図1に示す回路において、端子a-b間の合成抵抗が8オームのとき、抵抗Ｒは【ア】オームである。

図2に示す回路において、端子a-bの電圧が15ボルト、端子b-c間の電圧が8ボルトであった。ことのき、端子a-c間に加えた交流電圧は【イ】ボルトである。

インダクタンスＬヘンリーのコイルにＩアンペアの直流電流が流れているとき、このコイル に蓄えられている電磁エネルギーは、(ウ) ジュールである。

絶縁された導体Ａに帯電体Ｂを近づけると、導体Ａには、帯電体Ｂに近い側に帯電体Ｂと異 種の電荷が現れ、遠い側(反対側)に同種の電荷が現れる。この現象は、(エ) といわれる。

４価のシリコン(Ｓｉ)の真性半導体に、(ア) 価のインジウム(Ｉｎ)などの元素を微量 に加えることにより、生成される正孔が電気伝導の主たる担い手となる不純物半導体はｐ形半 導体といわれる。

図に示すトランジスタ回路において、Ｖ がＣＣ １８ボルト、ＲＣが４キロオームのとき、コレ クタとエミッタ間の電圧ＶＣＥは、 (イ) ボルトである。ただし、直流電流増幅率ｈＦＥを １００、ベース電流ＩＢを２５マイクロアンペアとする。

半導体受光素子について述べた次の二つの記述は、(ウ) 。 Ａ アバランシホトダイオードは、電子なだれ増倍現象による電流増幅作用を利用した受光素 子であり、光検出器などに用いられる。 Ｂ ＰＩＮホトダイオードは、３層構造の受光素子であり、電流増幅作用は持たないが、アバ ランシホトダイオードと比較して動作電圧が低い。

定電圧ダイオードは、逆方向に加えた電圧がある値を超えると、急激に電流が増加する (エ) 現象を生じ、広い電流範囲で電圧を一定に保つ特性を有する。

トランジスタの静特性のうち、エミッタ接地方式においてコレクタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥ を一定に保ったときのベース電流ＩＢとコレクタ電流ＩＣとの関係を示したものは、 (オ) 特性といわれる。

表に示す２進数のＸ ～Ｘ を用いて、計１ ３ 算式(加算) Ｘ０ ＝ Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３ からＸ０ を求め、 ２ 進数で表示し、Ｘ０の先頭から(左から)３番目と４番目と５番目の数字を順に並べると、 (ア) である。

図１に示す論理回路において、Ｍの論理素子が(イ) であるとき、入力Ａ及びＢから出力 Ｃの論理式を求め変形し、簡単にすると、Ｃ ＝ Ａ･Ｂ＋Ａ･Ｂで表される。

図２に示す論理回路は、ＮＯＲゲートによるフリップフロップ回路である。入力ａ及びｂに 図３に示す入力がある場合、図２の出力ｄは、図３の出力のうち(ウ) である。

次の論理関数Ｘは、ブール代数の公式等を利用して変形し、簡単にすると、(エ) になる。

図１において、電気通信回線への入力電力が(ア) ミリワット、その伝送損失が１キロ メートル当たり０.８デシベル、増幅器の利得が２４デシベルのとき、負荷抵抗Ｒで消費する 電力は、８０ミリワットである。ただし、変成器は理想的なものとし、入出力各部のインピー ダンスは整合しているものとする。

図２に示すように、異なる特性インピーダンスＺ０１、Ｚ０２の通信線路を接続して信号を伝 送したとき、その接続点における電圧反射係数をｍとすると、電流反射係数は、(イ) で 表される。

図３に示すアナログ方式の伝送路において、受端のインピーダンスＺ に加わる信号電力が １５ミリワットで、同じ伝送路の無信号時の雑音電力が０.００１５ミリワットであるとき、 この伝送路の受端におけるＳＮ比は、(ウ) デシベルである。

