問題一覧
1
金属と半導体を接触させた場合、整流性が得られる状態の接触
ショットキー接触
2
金属と半導体を接触させた場合、整流性が得られず、通常の電気抵抗のような特性が得られる接触状態。
オーミック接触
3
物資表面から電子を1個取り出すのに必要となるエネルギー。
仕事関数
4
物質に電子を1個与えるときのエネルギー収支。
電子親和力
5
金属ー絶縁体ー半導体の積層構造
MIS構造
6
ゲート絶縁物に酸化シリコンを用いたトランジスタ
MOSトランジスタ
7
電流ではなく、電界を加えてキャリアを制御することで動作するトランジスタ
電界効果トランジスタ
8
逆方向電圧を加えたMOS構造で、電圧を大きくすると少数キャリアが本来の多数キャリアよりも多く集まってくる。そのような領域のこと。
反転層
9
MOSトランジスタでチャネルが形成される電圧。
しきい値電圧
10
電界効果トランジスタで、ゲート電圧変化に対するドレイン電流の変化の比率
相互コンダクタンス
11
pnpもしくはnpnの積層構造によるトランジスタ
バイポーラトランジスタ
12
トランジスタで、ベース電流変化に対するコレクタ電流の変化の比率
電流増幅率
13
pnpnの積層構造による電力制御素子
サイリスタ
14
MOSトランジスタとバイポーラトランジスタを組み合わせた、電力制御素子
IGBT
15
電界効果で電荷を輸送するデバイスで、遅延素子や撮像素子などに使われる。
CCD
16
ガラス上に薄膜状に作ったトランジスタで、液晶パネルに用いられている。
TFT
17
Si単結晶表面にpn接合を形成した太陽電池
単結晶Si太陽電池
18
Siの多結晶板にpn接合を形成した太陽電池
多結晶Si太陽電池
19
Siを薄膜にした太陽電池で省資源だが効率は低い
アモルファスSi太陽電池
20
電源を切っても、情報は残るメモリ。
不揮発性メモリ
21
FETのゲート膜内に電荷を蓄えることによるメモリで、多ビット一括操作で書き込み速度を速めた回路になっている。
フラッシュメモリ
22
トランジスタの正帰還で情報を記憶するメモリ
SRAM
23
コンデンサで情報を記憶するメモリ
DRAM
24
MOSトランジスタの形状、不純物濃度、電圧と動作速度、電力の関係則でトランジスタの微小化・高速化を指し示すもの。
スケーリング則
25
過去のトランジスタ発展の状況から、集積回路におけるトランジスタの増え方を予想する法則。
ムーアの法則
26
読み込み専用のメモリであるが、特殊な電圧を印加することで書き込み・消去が可能
EEPROM
27
高速動作のダイオードを得るために作った、金属と半導体との接触
ショットキー接触
28
フェルミ準位と真空準位のエネルギー差
仕事関数
29
半導体にて伝導体底と真空準位のエネルギー差
電子親和力
30
現在の集積回路でもっとも多く使われている電界効果トランジスタ
MOSトランジスタ
31
MOSトランジスタでキャリアの通り道（チャネル）となる、高電界印加により形成される領域。
反転層
32
ゲートにパルスを加えた後は、アノードからカソードへ電流が流れ続ける電力制御素子
サイリスタ
33
Si単結晶による太陽電池で高効率
単結晶Si太陽電池
34
Siの太陽電池で低コストでもっとも多く用いられている。
多結晶Si太陽電池
35
超高速動作のためCPU直近（キャッシュ）に配置されるメモリ。
SRAM
36
大容量のため、コンピュータの主記憶にもっとも多く使われるメモリ。
DRAM
37
集積回路のトランジスタが1.5〜2年で倍になっていく経験則
ムーアの法則
38
MOSトランジスタで反転が起こる電圧。
しきい値電圧
39
半導体材料から端子を引き出すために作った、金属と半導体との接触
オーミック接触