問題一覧
1
半導体にて伝導体底と真空準位のエネルギー差
電子親和力
2
電界効果で電荷を輸送するデバイスで、遅延素子や撮像素子などに使われる。
CCD
3
電源を切っても、情報は残るメモリ。
不揮発性メモリ
4
MOSトランジスタで反転が起こる電圧。
しきい値電圧
5
Si単結晶による太陽電池で高効率
単結晶Si太陽電池
6
ゲート絶縁物に酸化シリコンを用いたトランジスタ
MOSトランジスタ
7
トランジスタの正帰還で情報を記憶するメモリ
SRAM
8
ゲートにパルスを加えた後は、アノードからカソードへ電流が流れ続ける電力制御素子
サイリスタ
9
pnpもしくはnpnの積層構造によるトランジスタ
バイポーラトランジスタ
10
現在の集積回路でもっとも多く使われている電界効果トランジスタ
MOSトランジスタ
11
コンデンサで情報を記憶するメモリ
DRAM
12
Si単結晶表面にpn接合を形成した太陽電池
単結晶Si太陽電池
13
Siの多結晶板にpn接合を形成した太陽電池
多結晶Si太陽電池
14
金属ー絶縁体ー半導体の積層構造
MIS構造
15
逆方向電圧を加えたMOS構造で、電圧を大きくすると少数キャリアが本来の多数キャリアよりも多く集まってくる。そのような領域のこと。
反転層
16
物質に電子を1個与えるときのエネルギー収支。
電子親和力
17
ガラス上に薄膜状に作ったトランジスタで、液晶パネルに用いられている。
TFT
18
pnpnの積層構造による電力制御素子
サイリスタ
19
トランジスタで、ベース電流変化に対するコレクタ電流の変化の比率
電流増幅率
20
過去のトランジスタ発展の状況から、集積回路におけるトランジスタの増え方を予想する法則。
ムーアの法則
21
MOSトランジスタの形状、不純物濃度、電圧と動作速度、電力の関係則でトランジスタの微小化・高速化を指し示すもの。
スケーリング則
22
半導体材料から端子を引き出すために作った、金属と半導体との接触
オーミック接触
23
MOSトランジスタでキャリアの通り道（チャネル）となる、高電界印加により形成される領域。
反転層
24
MOSトランジスタとバイポーラトランジスタを組み合わせた、電力制御素子
IGBT
25
フェルミ準位と真空準位のエネルギー差
仕事関数
26
FETのゲート膜内に電荷を蓄えることによるメモリで、多ビット一括操作で書き込み速度を速めた回路になっている。
フラッシュメモリ
27
大容量のため、コンピュータの主記憶にもっとも多く使われるメモリ。
DRAM
28
超高速動作のためCPU直近（キャッシュ）に配置されるメモリ。
SRAM
29
高速動作のダイオードを得るために作った、金属と半導体との接触
ショットキー接触
30
集積回路のトランジスタが1.5〜2年で倍になっていく経験則
ムーアの法則
31
読み込み専用のメモリであるが、特殊な電圧を印加することで書き込み・消去が可能
EEPROM
32
物資表面から電子を1個取り出すのに必要となるエネルギー。
仕事関数
33
金属と半導体を接触させた場合、整流性が得られず、通常の電気抵抗のような特性が得られる接触状態。
オーミック接触
34
Siの太陽電池で低コストでもっとも多く用いられている。
多結晶Si太陽電池
35
Siを薄膜にした太陽電池で省資源だが効率は低い
アモルファスSi太陽電池
36
MOSトランジスタでチャネルが形成される電圧。
しきい値電圧
37
電界効果トランジスタで、ゲート電圧変化に対するドレイン電流の変化の比率
相互コンダクタンス
38
金属と半導体を接触させた場合、整流性が得られる状態の接触
ショットキー接触
39
電流ではなく、電界を加えてキャリアを制御することで動作するトランジスタ
電界効果トランジスタ