伝送系のある箇所における信号電力と基準点における信号電力との比をデシベル表示した値 は、その箇所の(エ) といわれ、一般に、単位はdＢr で表される。

デジタル変調方式について述べた次の記述のうち、正しいものは、(ア) である。

光ファイバ通信に用いられる光の変調方法の一つに、物質に電界を加え、その強度を変化さ せると、物質の屈折率が変化する(イ) 効果を利用したものがある。

音声信号のＰＣＭ符号化において、信号レベルの高い領域は粗く量子化し、信号レベルの低 い領域は細かく量子化することにより、量子化ビット数を変えずに信号レベルの低い領域にお ける量子化雑音を低減する方法は、一般に、(ウ) といわれる。

デジタル回線における符号誤りを一定時間測定し、その結果として得られる各評価尺度の測 定値の関係について述べた次の二つの記述は、(エ) 。　　　　　　　　　　　　　　 Ａ ある回線で符号誤りが発生する場合には、符号誤りが発生しない場合と比較して、％ＥＦＳ の値が小さくなり、％ＥＳの値が大きくなる。 Ｂ 測定時間が同じ場合においては、％ＳＥＳの測定値は常に％ＥＳの測定値より大きい。

光中継伝送システムに用いられる再生中継器には、中継区間における信号の減衰、伝送途中 で発生する雑音、ひずみなどにより劣化した信号波形を再生中継するための等化増幅、タイミ ング抽出及び(オ) の機能が必要であり、これら三つの機能は３Ｒ機能といわれる。

図１に示す回路において、抵抗Ｒ3に流れる電流Ｉは、 (ア) アンペアである。ただし、 電池の内部抵抗は無視するものとする。

図２に示す回路において、端子ａ－ｂ間の合成インピーダンスが１０オームであるとき、容 量性リアクタンスＸＣは、 (イ) オームである。

正弦波交流電流の流れる抵抗ＲとリアクタンスＸの直列回路において、リアクタンスＸの値 がゼロのとき、力率は、(ウ) となる。

正弦波交流回路において、電圧の実効値をＥボルト、電流の実効値をＩアンペア、電圧と電 流の位相差をφラジアンとすると、この回路の(エ) 電力は、ＥＩsinφで表される。

半導体に電界を加えたとき、半導体中の正孔や自由電子が電界から力を受けて移動する現象 は、(ア) といわれる

図に示すトランジスタ増幅回路において、ＶＢを２ボルト、ＶＣを９ボルト、ＲＢを３０キロ オーム、ＲＣを１キロオーム、電流増幅率βを１００、ベース－エミッタ間の電圧ＶＢＥを０.８ ボルトとするとき、コレクタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥは、 (イ) ボルトである。

ダイオードについて述べた次の二つの記述は、(ウ) 。 Ａ ホトダイオードは、ｐｎ接合面に光を照射すると光の強さに応じた電流が流れる現象を利 用して光信号を電気信号に変換する半導体素子である。 Ｂ 定電圧ダイオードは、逆方向に加えた電圧がある値を超えると急激に電流が増加する降伏 現象を生じ、広い電流範囲で電圧を一定に保つ特性を有する半導体素子である。

ＵＳＢメモリ、ＳＤカードなどに用いられる(エ) は、電気的にデータの消去と書換え を繰り返すことができる半導体メモリである。

トランジスタの静特性の一つである入力特性は、エミッタ接地方式において、コレクタ－ エミッタ間の電圧ＶＣＥを一定に保ったときの (オ) とベース電流ＩＢとの関係を示したも のである。

図１、図２及び図３に示すベン図において、Ａ、Ｂ及びＣが、それぞれの円の内部を表すとき、 図１、図２及び図３の斜線部分を示すそれぞれの論理式の論理積は、(ア) と表すことが できる。

表に示す２進数のＸ 、Ｘ を用いて、計算１ ２ 式(乗算)Ｘ０ ＝ Ｘ１×Ｘ２からＸ０を求め、２進数 で表示し、Ｘ０ の先頭から(左から)３番目と４番目と５番目の数字を順に並べると、 (イ) である。

