EiUE
問題一覧
1
służy do izolacji galwanicznej obwodu wejściowego i wyjściowego, o przekładni 1:2 służy do podnoszenia napięcia, działa dzięki sprzężeniu dwóch cewek w polu magnetycznym
2
o przekładni 1:2 służy do podnoszenia napięcia, działa dzięki sprzężeniu dwóch cewek w polu magnetycznym, służy do izolacji galwanicznej obwodu wejściowego i wyjściowego
3
U1 = R1/(R1+R2) U, U1/U2 = R1/R2
4
elementów nieliniowych zależy od punktu pracy, definiowana jest wzorem rd = du/di, jest równa rezystancji statycznej rezystora liniowego
5
jest równa rezystancji dynamicznej rezystora liniowego, ma zawsze wartość dodatnią, elementów nieliniowych zależy od punktu pracy, definiowana jest wzorem R = U/I
6
U1 = U2, I1= R2/(R1+R2) I, I2 = I -I1
7
charakterystykę N będącą ch-ką zastępczą połączenia szeregowego elementów N1 i N2
8
kondensator jest traktowany jako rozwarcie obwodu, cewka indukcyjna jest traktowana jako zwarcie obwodu, reaktancja cewki jest równa 0
9
jest przeciwny do zwrotu przemieszczania się elektronów, jest zgodny ze zwrotem przemieszczania się dziur, w elementach biernych jest przeciwny do zwrotu strzałki napięcia
10
I = dQ/dt, I = C dU/dt
11
ma stałą czasową teta= RC, stanowi obwód filtra dolnoprzepustowego
12
elektrony
13
opisana jest wzorem R = l/Ys
14
U = L dI/dt
15
jest sumą konduktancji poszczególnych rezystorów, jest sumą odwrotności rezystancji poszczególnych rezystorów
16
stanowi obwód filtra górnoprzepustowego, ma stałą czasową teta = RC
17
w półprzewodniku typu n nośnikami większościowymi są elektrony, w półprzewodniku typu n nośnikami mniejszościowymi są dziury
18
maleje ze wzrostem szerokości przerwy energetycznej, rośnie ze wzrostem temperatury, określa ilość elektronów i dziur w półprzewodniku samoistnym w stanie równowagi termodynamicznej
19
znajdują się w powłokach elektronowych, mogą znajdować się tylko w określonym stanie kwantowym (posiadać skwantowaną energię), są związane oddziaływaniem elektrostatycznym z dodatnio naładowanym jądrem atomowym
20
oddziela pasmo walencyjne od pasma przewodzenia, określa minimalną wartość energii koniecznej do zaabsorbowania przez elektron aby mógł opuścić sieć krystaliczną, zależy od składu materiału półprzewodnikowego
21
elektrony, dziury
22
donorami polega na wprowadzaniu do sieci krystalicznej atomów z V grupy układu okresowego, akceptorami polega na wprowadzaniu do sieci krystalicznej atomów z III grupy układu okresowego, może być prowadzone przez jednoczesne wprowadzenie domieszki doborowej i akceptorowej
23
polega na przejściu elektronu z pasma przewodzenia do pasma walencyjnego, może nastąpić poprzez dostarczenie ciepła, może nastąpić przez absorbcję fotonu
24
polega na podstawieniu atomów krzemu atomami pierwiastków z III lub V grupy układu okresowego, może być realizowane poprzez naświetlanie się półprzewodnika
25
są rodzajem wiązań chemicznych występujących w półprzewodnikach, polegają na uwspólnieniu elektronów znajdujących się na powłoce walencyjnej z sąsiednimi atomami, mogą zostać zerwane skutkując powstaniem elektronu swobodnego