問題一覧
1
導体
水銀, ニッケル, 銅, 銀
2
半導体
シリコン, セレン, ゲルマニウム
3
絶縁体
ポリエチレン, ゴム, マイカ, ガラス, パラフィン
4
導体の抵抗率は温度が上昇すると（1）するが半導体では（2）する
増加, 減少
5
1〜3に当てはまる単語
価電子, 原子核, 電子殻
6
ゲルマニウムとシリコンの価電子
4個
7
ホウ素の価電子
3個
8
ヒ素の価電子
5個
9
外部からエネルギーによって原子核と結びつきから容易に離れ移動することができる電子
自由電子
10
価電子を互いに共有しながら規則正しく並んでいる構造
共有結合
11
自由電子と正孔を電荷の運び手という意味
キャリヤ
12
エネルギーが与えられることによってキャリヤが生じること
キャリヤの発生
13
自由電子が生じる前の電気的に中性だったときに比べて性の電荷をもった孔が生じているようにみせる
正孔
14
シリコンやゲルマニウムの結晶は99.9999999999%と言うように9が12個も並ぶ純度
トゥエルブナインの純度
15
不純物を含まない半導体
真性半導体
16
真性半導体の結晶
ケイ素, ゲルマニウム, ガリウムヒ素
17
真性半導体に不純物が混ざったもの
不純物半導体
18
シリコンの真性半導体の中に価電子の数が5個の原子をごく少量混ぜて結晶を作ると5個の価電子のうち1個余る半導体
n形半導体
19
人工的に自由電子を作るために混入する不純物
ドナー
20
真性半導体の中に価電子の数が3個の原子をごく少量混ぜて結晶を作ると価電子が1個足りなくなり正の電荷を持つ正孔になる半導体
p形半導体
21
人工的に正孔を作るために混入する不純物
アクセプタ
22
n形半導体の不純物
ヒ素, リン, アンチモン
23
p形半導体の不純物
ホウ素, ガリウム, インジウム
24
n形半導体の多数キャリヤと少数キャリヤ
自由電子, 正孔
25
p形半導体の多数キャリヤと少数キャリヤ
正孔, 自由電子
26
半導体に電界を加えるとキャリヤである正孔と自由電子は電界による力も受けて正孔は電界の向き、自由電子は逆向きにそれぞれ移動する→電界の向きに電流が流れる
ドリフト
27
ドリフトによって流れる電流
ドリフト電流
28
キャリヤの濃度に差があると濃度の高い部分から低い部分に向かってキャリヤの移動が起こる
拡散
29
拡散によってキャリヤが移動することにより流れる電流
拡散電流
30
熱、光、電界などエネルギーによって発生した半導体の正孔と自由電子は一定時間のうちに互いに結合して消滅する現象
キャリヤの再結合
31
p形とn形の領域が接している構造
pn接合
32
相手領域へ移動したキャリヤ
注入キャリヤ
33
pn接合の両面の領域の接している面のこと
接合面
34
接合面付近では自由電子と正孔が拡散によって移動し、互いに再結合して消滅するためキャリヤが存在しない領域
空乏層
35
金属と半導体を接合させたとき空乏層を形成する場合
ショットキー接合