図４に示す論理回路は、ＮＡＮＤゲートによるフリップフロップ回路である。入力ａ及びｂ に図５に示す入力がある場合、図４の出力ｃは、図５の出力のうち(ウ) である。

次の論理関数Ｘは、ブール代数の公式等を利用して変形し、簡単にすると、(エ) になる。

図１において、電気通信回線への入力電力が２４ミリワット、その伝送損失が１キロメートル 当たり０.８デシベル、増幅器の利得が３０デシベルのとき、負荷抵抗Ｒ１で消費する電力は、 (ア) ミリワットである。ただし、変成器は理想的なものとし、入出力各部のインピーダ ンスは整合しているものとする。

一様なメタリック線路の減衰定数は、線路の一次定数により定まり、(イ) によりその 値が変化する

漏話について述べた次の二つの記述は、(ウ) 。 Ａ 平衡対ケーブルにおける漏話減衰量Ｘデシベルは、誘導回線の信号電力をＰＳワット、被 誘導回線の漏話による電力をＰＸワットとすると、次式で表される。 ＰＳ Ｘ＝１０ log 10 ＰＸ Ｂ 平衡対ケーブルにおいて電磁結合により生ずる漏話の大きさは、一般に、誘導回線のイン ピーダンスに比例する。

図２において、通信線路１の特性インピーダンスがＺ１オーム、通信線路２の特性インピー ダンスがＺ２オームのとき、巻線比(ｎ１：ｎ２)が (エ) の変成器を挿入することにより、 両通信線路間のインピーダンス整合をとることができる。ただし、変成器は理想的なものとす る。

光ファイバ通信に用いられる光変調方式には、ＬＥＤやＬＤなどの光源を直接変調する方式、 外部変調器を用いて光の属性の一つである(ア) を変化させる方式などがある。

デジタル移動通信などにおける多元接続方式の一つであり、各ユーザに異なる符号を割り当 て、スペクトル拡散技術を用いることにより一つの伝送路を複数のユーザで共用する方式は、 (イ) といわれる。

光ファイバ伝送路に用いられる線形中継器は、波長が異なる信号光の一括増幅が可能であ り、かつ、光信号のまま直接増幅しているため伝送速度に制約されないことから、伝送路の (ウ) 化に柔軟に対応できる。

雑音などについて述べた次の二つの記述は、(エ) 。　　　　　　　　Ａ 再生中継を行っているデジタル伝送方式において、中継区間で発生する雑音には、量子化 雑音、ランダム雑音、熱雑音などがあり、これらの雑音は各中継区間ごとに累積されて伝達 される。 Ｂ 増幅回路などにおける信号電力対雑音電力比の劣化の程度を表す尺度として、雑音指数が 用いられる。

デジタル伝送において、送信したデジタル信号が、受信側で隣接タイムスロットの識別点に まで広がることにより(オ) が生じ、ビット誤りが発生する原因の一つとなる。

図１に示す回路において、３オームの抵抗に流れる電流Ｉは、(ア) アンペアである。 ただし、電池の内部抵抗は無視するものとする。

図２に示す回路において、端子ａ－ｂ間の合成インピーダンスは、(イ) オームである。

正弦波交流回路において、電流と電圧の位相差を小さくすれば、この回路の(ウ) は、 大きくなる。

磁束密度Ｂテスラの平等磁界内において、磁界に直交して長さＬメートルの直線導体を置き、 この直線導体にＩアンペアの直流電流を流したとき、この直線導体には、磁界及び電流に垂直 な方向に、(エ) ニュートンの力が働く。

半導体について述べた次の二つの記述は、(ア) 。 Ａ ｐ形半導体に含まれる不純物はドナーといわれ、ｎ形半導体に含まれる不純物はアクセプ タといわれる。 Ｂ 正孔が多数キャリアであるｐ形半導体と、自由電子が多数キャリアであるｎ形半導体は、 いずれも真性半導体に不純物を加えて作られる。

