問題一覧
1
Zaznacz prawidłowe stwierdzenie
w półprzewodniku typu n nośnikami większościowymi są elektrony, w półprzewodniku typu n nośnikami mniejszościowymi są dziury
2
Obwód RC:
ma stałą czasową teta= RC, stanowi obwód filtra dolnoprzepustowego
3
Siła elektromotoryczna samoindukcji U generowana w cewce o indukcyjności L opisana jest wzorem
U = L dI/dt
4
Wiązania kowalencyjne
są rodzajem wiązań chemicznych występujących w półprzewodnikach , polegają na uwspólnieniu elektronów znajdujących się na powłoce walencyjnej z sąsiednimi atomami, mogą zostać zerwane skutkując powstaniem elektronu swobodnego
5
Generacja par elektron-dziura
polega na przejściu elektronu z pasma przewodzenia do pasma walencyjnego, może nastąpić poprzez dostarczenie ciepła , może nastąpić przez absorbcję fotonu
6
Elektrony w atomie
znajdują się w powłokach elektronowych, mogą znajdować się tylko w określonym stanie kwantowym (posiadać skwantowaną energię), są związane oddziaływaniem elektrostatycznym z dodatnio naładowanym jądrem atomowym
7
Dla prądu stałego
kondensator jest traktowany jako rozwarcie obwodu , cewka indukcyjna jest traktowana jako zwarcie obwodu, reaktancja cewki jest równa 0
8
Przerwa zabroniona półprzewodników
oddziela pasmo walencyjne od pasma przewodzenia , określa minimalną wartość energii koniecznej do zaabsorbowania przez elektron aby mógł opuścić sieć krystaliczną , zależy od składu materiału półprzewodnikowego
9
Konsultacja zastępcza połączenia równoległego rezystorów
jest sumą konduktancji poszczególnych rezystorów , jest sumą odwrotności rezystancji poszczególnych rezystorów
10
W półprzewodnikach nośnikami prądu elektrycznego są
elektrony, dziury
11
Koncentracja samoistna nośników n
maleje ze wzrostem szerokości przerwy energetycznej, rośnie ze wzrostem temperatury, określa ilość elektronów i dziur w półprzewodniku samoistnym w stanie równowagi termodynamicznej
12
Zwrot strzałki prądu
jest przeciwny do zwrotu przemieszczania się elektronów , jest zgodny ze zwrotem przemieszczania się dziur, w elementach biernych jest przeciwny do zwrotu strzałki napięcia
13
Domieszkowanie
polega na podstawieniu atomów krzemu atomami pierwiastków z III lub V grupy układu okresowego , może być realizowane poprzez naświetlanie się półprzewodnika
14
Rezystancja statyczna:
jest równa rezystancji dynamicznej rezystora liniowego, ma zawsze wartość dodatnią , elementów nieliniowych zależy od punktu pracy, definiowana jest wzorem R = U/I
15
Transformator:
służy do izolacji galwanicznej obwodu wejściowego i wyjściowego , o przekładni 1:2 służy do podnoszenia napięcia , działa dzięki sprzężeniu dwóch cewek w polu magnetycznym
16
Zaznacz prawidłowe zależności obowiązujące dla przedstawionego obwodu:
U1 = U2, I1= R2/(R1+R2) I, I2 = I -I1
17
Prąd przesunięcia I w kondensatorze o pojemności C opisany jest wzorem:
I = dQ/dt, I = C dU/dt
18
W metalach nośnikami prądu elektrycznego są:
elektrony
19
Obwód RC
stanowi obwód filtra górnoprzepustowego , ma stałą czasową teta = RC
20
Transformator:
o przekładni 1:2 służy do podnoszenia napięcia , działa dzięki sprzężeniu dwóch cewek w polu magnetycznym , służy do izolacji galwanicznej obwodu wejściowego i wyjściowego
21
Zaznacz prawidłowe zależności obowiązujące dla przedstawionego obwodu
U1 = R1/(R1+R2) U, U1/U2 = R1/R2
22
Rezystancja dynamiczna:
elementów nieliniowych zależy od punktu pracy, definiowana jest wzorem rd = du/di, jest równa rezystancji statycznej rezystora liniowego
23
Rezystancja R przewodu wykonanego z materiału o konduktywnośći Y długości l i stałym przekroju o polu s
opisana jest wzorem R = l/Ys
24
Domieszkowanie krzemu
donorami polega na wprowadzaniu do sieci krystalicznej atomów z V grupy układu okresowego , akceptorami polega na wprowadzaniu do sieci krystalicznej atomów z III grupy układu okresowego, może być prowadzone przez jednoczesne wprowadzenie domieszki doborowej i akceptorowej
25
Na rysunku przedstawiono
charakterystykę N będącą ch-ką zastępczą połączenia szeregowego elementów N1 i N2