集積回路は英語2文字で

1μm は次のどれと等しいか

世界初のトランジスタに用いられた半導体材料は

Si ウェハ等の基板上に回路パターンを形成するための、光を用いた技術を

billionは10の

ヘテロ接合は2つの（） 半導体から構成されている

世界初のトランジスタは1947年に米国の　研究所で発明され

1組のp-n接合は、整流作用のある　として動作する.

半導体デバイスの基本構成要素はいくつあるか.

IC チップ内のトランジスタ数が約2年で2倍のペースで増加するとしたIntel 創業者の予想を

抵抗率ρと電気伝導度σは

"face-centered cubic （fcc） lattice"は日本語で

2種類以上の元素から構成される半導体を

体心立方構造の1個の単位胞に含まれる剛体球の数はいくつとみなすことができるか

GaAs の結晶構造は何か？

単位構造を1つの点で代表させたものを

"ibody-centered cubic （bcc） lattice"は日本語

1種類の元素のみからなる半導体を

"unit cell" は日本語で何というか

Siの結晶構造は何か？

"valence band"は日本語で何というか

Si 結晶で最隣接原子数はいくらか？

（110）面は結晶の と平行

自由電子のエネルギー Eと運動量pの関係を表すグラフは　となる

Siは

"conduction band"は日本語で何というか.

（100）面は結晶の　に垂直だ

Siは最隣接原子同士で　結合している

GaAs 結晶で最隣接原子数はいくらか？

効率よく光を放出することができるのは

真性半導体で、伝導帯中の電子密度nと価電子帯中のホール密度pとの関係を正しく表しているのはどれか。

不純物を添加していない半導体を

n型半導体では、伝導帯中の電子密度n は価電子帯中のホール密度pよりずっと（a）．

一方、両者の積np は真性半導体のnpの値と（b）.

真性半導体のフェルミエネルギーはバンドギャップのほぼ　に位置する

バンドギャップエネルギーが大きいのは

絶縁体では、価電子帯はすべて電子で満たされている一方、伝導帯は である

フェルミ分布関数は、電子がエネルギーEの状態に存在する　を表している

n型半導体 SiはAs原子等の（a）を有する．

一方，p型半導体 SiはB原子等の（b）を有する。

バンドギャップエネルギーが小さいほど、真性キャリア密度は（）。. したがって、Siの真性キャリア密度はGaAs より（）.

室温における熱エネルギーKTはおよそいくらか。

Si, GaAsとも、電子移動度はホール移動度

移動度の単位は

n型半導体では、ドナー密度が大きくなるほど、フェルミエネルギーは（）に近づく.

散乱の主なメカニズムとして，格子散乱と（） 散乱がある

完全イオン化しているときは、多数キャリア密度は不純物密度

エネルギー等分配則によると、電子の持つ平均のエネルギーは1自由度あたり

電子のドリフト速度は印加電圧に比例する。係数を電子「」という

nとpの積はn=p,n >>p,n <<pいずれの 場合も真性半導体のキャリア密度 ni

「平均自由行程」は英語（3語）で何というか.

同じ温度で比較したとき、移動度はドナーまたはアクセプタ密度が大きいほど

p型半導体のホール係数は

電流密度は単位面積あたりの電流であり、n型半導体では

ホール電圧VHの符号と半導体のタイプ（n型 or p型）との組み合わせで正しいものは

トータルのドリフト電流密度は

高温では（）散乱が支配的になり、移動度が小さくなる

移動度は平均自由時間に「」し、キャリアの有効質量に「」する

同じ温度、同じ不純物密度において、SiとGaAsではどちらが電子移動度が大きいか

不純物密度が等しい場合、n型 Siの抵抗率はp型 Siの抵抗率と比べて

ある半導体において、格子散乱による移動度が600cm2/s，不純物散乱による移動度が1200 cm2/VS であるとする．トータルの移動度はいくらになるか。

p型半導体では、抵抗率は

半導体中に過剰キャリアが注入されると、

拡散係数Dn or Dpの単位はどれか.

熱平衡状態では、キャリアの生成率 Gthと再結合率Rth の関係は（）

キャリアの密度勾配が正のとき、電子とホールの拡散方向と拡散電流の流れる方向の組み合わせで正しいものを選べ

半導体への光照射を突然止めると、過剰生成していた少数キャリアは時間に対し（）減少する.

キャリア注入は英語では carrier

拡散係数は移動度と

拡散電流は英語で

キャリアのドリフトと拡散両方の寄与の和で電流密度を表した式（）という

半導体中のホール密度が0.16cmの範囲で4.0 x 1016cm'3から6.0x1016cm3に直線的に変化しているとする．ホールの拡散係数を50 cm2/Sとすると、拡散電流密度は符号も含め

少数キャリア密度の時間変化をドリフト、拡散：生成、再結合すべて考慮して表した式を

Jp（x） < Jp（x+dx）のとき、x~x+dcの領域内に流入するホール数は流出するホール数

非平衡状態では多数キャリアの擬フェルミ準位（）

少数キャリアの擬フェルミ準位（）

衝突イオン化を繰り返して半導体中でキャリアがどんどん増えるプロセスを（）現象

電子がポテンシャルの壁を通り抜けて壁の反対側に達することを（）効果という

光照射で過剰キャリアが生成するとき、多数キャリア密度の変化の割合は（）

光照射で過剰キャリアが生成するとき、 少数キャリア密度の変化の割合は（）

無限長とみなせるn型半導体の片側の端面に一定の光を照射した場合、ホール密度は端面からの距離に対して

（）ほど半導体から熱放出される電子数は多 くなる。

無限長とみなせるn型半導体の片側の端面に一定の光を照射した場合、拡散長 Lpは、注入されて過剰に増えたホール密度が（）に減少するまでの距離

Jn（x） < Jn（x+dx）のとき、x～x＋dxの領域内に流入する電子数は流出する電子数

熱平衡状態では、p-n接合の接合部近傍では、電子は（a ）に向かって拡散

熱平衡状態では、（b）に向かってドリフトする.

p-n接合での空乏層での電場の絶対値は

p-n接合は電流を一方向のみに流す（）作用がある

熱平衡状態では、p-n接合における電子およびホールの拡散電流とドリフト電流は， それぞれ（）である。

p-n接合部近傍でキャリアが存在しない領域のことを（）という。

熱平衡状態でのp-n接合で，n領域とp領域との電位差Vbiを（）電圧という

空乏層では空間電荷としてn側には（a）

空乏層では空間電荷として、p側には（b）のみが存在する

p-n接合では逆バイアスを印加してもほとんど電流が流れないが、電圧をさらに大きくしてある値に達すると急に大きな逆電流が流れる．これを（）という

pin接合で順バイアスを印加することについて、正しい組み合わせは次のどれか.

ビルトイン電圧は図8.5（b）の三角形の（）に相当する

p-n接合で空乏層と中性領域との境界での少数キャリア密度は、熱平衡状態にくらべ，

バイアス印加時に定常状態でp-n接合に流れる電流は、理想的な条件では

p-n接合で順バイアスがV>＝3kT/e のときは、室温では電圧が60 mV増加するごとに電流は約（）倍増加する

アクセプタ密度およびドナー密度がそれぞれ同じである Siと GaAsのp-n接合を比較した場合，ビルトイン電圧は（）のほうがおおきくなる