図１に示すトランジスタ増幅回路において、この回路のトランジスタの各特性が図２ 及び 図３で示すものであるとき、コレクタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥは、 (イ) ボルトとなる。 ただし、抵抗Ｒ１は１００オーム、Ｒ２は２.４キロオーム、Ｒ３は４キロオームとする。

ダイオードを用いた波形整形回路において、入力信号波形から、上の基準電圧以上と下の基 準電圧以下を切り取り、中央部(上下の基準電圧の間に入る部分)の信号波形だけを取り出す回 路は、(ウ) といわれる。

半導体メモリのうち、紫外線を照射することにより記憶内容を消去し、書き直しができるよ うにしたものは、(エ) といわれる。

トランジスタ増幅回路を接地方式により分類したとき、入力インピーダンスが最も小さく、 出力インピーダンスが最も大きいものは、(オ) 接地の回路である。

図１、図２及び図３に示すベン図において、Ａ、Ｂ及びＣが、それぞれの円の内部を表すとき、 図１、図２及び図３の斜線部分を示すそれぞれの論理式の論理和は、(ア) と表すことが できる。

表に示す２ 進数のＸ 、Ｘ を用いて１ ２ 、計算式(乗算)Ｘ０ ＝ Ｘ１×Ｘ２ からＸ０ を求め、 ２進数で表示し、Ｘ０ の先頭から(左から)２番目と３番目と４番目の数字を順に並べると、 (イ) である。

図４に示す論理回路は、ＮＡＮＤゲートによるフリップフロップ回路である。入力ａ及びｂ に図５に示す入力がある場合、図４の出力ｃは、図５の出力のうち(ウ) である。

次の論理関数Ｘは、ブール代数の公式等を利用して変形し、簡単にすると、(エ) になる。

図１において、電気通信回線１への入力電圧が１３０ミリボルト、電気通信回線１から電気 通信回線２への遠端漏話減衰量が(ア) デシベル、増幅器の利得が２６デシベルのとき、 電圧計の読みは、１３ミリボルトである。ただし、入出力各部のインピーダンスは全て同一値 で整合しているものとする。

伝送損失について述べた次の二つの記述は、(イ) 。 Ａ 平衡対ケーブルにおいては、心線導体間の間隔を大きくすると伝送損失が増加する。 Ｂ 同軸ケーブルは、一般的に使用される周波数帯において信号の周波数が２倍になると、そ の伝送損失は、約４倍になる。

図２に示すように、特性インピーダンスがそれぞれ６５０オームと(ウ) オームの通信 線路を接続して信号を伝送すると、その接続点における電圧反射係数は、－０.３となる。

ある伝送路の送信端における信号電力をＰ Ｓワット、受信端における信号電力をＰＲワット とするとき、この伝送路の伝送損失は、(エ) デシベルで表される。

正弦搬送波を入力信号に応じて変化させるアナログ変調のうち、周波数変調及び位相変調は、 総称して(ア) 変調といわれる。

ＰＣＭ伝送の受信側では、伝送されてきたパルス列から、サンプリング間隔で各パルス符号 に対応するレベルの信号を生成し、サンプリング周波数の １ を遮断周波数とする (イ) ２ フィルタを通して信号を再生している。

光伝送システムなどに用いられる光ファイバ増幅器について述べた次の二つの記述は、 (ウ) 。　　　　　　　 Ａ 光ファイバ増幅器は、一般に、識別再生回路、増幅用光ファイバ、タイミング抽出回路な どで構成される。 Ｂ 光ファイバ増幅器には、励起用光源として半導体レーザを用い、増幅用光ファイバとして 希土類元素のエルビウムイオンを添加した光ファイバを用いた、一般に、ＥＤＦＡといわれ るものがある。

デジタル回線の伝送品質を評価する尺度の一つである(エ) は、１秒ごとに平均符号誤 り率を測定し、平均符号誤り率が１×１０－３を超える符号誤りの発生した秒の延べ時間(秒)が、 稼働時間(秒)に占める割合を百分率で示したものである。

