問題一覧
1
センサは被写体透過後のX線を検出する。, センサの大きさはフイルム濃度に影響する。
2
カセッテ後面検出法はカセッテの自己吸収の影響が大きい。
3
前面検出方式は、管電圧が低くなるほど光学濃度が低くなる, 管電圧特性は管電圧によって光学濃度が変動する現象という。
4
被写体厚の増加
5
カセッテ前面検出方式はフィルム透過後のX線を検出する。
6
回転数を増やす。, 陽極半径を大きくする。
7
1.3-3
8
同一の実効焦点ではターゲット角度が小さいほど短時間許容負荷は大きい。
9
温度が高いほどフェーディングが大きい。
10
両面集光方式では発行の検出効率が向上する。, イメージングプレートには輝尽性蛍光体が用いられる。
11
輝尽蛍光は光電子増倍管で電気信号に変換される。, 読み取りを終えた輝尽性蛍光プレートに白色光を与えて情報を消去する。
12
発光波長は約400nmである。, 温度が高いほどフェーディングが大きい。
13
CCD
14
Gd2O2S:Tbはイメージングプレートに用いられる蛍光体である。
15
FPDとCRの画像性能を比較するためDQEを用いる。, 間接変換方式FPDではフォトダイオードが必要である。
16
半導体スイッチには薄膜トランジスタ(TFT)が用いられる。, 欠損補正では欠損画素を周囲の正常画素より補間する。
17
画像読み取り部にはTFTアレイが用いられる。, X線変換層と画素読み取り部が一体化している。
18
直接変換方式は間接変換方式やり解像度が低い。, 画像周辺部にゆがみが生じる。
19
X線像をリアルタイムに観察できる。, TFTスイッチングで画像信号を読み出す。
20
パルス透視が可能である。, 間接変換方式ではアモルファスシリコンが用いられる。
機器学
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1
センサは被写体透過後のX線を検出する。, センサの大きさはフイルム濃度に影響する。
2
カセッテ後面検出法はカセッテの自己吸収の影響が大きい。
3
前面検出方式は、管電圧が低くなるほど光学濃度が低くなる, 管電圧特性は管電圧によって光学濃度が変動する現象という。
4
被写体厚の増加
5
カセッテ前面検出方式はフィルム透過後のX線を検出する。
6
回転数を増やす。, 陽極半径を大きくする。
7
1.3-3
8
同一の実効焦点ではターゲット角度が小さいほど短時間許容負荷は大きい。
9
温度が高いほどフェーディングが大きい。
10
両面集光方式では発行の検出効率が向上する。, イメージングプレートには輝尽性蛍光体が用いられる。
11
輝尽蛍光は光電子増倍管で電気信号に変換される。, 読み取りを終えた輝尽性蛍光プレートに白色光を与えて情報を消去する。
12
発光波長は約400nmである。, 温度が高いほどフェーディングが大きい。
13
CCD
14
Gd2O2S:Tbはイメージングプレートに用いられる蛍光体である。
15
FPDとCRの画像性能を比較するためDQEを用いる。, 間接変換方式FPDではフォトダイオードが必要である。
16
半導体スイッチには薄膜トランジスタ(TFT)が用いられる。, 欠損補正では欠損画素を周囲の正常画素より補間する。
17
画像読み取り部にはTFTアレイが用いられる。, X線変換層と画素読み取り部が一体化している。
18
直接変換方式は間接変換方式やり解像度が低い。, 画像周辺部にゆがみが生じる。
19
X線像をリアルタイムに観察できる。, TFTスイッチングで画像信号を読み出す。
20
パルス透視が可能である。, 間接変換方式ではアモルファスシリコンが用いられる。