故障モードを示す不具合品のスクリーニングによって，製品の初期故障率を低減することができる。

全有機体炭素（TOC）は，水中に存在する有機物の総量を有機物に中に含まれる炭素量で示したものである。

バイポーラトランジスタは電流駆動型であり，MOSトランジスタは電圧駆動型である。

有機溶剤中毒予防規則では、第一種，第ニ種，第三種の有機溶剤等を青，黄，黒の色別で表示するように規定されている。

BF2は、Bのイオン注入のソース材料として用いられる。

S iの酸化速度は、酸化膜が厚くなるほど遅くなる。

トランジスタに交流電圧を加えた時の電圧特性を，静特性曲線という。

コイルに流れている電気を変化させると，その変化を妨げる方向に起電力が励起する。

日本産業規格（JIS）によれば、抵抗器、コンデンサ、コイルの図記号として，下記の全ては正しい。

アンモニア（NH3）ボンベの残量確認は，ボンベガスレギュレータの一次圧で行う。

一般にGaAsの電子移動度はS iの電子の移動度に比べて大きい。

ALのエレクトロマイグレーションを防止するためには、ALの中にSIを添加すると良い。

真正半導体にドーパント（不純物）を添加すると抵抗率は大きくなる。

大気汚染防止法及び水質汚濁防止法は、いずれも生活環境の保全に関連する法律である。

スタックドMCP（マルチチップパッケージ）とは，一つのパッケージ内の同一平面上に複数個の同じ種類のチップを配置したパッケージである。

導線の電気抵抗は、導線の長さが長くなると小さくなり，断面積が大きくなると大きくなる。