問題一覧
1
特殊ダイオード 発光ダイオードは自由電子と正孔が( )されることで発行する。
再結合
2
整流ダイオード ( )方向に電流が流れ、( )方向には電流は流れない。
順 逆
3
特殊ダイオード ( )方向に電流を流すと光を発するものを発行ダイオードと呼ぶ。
順
4
ｎ型半導体 不純物が( )ならばｎ型半導体になる。
As
5
特殊ダイオード バラクタダイオードは空乏層により( )を変化させる。
静電容量
6
真性半導体 真性半導体のフェルミ準位は( )に位置する。
禁止帯の中央
7
真性半導体 真性半導体の不純物濃度は( )である。
零
8
整流ダイオード シリコンダイオードは( )電流整流回路に用いられる。
大
9
ｎ型半導体 ｎ型半導体の不純物は( )と呼ぶ。
ドナー
10
整流ダイオード 整流作用とは( )に電流が良く流れるようにすることである。
一方向
11
整流ダイオード ( )方向電圧がある以上になると急に電流値が増加する。
逆
12
真性半導体 真性半導体とは自由電子と正孔が( )存在する半導体のことである。
同数
13
ｐ型半導体 アクセプタ準位は禁制帯中の( )に近い位置となる。
価電子帯
14
ｎ型半導体 ｎ型半導体の多数キャリアは( )である。
自由電子
15
整流ダイオード 逆方向の電圧が一定値を越すと( )する。
破壊
16
特殊ダイオード ホトダイオードは光により自由電子と正孔が( )することで逆電流になる。
生成
17
半導体の性質 低効率はおよそ( )[Ω・ｍ]ぐらいである。
10⁻⁴～10⁶
18
整流ダイオード シリコン整流素子はゲルマニウム整流素子より( )電力に適する。
大
19
pn接合 pn接合の( )方向バイアスでは多数キャリアが接合面を通過する。
順
20
特殊ダイオード ( )に応じて容量値が変化するのを可変容量ダイオードという。
電圧
21
特殊ダイオード 接合部に光を当てた時に( )が増加するものをホトダイオードという。
逆電流
22
ｐ型半導体 ｐ型半導体の少数キャリアは( )である。
自由電子
23
ｎ型半導体 フェルミ準位が禁制帯の上方に位置するほど( )は多い。
自由電子
24
ｐ型半導体 意識的に加えられた不純物は( )として働く。
アクセプタ
25
pn接合 pn接合の空乏層は( )方向の電圧を加えると増大する。
逆
26
半導体の性質 温度が上昇すると抵抗が( )なる。
小さく
27
半導体の性質 伝導帯と充満帯との中間の準位は( )である。
禁止帯
28
半導体の性質 充満帯や伝導帯は( )帯である。
許容
29
特殊ダイオード 逆方向で( )が一定になることを利用したものをツェナーダイオードという。
電圧
30
整流ダイオード ショットキーダイオードは金属と半導体の接触により( )作用を示す。
整流
31
ｎ型半導体 ｎ型半導体のFermi(フェルミ)準位は禁制帯中の( )に近い位置となる。
伝導帯
32
pn接合 pn接合の空乏層には自由なキャリアは( )。
存在しない
33
半導体の性質 純度の高い材料は微量の( )により導電率が大きく変わる。
不純物
34
pn接合 pn接合が生成されると( )が形成される。
電位障壁
35
整流ダイオード シリコンダイオードはゲルマニウムダイオードよりも逆電流は( )。
少ない
36
ｐ型半導体 Siに( )価の元素を極微量、不純物として加える。
３
37
特殊ダイオード ( )ダイオードでは逆方向電圧が一定値になると逆電流が流れる。
ツェナー
38
pn接合 pn接合の熱平衡状態では各領域のフェルミ準位は( )。
一致する
39
半導体の性質 最も外側のか電子の存在する準位は( )である。
充満帯
40
ｐ型半導体 ｐ型半導体のFermi(フェルミ)準位は禁制帯中の( )に近い位置となる。
価電子帯
41
pn接合 電圧が加えられていない( )状態のpn接合には電流は流れない。
熱平衡
42
ｎ型半導体 ドナー準位は禁制帯中の( )に近い位置となる。
伝導帯
43
ｎ型半導体 室温中のドナー原子は( )イオンになる。
正
44
半導体の性質 温度が上昇すると( )が大きくなる。
導電率
45
整流ダイオード ( )バイアスとはｐ型に－、ｎ型に＋の極性の電圧を加えることである。
逆方向
46
半導体の性質 電子の存在確率が1/2となる準位を( )準位という。
フェルミ
47
半導体の性質 絶対零度ではキャリアは( )。
存在しない
48
ｐ型半導体 電気伝導は主として( )によって行われる。
正孔
49
特殊ダイオード ツェナーダイオードは( )回路に用いられる。
定電圧