光の波長によって伝搬速度が異なることに起因して生ずる分散は、波長分散といわれる。波 長分散は、(オ) 分散と材料分散の和で表され、光ファイバ通信の受信端で光のパルス幅 が広がる要因となる。

図１に示す回路において、抵抗Ｒ4 に流れる電流は、 (ア) アンペアである。ただし、 電池の内部抵抗は無視するものとする。

図２に示す回路において、端子ａ－ｂ間の合成インピーダンスは、(イ) オームである。

静電容量Ｃファラドのコンデンサに蓄えられている電荷をＱクーロンとすると、このときの コンデンサの端子電圧は、(ウ) ボルトである。

導線の長さをl、断面積をＡ、抵抗をＲ、導電率をσとするとき、これらの間には、 Ｒ＝ (エ) の関係がある。

ｐ形半導体では、(ア) 価のシリコン(Ｓi)の真性半導体に、３価のインジウム(Ｉn)な どの元素が微量に加えられていることにより、生成される正孔が電気伝導の主たる担い手とな る。

図に示すトランジスタ回路において、Ｖ がＣＣ １８ボルト、ＲＣが４キロオームのとき、コレ クタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥは、 (イ) ボルトである。ただし、直流電流増幅率ｈＦＥを ８０、ベース電流ＩＢを２５マイクロアンペアとする。

ＤＲＡＭはコンデンサに電荷を蓄えておくことにより情報を保持しているが、この電荷は時 間とともに減少するためそのまま放置しておくと情報が失われる。このため(ウ) といわ れる再書き込みが行われる。

接合型電界効果トランジスタは、半導体内部の多数キャリアの流れを、(エ) 電極に加 える電圧により制御する半導体素子である。

トランジスタの静特性のうち、エミッタ接地方式においてベース電流ＩＢを一定に保ったと きのコレクタ電流ＩＣとコレクタ－エミッタ間の電圧ＶＣＥとの関係を示したものは、ＶＣＥ－ＩＣ 特性又は(オ) 特性といわれる。

　図１～図５に示すベン図において、Ａ、Ｂ及びＣが、それぞれの円の内部を表すとき、斜線部分を示す論理式がＡ･Ｂ･Ｃ＋Ａ･Ｂ･Ｃ と表すことができるベン図は、(ア) である。

表に示す２進数のＸ ～Ｘ を用いて、計１ ３ 算式(加算) Ｘ０ ＝ Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３ からＸ０ を求め、 ２ 進数で表示し、Ｘ０ の先頭から(左から)４番目と５番目と６番目の数字を順に並べると、 (イ) である。

図６に示す論理回路は、ＮＯＲゲートによるフリップフロップ回路である。入力ａ及びｂに 図７に示す入力がある場合、図６の出力ｄは、図７の出力のうち(ウ) である。

次の論理関数Ｘは、ブール代数の公式等を利用して変形し、簡単にすると、(エ) になる。

図１において、電気通信回線への入力電力が６００ミリワット、その伝送損失が１キロメー トル当たり０.７デシベル、増幅器の利得が(ア) デシベルのとき、負荷抵抗Ｒで消費する 電力は、６０ミリワットである。ただし、変成器は理想的なものとし、入出力各部のインピー ダンスは整合しているものとする。

平衡対ケーブルが誘導回線から受ける電磁的結合による漏話の大きさは、一般に、誘導回線 のインピーダンスに(イ)。

図２において、通信線路１ の特性インピーダンスが５ ７ ６ オーム、通信線路２ の特性イン ピーダンスが９００オームのとき、巻線比(ｎ１：ｎ２)が (ウ) の変成器を使うと線路の 接続点における反射損失はゼロとなる。ただし、変成器は理想的なものとする。

伝送回路の入力と出力の信号電圧が比例関係にないために生ずる信号のひずみは、(エ) ひずみといわれる。

デジタル変調方式の一つであるＢＰＳＫは、１シンボル当たり(ア) の情報を伝送でき る。

端末が伝送媒体の使用状況を監視し、キャリアを検出したときには送信を延期し、キャリア を検出中でないときに送信することにより、複数の端末が同一の伝送媒体を共用する方式は (イ) といわれる。

光ファイバを用いて波長の異なる複数の光信号を１本の光ファイバで伝送する方式のうち、 数波長から１０波長程度の光信号を多重化して伝送する方式は、(ウ) といわれる。

デジタル中継伝送における伝送品質の劣化要因について述べた次の二つの記述は、(エ) 。　　　　　　　 Ａ デジタル中継伝送においては、再生中継器の信号受信部におけるタイミング抽出回路から 出力されるタイミングパルスの位相変動によりジッタが発生することがある。 Ｂ 符号間干渉は、一般に、デジタル信号の伝送に必要とされる帯域が十分に確保されていな い場合などに発生し、ビット誤りが発生する要因の一つとなる。

光ファイバ中の(オ) の微小な変化(揺らぎ)によって光が散乱する現象はレイリー散乱 といわれ、光損失の要因の一つとなり、これによる損失は光波長の４乗に反比例する。

図１に示す回路において、２オームの抵抗に流れる電流は、(ア) アンペアである。た だし、電池の内部抵抗は無視するものとする。

図２に示す回路において、交流電流Ｉが１５アンペアであるとき、抵抗Ｒに流れる電流ＩＲ は、(イ) アンペアである。

導体の導電率をσ、抵抗率をρとすると、これらの間には、σ ＝ (ウ) の関係がある。

自己インダクタンスがＬヘンリーのコイルの誘導性リアクタンスをＸＬオームとすると、ＸＬ の大きさは、コイルに流れる(エ) に比例する。

半導体について述べた次の二つの記述は、(ア) 。　　　　　　　　Ａ 正孔が多数キャリアであるｐ形半導体と、自由電子が多数キャリアであるｎ形半導体は、 いずれも真性半導体に不純物を加えて作られる。 Ｂ ｐ形半導体に含まれる不純物はドナーといわれ、ｎ形半導体に含まれる不純物はアクセプ タといわれる。

図１に示すトランジスタ増幅回路においてベース－エミッタ間に正弦波の入力信号電圧ＶＩ を加えたとき、コレクタ電流 ＩＣが図２に示すように変化した。ＩＣとコレクタ－エミッタ間 の電圧ＶＣＥとの関係が図３に示すように表されるとき、ＶＩの振幅を４０ミリボルトとすれば、 電圧増幅度は、(イ) である。

アバランシホトダイオードは、(ウ) による電流増幅作用を利用した受光素子であり、 光検出器などに用いられる.

回路素子について述べた次の二つの記述は、(エ) 。　　　　　　　　Ａ バリスタは、印加電圧がある値を超えると、その抵抗値が急激に低下して電流が増大する 非直線性の特性を持つ素子であり、電話機の衝撃性雑音の吸収回路などに用いられる。 Ｂ 可変容量ダイオードは、逆方向電圧の大きさにより、静電容量が変化する特性を持つ素子 であり、周波数変調回路などに用いられる。

トランジスタの静特性の一つである入力特性は、エミッタ接地方式において、コレクタ－ エミッタ間の電圧ＶＣＥを一定に保ったときの (オ) とベース電流ＩＢとの関係を示したも のである。

図１、図２及び図３に示すベン図において、Ａ、Ｂ及びＣが、それぞれの円の内部を表すとき、 図１、図２及び図３の斜線部分を示すそれぞれの論理式の論理積は、(ア) と表すことが できる。

図４に示す論理回路において、Ｍの論理素子が(イ) であるとき、入力ａ及び入力ｂと 出力ｃとの関係は、図５で示される。

図６に示す論理回路は、ＮＯＲゲートによるフリップフロップ回路である。入力ａ及びｂに 図７に示す入力がある場合、図６の出力ｄは、図７の出力のうち(ウ) である。